基本介紹
- 中文名:極紫外光
- 外文名:Extreme ultraviolet radiation
- 適用領域:光學
- 所屬學科:光學
- 別名:極端紫外線輻射、高能紫外線輻射
- 英文簡稱:EUV、XUV
極紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為採用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然後放射出紫外線。簡介 極紫外光刻(英語:...
極紫外光刻系統以波長13.5納米的極紫外光為光源,可實現將晶片製程最小工藝節點推進至7納米、5納米甚至3納米。2019年,荷蘭阿斯麥公司成功推出新一代極紫外光刻系統,代表了當今最先進的第五代光刻系統,可望將摩爾定律物理極限推向新的...
《極紫外光波段原子分子多體關聯測量譜儀器研製》是依託吉林大學,由丁大軍擔任項目負責人的專項基金項目。項目摘要 極紫外光波段原子分子多體關聯測量是開展微觀體系多體動力學這一基礎科學前沿研究急需的關鍵譜學技術。項目擬利用飛秒強雷射...
《雷射電漿極紫外光刻光源》是2018年12月出版的圖書,作者是竇銀萍、宋曉偉、陶海岩。 [1] 書名 雷射電漿極紫外光刻光源 作者 竇銀萍、宋曉偉、陶海岩 出版時間 2018年12月 頁數 122 頁 定價 79 元 開本 32 開 ...
幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有較強的吸收,因此極紫外光刻的掩模是反射式的。掩模表面反射的光包含有掩模上的圖形信息,實現曝光。EUV掩模是反射式的,其結構如圖1所示。襯底是6.35mm厚的低熱膨脹係數材料(low ...
極紫外相移掩模對相位的調製作用是通過控制吸收層折射率和厚度來實現的。極紫外光通過吸收層是一個光線入射、折射、吸收和反射的過程(round trip reflection)。吸收層的厚度以及折射率對相移值起到決定作用。不同類型的極紫外相移掩模對...
在13.5nm波段,該裝置可以產生能量密度高達2.3 J/cm^2的納秒量級的極紫外光脈衝,可以針對大多數的薄膜光學元件開展EUV波段輻照損傷研究,整個系統的性能達到了國際領先水平。 利用該極紫外輻照損傷測試平台,本項目對Au單層膜、Mo...
極紫外光線通過一個狹縫透射在反射鏡上A,反射鏡A使光線折轉照射在另一個反射鏡B上。經反射鏡B折轉後,極紫外光線再經反射鏡C反射到掩模表面。反射鏡C通常是一個離軸的橢球反射鏡,可使光線在離軸19°的範圍內照射在掩模上。光線...
為了降低表面效應和二次電子對光刻膠性能的影響,一般在矽襯底表面先塗一層非光敏感的材料,稱為底層材料。極紫外光刻膠旋塗在底層材料上,底層材料不是光敏感的,類似於248nm和193nm光刻中的抗反射塗層。底層材料的設計思路是:選用...
2017年1月15日,大連光源成功發出了世界上最強的極紫外自由電子雷射脈衝,單個皮秒雷射脈衝產生140萬億個光子,成為世界上最亮且波長完全可調的極紫外自由電子雷射光源。套用 在這樣的極紫外光照射下,區域內幾乎所有原子和分子都“無處遁形...
2022年10月23日,SK海力士向光刻機巨頭ASML訂購了下一代半導體設備 High-NA 極紫外光(EUV)曝光設備。韓國半導體製造商也在準備引進能夠實現 2nm工藝的設備。企業事件 2013年9月4日下午3點半左右,無錫新區海力士公司的生產車間發生...
在極紫外光刻進行曝光時,光源中的非13.5nm波長的成分,稱為帶外輻射。導致極紫外光刻膠圖形解析度不夠和邊緣粗糙度較高的一個很重要的原因是曝光時光源中的非13.5nm波長的成分,又稱帶外(out of band,OOB)輻射。而且OOB輻射...
通過開發創新的極紫外光刻(EUV)技術,蔡司創造了一系列具有更高集成密度的更多代微晶片。該技術使用極紫外光來產生更精細的晶片結構。工業質量與研究 (Industrial Quality & Research)工業和科學界使用蔡司坐標測量機、測量軟體和顯微鏡系統...
在EUV光刻中,6°的斜入射光線會被吸收層的邊緣遮擋而達不到底部的反射層上,產生掩模陰影效應(mask shadowing effect),如圖1所示。掩模陰影效應會導致CD的偏差和圖形的平移。在極紫外光刻中,由於極紫外光幾乎對所有的物質均不透明,...
項目負責人,2011−2013)2. 國家自然科學基金面上項目(項目負責人,2013−2016)3. 中科院戰略性先導專項子課題(分課題負責人,2012−2014)4. 科技部02專項極紫外光刻膠課題(分課題負責人,2011-2013)