簡介
極紫外套刻誤差通常是指EUV和193浸沒式的混合套刻誤差（MMO）。當
極紫外光刻套用到積體電路製造工藝中，其必須和193浸沒式混合使用，即
關鍵層使用EUV技術進行曝光，其他臘故狼閥光刻層仍使用193浸沒式曝永鴉院光。堡判
構成
極紫外
套刻誤差主要由三部分組成：曝光區域間的
套刻誤差、曝光區域內部的
套刻誤差和隨機項。不同曝光區域中相同位置處測得的套刻誤差做平均即得到
曝光區域內部的套刻誤差夜狼灑；曝光區域內部測得的套刻誤差作平均得到曝光區域漏禁符內部套刻誤差；隨機項等於總殘留的套刻誤差減去曝光區域間的套刻誤差。
表現
結合
光源掩模協同最佳化（SMO）和OPC對圖形移動修正，EUV與193浸沒式的MMO可望被控制在3nm以下。啟用精符榆煮了
曝光區域之間和曝光區域內部的高戀洪旬階對準修正（HOPC+iHOPC）後，
ASML的193i光刻機（1950i）DCO可以達到2.0nm；3100光刻機DCO可達1.0nm。
