極紫外光刻機曝光系統主要由反射鏡構成的照明光學系統(illumination optics)和投影光學系統(projection optics)組成。
基本介紹
- 中文名:極紫外光刻機曝光系統
- 外文名:Exposure System of Extreme Ultraviolet Scanner
極紫外光刻機曝光系統主要由反射鏡構成的照明光學系統(illumination optics)和投影光學系統(projection optics)組成。
極紫外光刻機曝光系統主要由反射鏡構成的照明光學系統(illumination optics)和投影光學系統(projection optics)組成。 ...
紫外曝光機,也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等,是印刷線路板(PCB)製作工藝中的重要設備。一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光...
極紫外線光刻機是晶片生產工具,是生產大規模積體電路的核心設備,對晶片工藝有著決定性的影響。小於5納米的晶片晶圓,只能用EUV光刻機生產。2018年4月,中芯國際向...
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極紫外光刻膠是指在極紫外光刻技術中所套用的光刻膠。...... 極紫外光刻膠是指在極紫外光刻技術中所套用的...也就是說,極紫外光刻機曝光是的功率必須增大一...
▪ 硬烘 2 準分子光刻技術 3 極紫外光刻技術 4 電子束光刻技術 光...EUV系統主要由四部分組成,即反射式投影曝光系統、反射式光刻掩模版、極紫外光源...
半導體光刻技術分子雷射曝光 編輯 改善了折反射光學系統的性能波長為157nm的F2準...EUVLLC)和在加州的三個國家實驗室參加,共同研發波長為13nm的極紫外(EUV)光刻...
極紫外干涉儀的基本原理是:兩個極紫外光束對稱的照在有周期圖形的掩模版上,衍射光相互干涉,在晶圓表面形成周期性條紋,對光刻膠曝光。 [1] ...
中文名 極紫外空間像顯微鏡 外文名 EUV Microscope 極紫外空間像顯微鏡的光學系統與光刻機類似,只是其曝光的像投影在一個CCD相機上,而不是在晶圓上。AIMS可以...
在極紫外光刻及輻射計量等領域有著重要套用價值和...光源輸出端的中間焦點位置,以做為掃描式光刻機曝光...22/20nm節點上已經基於193nm液浸式光刻系統的雙重...
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