紫外光刻機是一種用於數學領域的分析儀器，於2012年7月1日啟用。
紫外光刻機是一種用於數學領域的分析儀器，於2012年7月1日啟用。技術指標特徵尺寸優於0.5微米。1主要功能該光刻機可廣泛用於MEMS和光電子，例如LED生產。它經過特殊設計，方便處理各種非標準基片、例如混合、高頻元件和...
根據光源的不同，可分為紫外光源（UV）、深紫外光源(DUV)、極紫外光源（EUV），光源的波長影響光刻機的工藝。極紫外光刻機，選取了新的方案來進一步提供更短波長的光源。目前主要採用的辦法是將準分子雷射照射在錫滴液發生器上，激發...
紫外光刻機及控制軟體是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年1月9日啟用。技術指標 1.曝光類型：單面；2.曝光面積：≥φ115mm；3.曝光不均勻性：≤±2.9%；4.曝光強度：≥20mw/cm2，365nm波長純淨，照明面溫度＜35℃...
極紫外線光刻機(Extreme Ultra-violet),又通常被稱為EUV光刻機,它以波長為10~14納米的極紫外光作為光源的光刻技術,該設備當前可被套用於14納米及以下的先進制程晶片的製造。 [3] 極紫外線光刻機是晶片生產工具,是生產大規模集成電...
極紫外光刻機曝光系統主要由反射鏡構成的照明光學系統（illumination optics）和投影光學系統（projection optics）組成。 極紫外光刻機曝光系統如圖1所示，圖中分別畫出了極紫外(EUV)光源、光照光學系統、投影光學系統等。光源發出的13.5nm...
極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的下一代光刻技術，其波長為13.5納米，預計將於2020年得到廣泛套用。幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有很強的吸收，因此，EUV光刻...
紫外曝光光刻機 紫外曝光光刻機是一種用於物理學領域的儀器，於2013年12月1日啟用。技術指標 光刻樣品大小範圍：最大可達6英寸的晶圓片。主要功能 器件製備工藝刻蝕。
紫外曝光機，也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是印刷線路板（PCB）製作工藝中的重要設備。一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。其主要性能指標...
紫外光刻機系統 紫外光刻機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月07日啟用。技術指標 URE200S-A|| ||曝光面積：150*150mm，解析度：0.8微米。主要功能 用於圖形化。
單面紫外光刻機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年03月02日啟用。技術指標 3-5mm樣品台，20×物鏡，雙視場分離，解析度0.8μm，套外精度優於±0.5μm，365nm波長不低於40mW/cm2，光...
早在80年代，極紫外光刻技術就已經開始理論的研究和初步的實 驗，該技術 的光源是波 長 為11～14 nm的極端遠紫外光，其原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術解析度的目的。由於所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收...
(1) 掌握紫外高速雷射直寫光刻機的基本工作原理和直寫操作方法。(2)熟練掌握紫外高速雷射直寫光刻工藝的全過程。(3) 掌握無掩膜光刻實驗過程中的安全事項和關鍵參數設定，為真實的光刻實驗提供最佳化的參數，指導實際的實驗操作，實現虛實...
極紫外曝光 歐洲和日本諸公司正在研究 1997年由Intel、AMD、Micron、Motorola、SVGL、USAL、ASML組成極紫外有限公司（EUVLLC）和在加州的三個國家實驗室參加，共同研發波長為13nm的極紫外（EUV）光刻機樣機，今年4月在加州Livermore的...
2023年12月22日，據外媒報導稱，荷蘭阿斯麥公司將優先向美國英特爾公司交付其新型高數值孔徑的極紫外光刻機。2024年2月，新型光刻機已經首次將光線投射到晶圓之上，完成了基本功能驗證，公司下一步將繼續測試和調整系統，以發揮出設備的...
軸密封圈、伺服器、馬達、真空閥（除特種設備）、軸承、PLC程控器、旋轉塗膜儀、熱板、旋轉顯影儀、真空鍍膜機、真空濺射儀、真空乾法刻蝕機、高真空儀、真空泵、膜厚檢測儀、真空側漏儀、鍍率儀、真空設備套件、電鍍儀、紫外光刻機...
