2021年12月14日,中國工程院首次評選和發布“2021全球十大工程成就“,其中包括極紫外光刻系統。
2021年12月14日,中國工程院首次評選和發布“2021全球十大工程成就“,其中包括極紫外光刻系統。
2021年12月14日,中國工程院首次評選和發布“2021全球十大工程成就“,其中包括極紫外光刻系統。發展歷史極紫外光刻系統以波長13.5納米的極紫外光為光源,可實現將晶片製程最小工藝節點推進至7納米、5納米甚至3納米。...
極紫外光刻(英語:Extreme ultra-violet,也稱EUV或EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長的下一代光刻技術,其波長為13.5納米,預計將於2020年得到廣泛套用。幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有很強的吸收,因此,EUV光刻機的光學系統只有使用反光鏡。極紫外光刻的實際套用比原先估計的將近晚了10多年...
極紫外光刻機曝光系統主要由反射鏡構成的照明光學系統(illumination optics)和投影光學系統(projection optics)組成。 極紫外光刻機曝光系統如圖1所示,圖中分別畫出了極紫外(EUV)光源、光照光學系統、投影光學系統等。光源發出的13.5nm波長的光線被吸收後,通過幾個反射鏡,形成所需要的光照方式,照射在掩模上。這...
EUV系統主要由四部分組成,即反射式投影曝光系統、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統和能用於極紫外的光刻塗層。其主要成像原理是光波波長為10~14nm的極端遠紫外光波經過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上,通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統,將反射式掩模版上的積體電路...
EUV系統主要由四部分組成,即反射式投影曝光系統、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統和能用於極紫外的光刻塗層。其主要成像原理是光波波長為10~14nm的極端遠紫外光波經過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上,通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統,將反射式掩模版上的積體電路...
變形光刻系統是在高數值孔徑(high NA)極紫外光刻(EUVL)中,為了減小陰影效應(shadowing effect)和提高產能,光刻系統採用在x方向放大4倍,在y方向上放大8倍,該系統稱為變形光刻系統。在高數值孔徑極紫外光刻中,當數值孔徑高於某一值時,入射光錐和反射光錐會發生重疊現象,為了避免該現象,可通過增大主光線入...
《極紫外光刻》是2022年上海科學技術出版社出版的圖書。內容簡介 《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術的專著。本書全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術的各個方面及其發展歷程,內容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統、極紫外掩模板、極紫外光刻膠、極紫外計算光刻等方面,而且還介紹了極紫外光刻生態系統的...
《光學光刻和極紫外光刻》是2022年上海科學技術出版社出版的圖書。內容簡介 《光學光刻和極紫外光刻》是一本Z新的光刻技術專著,內容涉及該領域的各個重要方面。在介紹光刻技術套用上,涵蓋了全面又豐富的內容;在論述光刻技術的物理機制和數學模型時,採用了完整而不繁瑣的方法,增加了可讀性。本書在系統地闡述了...
其中,解析度是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式,光刻的解析度受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域,光源有汞燈,準分子雷射器...
在國內技術空白的條件下,創新性思維研製了建造了重頻1kHz毛細管放電極紫外光刻光源系統,獨立設計、研製了全部的各單元部件,突破了國內相關技術空白。 理論上,利用Cowan程式計算得到了Xe離子實現13.5nm輻射光輸出的關鍵原子參數,並採用碰撞-輻射模型計算得到了Xe離子態分布與氣壓和電子溫度的關係,二者結合模擬出了不...
包括砷化鎵和磷化銦。而且該設備可通過選配升級套件,實現紫外納米壓印光刻。它具有以下亮點:高解析度掩模對準光刻,特徵尺寸優於0.5微米、裝配SUSS的單視場顯微鏡或分視場顯微鏡,實現快速準確對準、針對厚膠工藝進行最佳化的高分辨光學系統、可選配通用光學器件,在不同波長間進行快速切換等。
這種方法使用的嵌層厚度約為3nm,使得極紫外掩模的表面沒有明顯突起,壓縮了陰影效應等厚掩模結構對成像的影響。但嵌層厚度過薄很難對反射光起到調製作用,也就是對極紫外光的吸收作用偏弱。極紫外相移掩模使用半透明吸收層,將更多的光子反射到成像光學系統中,增加照射到晶圓上的光子數,減少了光子的散粒噪聲,...
在極紫外光刻中,反射鏡表面粗糙度引起的散射光被稱為極紫外雜散光。雜散光的大小與波長的平方成反比,波長越短,flare數值越大。EUV雜散光的存在,增加了背景強度,該背景強度源自表面特徵的散射,這些特徵未被光解析,並對光刻性能產生一定的影響。在EUV系統中,雜散光可以是EUV光源,也可以是EUV光源產生的帶外(...
《雷射電漿極紫外光刻光源》是2018年國防工業出版社出版的圖書,作者是竇銀萍、宋曉偉、陶海岩。內容簡介 本書首先介紹了用於光刻的雷射電漿極紫外光源的國內外發展現狀,並系統地闡述了雷射電漿光源的相關理論。其次介紹了用於6.7nm光源探測的平像場光柵光譜儀的設計、搭建及標定。最後,詳細介紹了工作波長6...
在極紫外光刻中,由於極紫外光幾乎對所有的物質均不透明,因此包括掩模在內的所有光學元件必須採用反射式的結構。不同於深紫外光刻(DUV)系統,為避免入射和出射光相互干涉,照明系統出射的光必須傾斜地照射到掩模上,並反射入物鏡系統中,且隨著曝光特徵尺寸的減小,物鏡系統數值孔徑NA的增大,該傾角越來越大。常規...