紫外光刻機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月07日啟用。
基本介紹
- 中文名:紫外光刻機系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2013年11月07日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
紫外光刻機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月07日啟用。
紫外光刻機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月07日啟用。技術指標URE200S-A|| ||曝光面積:150*150mm,解析度:0.8微米。1主要功能用於圖形化。1...
極紫外光刻機曝光系統主要由反射鏡構成的照明光學系統(illumination optics)和投影光學系統(projection optics)組成。 極紫外光刻機曝光系統如圖1所示,圖中分別畫出了極紫外(EUV)光源、光照光學系統、投影光學系統等。光源發出的13.5nm...
紫外光刻機是一種用於數學領域的分析儀器,於2012年7月1日啟用。技術指標 特徵尺寸優於0.5微米。主要功能 該光刻機可廣泛用於MEMS和光電子,例如LED生產。它經過特殊設計,方便處理各種非標準基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族...
極紫外線光刻機(Extreme Ultra-violet),又通常被稱為EUV光刻機,它以波長為10~14納米的極紫外光作為光源的光刻技術,該設備當前可被套用於14納米及以下的先進制程晶片的製造。極紫外線光刻機是晶片生產工具,是生產大規模積體電路...
因為它是通過透鏡系統投影,一般使用365nm紫外光時使用的是5倍版,即掩膜版上圖形尺寸是實際光刻膠上的尺寸的5倍,所以在掩膜板上可以設計更複雜的圖形,但是增加了稜鏡系統的製作難度。 3c.掃描步進投影光刻(Scanning-Stepping Project ...
紫外曝光機,也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等,是印刷線路板(PCB)製作工藝中的重要設備。一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。其主要性能指標...
紫外曝光光刻機 紫外曝光光刻機是一種用於物理學領域的儀器,於2013年12月1日啟用。技術指標 光刻樣品大小範圍:最大可達6英寸的晶圓片。主要功能 器件製備工藝刻蝕。
紫外高速雷射直寫光刻系統虛擬仿真實驗項目是浙江科技學院建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 對紫外高速雷射直寫光刻系統I藝進行虛擬仿真實驗,作為真實實驗的有效補充,旨在培養學生接觸現代工業界先進光刻工藝,增進其對器件工藝原理...
2023年12月22日,據外媒報導稱,荷蘭阿斯麥公司將優先向美國英特爾公司交付其新型高數值孔徑的極紫外光刻機。2024年2月,新型光刻機已經首次將光線投射到晶圓之上,完成了基本功能驗證,公司下一步將繼續測試和調整系統,以發揮出設備的...
微電子材料與器件研究所科研主要設備包括:電子束曝光系統、紫外光刻機、MOCVD系統、PLD系統、電子束蒸發台、反應離子刻蝕、磁控濺射以及半導體材料與器件光電特性表征等設備。山東大學微電子材料與器件研究所在強有力的硬體條件支撐下,微...
其中材料製備設備方面有:四靶磁控濺射系統、準分子脈衝雷射外延生長系統、原子層沉積薄膜生長系統、電漿增強化學氣相沉積系統、電子束蒸發薄膜沉積系統和真空氣氛條件下薄膜快速熱處理系統;器件研製方面有:紫外光刻機和反應離子刻蝕系統;...