單面紫外光刻機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年03月02日啟用。
基本介紹
- 中文名:單面紫外光刻機
- 產地:德國
- 學科領域:信息科學與系統科學、物理學、材料科學
- 啟用日期:2011年03月02日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
單面紫外光刻機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年03月02日啟用。
單面紫外光刻機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年03月02日啟用。技術指標3-5mm樣品台,20×物鏡,雙視場分離,解析度0.8μm,套外精度優於±0.5μm,365nm波長不...
紫外光刻機是一種用於數學領域的分析儀器,於2012年7月1日啟用。技術指標 特徵尺寸優於0.5微米。主要功能 該光刻機可廣泛用於MEMS和光電子,例如LED生產。它經過特殊設計,方便處理各種非標準基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族...
根據光源的不同,可分為紫外光源(UV)、深紫外光源(DUV)、極紫外光源(EUV),光源的波長影響光刻機的工藝。極紫外光刻機,選取了新的方案來進一步提供更短波長的光源。目前主要採用的辦法是將準分子雷射照射在錫滴液發生器上,激發...
紫外曝光光刻機 紫外曝光光刻機是一種用於物理學領域的儀器,於2013年12月1日啟用。技術指標 光刻樣品大小範圍:最大可達6英寸的晶圓片。主要功能 器件製備工藝刻蝕。
紫外曝光機,也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等,是印刷線路板(PCB)製作工藝中的重要設備。一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。其主要性能指標...
極紫外線光刻機(Extreme Ultra-violet),又通常被稱為EUV光刻機,它以波長為10~14納米的極紫外光作為光源的光刻技術,該設備當前可被套用於14納米及以下的先進制程晶片的製造。極紫外線光刻機是晶片生產工具,是生產大規模積體電路...
極紫外曝光 歐洲和日本諸公司正在研究 1997年由Intel、AMD、Micron、Motorola、SVGL、USAL、ASML組成極紫外有限公司(EUVLLC)和在加州的三個國家實驗室參加,共同研發波長為13nm的極紫外(EUV)光刻機樣機,今年4月在加州Livermore的...
(1) 掌握紫外高速雷射直寫光刻機的基本工作原理和直寫操作方法。(2)熟練掌握紫外高速雷射直寫光刻工藝的全過程。(3) 掌握無掩膜光刻實驗過程中的安全事項和關鍵參數設定,為真實的光刻實驗提供最佳化的參數,指導實際的實驗操作,實現虛實...
2023年12月22日,據外媒報導稱,荷蘭阿斯麥公司將優先向美國英特爾公司交付其新型高數值孔徑的極紫外光刻機。2024年2月,新型光刻機已經首次將光線投射到晶圓之上,完成了基本功能驗證,公司下一步將繼續測試和調整系統,以發揮出設備的...
軸密封圈、伺服器、馬達、真空閥(除特種設備)、軸承、PLC程控器、旋轉塗膜儀、熱板、旋轉顯影儀、真空鍍膜機、真空濺射儀、真空乾法刻蝕機、高真空儀、真空泵、膜厚檢測儀、真空側漏儀、鍍率儀、真空設備套件、電鍍儀、紫外光刻機...