變形光刻系統

變形光刻系統是在高數值孔徑（high NA）極紫外光刻（EUVL）中，為了減小陰影效應（shadowing effect）和提高產能，光刻系統採用在x方向放大4倍，在y方向上放大8倍，該系統稱為變形光刻系統。

基本介紹

• 中文名：變形光刻系統
• 外文名：anamorphic lithography optics

在高數值孔徑極紫外光刻中，當數值孔徑高於某一值時，入射光錐和反射光錐會發生重疊現象，為了避免該現象，可通過增大主光線入射角（CRAO）使得入射光錐與反射光錐分離，但是增大CRAO會使陰影效應更嚴重，且會使水平線條有著很差的對比度。在x，y方向上同時增加放大倍數到8倍（magnification）會減小陰影效應和避免光錐重疊現象，但是會減小產能。綜上，為了提高高數值孔徑EUV光刻成像性能，提出了一種在x方向上放大倍數為4，在y方向上放大倍數為8的系統，稱為變形光刻系統，如圖1所示。