《極紫外光刻》是2022年上海科學技術出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名:極紫外光刻
- 作者:[美]哈利·傑·萊文森
- 出版時間:2022年9月1日
- 出版社:上海科學技術出版社
- ISBN:9787547857212
《極紫外光刻》是2022年上海科學技術出版社出版的圖書。
極紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為採用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然後放射...
極紫外線光刻 極紫外線光刻(extreme ultraviolet lithography,EUV lithography)是2014年公布的專業新詞名詞。公布時間 2014年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《科技新詞(第一批·KX1/2014/204)》
極紫外線光刻機(Extreme Ultra-violet),又通常被稱為EUV光刻機,它以波長為10~14納米的極紫外光作為光源的光刻技術,該設備當前可被套用於14納米及以下的先進制程晶片的製造。 [3] 極紫外線光刻機是晶片生產工具,是生產大規模集成電...
極端紫外線輻射的主要用途是光電子能譜、太陽成像和光刻。在空氣中,EUV是電磁光譜中吸收率最高的成分,需要高真空度才能傳輸。很多物理和化學過程在本質上都是原子和分子過程,比如臭氧層空洞的形成涉及到大氣上層臭氧分子(O₃)的淬滅...
極紫外光刻膠是指在極紫外光刻技術中所套用的光刻膠。極紫外光刻用於量產,必須滿足以下幾個條件:首先是產能,2015年極紫外管個科技的產能只有80片/每小時,這一性能必須提高至至少兩倍才能達到量產要求。也就是說,極紫外光刻機曝光...
極紫外光刻機曝光系統主要由反射鏡構成的照明光學系統(illumination optics)和投影光學系統(projection optics)組成。 極紫外光刻機曝光系統如圖1所示,圖中分別畫出了極紫外(EUV)光源、光照光學系統、投影光學系統等。光源發出的13.5nm...
《極紫外光刻》是2022年上海科學技術出版社出版的圖書。內容簡介 《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術的專著。本書全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術的各個方面及其發展歷程,內容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統、極紫外掩...
極紫外光學鄰近效應修正是套用於極紫外光刻中的光學鄰近效應修正技術。與
極紫外光刻膠性能主要用三個參數來表示:解析度(resolution)、圖形邊緣粗糙度(LER)與敏感度(photo-speed)。對極紫外光刻膠性能這些參數的要求是和技術節點相對應的。雖然極紫外沒有被用於14nm邏輯節點的量產中,但光刻界的共識是,...
浸沒式光刻機將朝著更高數值孔徑發展,以滿足更小光刻線寬的要求。極紫外光刻技術 提高光刻技術解析度的傳統方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長,通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。早在80年代,極紫外光刻技術就已經...
浸沒式光刻機將朝著更高數值孔徑發展,以滿足更小光刻線寬的要求。極紫外光刻技術 提高光刻技術解析度的傳統方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長,通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。早在80年代,極紫外光刻技術就已經...
《放電電漿極紫外光刻光源關鍵物理及技術問題研究》是依託哈爾濱工業大學,由王騏擔任項目負責人的重點項目。項目摘要 Z箍縮放電電漿極紫外(EUV)光源,巧妙地將慣性約束核聚變中獲得高溫、高密度電漿的Z箍縮技術移植到小尺寸放電...
《雷射電漿極紫外光刻光源》是2018年國防工業出版社出版的圖書,作者是竇銀萍、宋曉偉、陶海岩。內容簡介 本書首先介紹了用於光刻的雷射電漿極紫外光源的國內外發展現狀,並系統地闡述了雷射電漿光源的相關理論。其次介紹了用於6...
極紫外套刻誤差是指極紫外光刻技術中的套刻誤差大小。簡介 極紫外套刻誤差通常是指EUV和193浸沒式的混合套刻誤差(MMO)。當極紫外光刻套用到積體電路製造工藝中,其必須和193浸沒式混合使用,即關鍵層使用EUV技術進行曝光,其他光刻層仍...
《光學光刻和極紫外光刻》是2022年上海科學技術出版社出版的圖書。內容簡介 《光學光刻和極紫外光刻》是一本Z新的光刻技術專著,內容涉及該領域的各個重要方面。在介紹光刻技術套用上,涵蓋了全面又豐富的內容;在論述光刻技術的物理機制...
《極紫外光刻掩模缺陷計算補償方法》是依託中國科學院上海光學精密機械研究所,由王向朝擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 光刻是積體電路製造的核心工藝,光刻解析度的不斷提高推動著積體電路向著更小線寬尺寸發展。極紫外光刻被認為是最具...
極紫外相移掩模是光刻技術術語,指套用於極紫外光刻技術中的相移掩模。其基本原理是調節掩模上吸收層的光學參數(n、k、 d),使得吸收層具有一定的反射率。吸收層處反射光電場矢量與相鄰區域反射光矢量的相位差是180°,圖形邊緣區域發生...
極紫外掩模缺陷是指在極紫外光刻技術中使用的掩模版上存在的缺陷總稱,比如襯底缺陷、基板缺陷等。極紫外掩模上的缺陷對光刻工藝的良率產生影響。掩模基板上的缺陷主要有三個來源,一是源自於襯底上的缺陷殘留(占總數25%);二是在多層...
毛細管放電三束電漿極紫外光刻光源研究裝置是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2014年1月1日啟用。技術指標 毛細管放電三束電漿單束放電電流峰值大約20kA,電流上升沿大約150ns,所加電壓大約30kV。主要功能 用於極紫外光刻...
幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有較強的吸收,因此極紫外光刻的掩模是反射式的。掩模表面反射的光包含有掩模上的圖形信息,實現曝光。EUV掩模是反射式的,其結構如圖1所示。襯底是6.35mm厚的低熱膨脹係數材料(low ...
在極紫外光刻中,由於入射主光線與光軸不平行,使得成像系統主光線與物面或像面不垂直,稱為非遠心。在極紫外(EUV)光刻中,採用離軸照明,入射主光線通常為6度入射角,導致主光線與光軸不平行,產生了非遠心效應。非遠心會引起晶圓...
在極紫外光刻進行曝光時,光源中的非13.5nm波長的成分,稱為帶外輻射。導致極紫外光刻膠圖形解析度不夠和邊緣粗糙度較高的一個很重要的原因是曝光時光源中的非13.5nm波長的成分,又稱帶外(out of band,OOB)輻射。而且OOB輻射...
在EUV光刻中,6°的斜入射光線會被吸收層的邊緣遮擋而達不到底部的反射層上,產生掩模陰影效應(mask shadowing effect),如圖1所示。掩模陰影效應會導致CD的偏差和圖形的平移。在極紫外光刻中,由於極紫外光幾乎對所有的物質均不透明,...
王魁波,男,中國科學院大學專任教師。研究方向 極紫外光刻環控技術 極紫外光刻技術 科研成果 專利成果 ( 1 ) 極紫外光刻機物料傳遞及污染控制系統、方法, 2021, 第 1 作者, 專利號: 202110426520.9 ( 2 ) 動態氣體鎖的測試...
——極紫外光刻系統。極紫外光刻系統以波長13.5納米的極紫外光為光源,可實現將晶片製程最小工藝節點推進至7納米、5納米甚至3納米。2019年,荷蘭阿斯麥公司成功推出新一代極紫外光刻系統,代表了當今最先進的第五代光刻系統,可望將摩爾...