紫外曝光光刻機是一種用於物理學領域的儀器,於2013年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:紫外曝光光刻機
- 產地:韓國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2013年12月1日
紫外曝光光刻機是一種用於物理學領域的儀器,於2013年12月1日啟用。
紫外曝光光刻機 紫外曝光光刻機是一種用於物理學領域的儀器,於2013年12月1日啟用。技術指標 光刻樣品大小範圍:最大可達6英寸的晶圓片。主要功能 器件製備工藝刻蝕。
紫外光刻機是一種用於數學領域的分析儀器,於2012年7月1日啟用。技術指標 特徵尺寸優於0.5微米。主要功能 該光刻機可廣泛用於MEMS和光電子,例如LED生產。它經過特殊設計,方便處理各種非標準基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族...
2023年12月22日報導稱,荷蘭阿斯麥公司將優先向美國英特爾公司交付其新型高數值孔徑的極紫外光刻機。主要功能 光刻機(又稱曝光機)是生產大規模積體電路的核心設備,製造和維護需要高度的光學和電子工業基礎,世界上只有少數廠家掌握。光...
一個曝光區域就是一個“shot”。因為它是通過透鏡系統投影,一般使用365nm紫外光時使用的是5倍版,即掩膜版上圖形尺寸是實際光刻膠上的尺寸的5倍,所以在掩膜板上可以設計更複雜的圖形,但是增加了稜鏡系統的製作難度。 3c.掃描步進...
極紫外光刻機曝光系統主要由反射鏡構成的照明光學系統(illumination optics)和投影光學系統(projection optics)組成。 極紫外光刻機曝光系統如圖1所示,圖中分別畫出了極紫外(EUV)光源、光照光學系統、投影光學系統等。光源發出的13.5nm...
ABM高性能紫外光刻機是一種用於材料科學領域的計算機及其配套設備,於2014年4月10日啟用。技術指標 350瓦近紫外6”光源,設有2頻道光強或功率恆定控制裝置。提供可支持6”晶圓曝光的均勻光源。主要功能 通過開啟紫外光線,將膠片或掩模板...
極紫外光刻的實際套用比原先估計的將近晚了10多年。基本介紹 EUV光刻採用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特徵尺寸。根據瑞利公式(解析度=k₁·λ/NA),這么...
紫外光刻機系統 紫外光刻機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月07日啟用。技術指標 URE200S-A|| ||曝光面積:150*150mm,解析度:0.8微米。主要功能 用於圖形化。
極紫外曝光 歐洲和日本諸公司正在研究 1997年由Intel、AMD、Micron、Motorola、SVGL、USAL、ASML組成極紫外有限公司(EUVLLC)和在加州的三個國家實驗室參加,共同研發波長為13nm的極紫外(EUV)光刻機樣機,今年4月在加州Livermore的...
早在80年代,極紫外光刻技術就已經開始理論的研究和初步的實 驗,該技術 的光源是波 長 為11~14 nm的極端遠紫外光,其原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術解析度的目的。由於所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收...
在I線光刻膠曝光中會生成羧酸,TMAH顯影液中的鹼與酸中和使曝光的光刻膠溶解於顯影液,而未曝光的光刻膠沒有影響;在化學放大光刻膠(CAR,Chemical Amplified Resist)中包含的酚醛樹脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產生的酸會去除PHS中...
一旦最佳聚焦和對準獲得後,快門就被打開,使紫外光通過照明系統到投影掩模版,再通過投影透鏡最後到帶膠的矽片上。所有聚焦矽片對準和曝光操作都由步進光刻機來完成。當一個圖形曝光完後,步進光刻機會步進到矽片的下一個位置並重複對準...
1.3光刻機技術的發展 5 1.3.1光刻機曝光方式的演變 5 1.3.2光刻解析度的提升 7 1.4光刻機整機關鍵技術 8 1.4.1光刻機基本結構 8 1.4.2光刻機主要性能指標 14 1.4.3光刻機的技術挑戰 15 1.5光刻機的成像質量與...
同時,基於傳統TWINSCAN平台的雙重曝光等新興技術,也在進一步成熟和研發過程當中。2007年末三星(Samsung)宣布成功生產的36納米快閃記憶體,基於的便是雙重曝光技術。市場份額 市場上提供量產商用的光刻機廠商有三家:ASML、 尼康(Nikon)和佳能(...
而作為光刻機關鍵系統的矽片超精密運動定位系統(以下簡稱為矽片台)的運動精度和工作效率,又在很大程度上決定了光刻機的解析度和曝光效率。步進掃描投影光刻機基本原理如圖1所示。來自光源45的深紫外光透過掩模版47、透鏡系統49將掩模版...
具有高度激發物質的等離子前導波在二氧化碳雷射脈衝與液態錫滴作用的區域輻射出13.5nm光子超紫外線。專為13.5nm波長所設計的多層鍍膜反射鏡集光器收集背向輻射光源,並將光源導向位於光源輸出端的中間焦點位置,以做為掃描式光刻機曝光...