極紫外光學鄰近效應修正

極紫外光學鄰近效應修正是套用於極紫外光刻中的光學鄰近效應修正技術。

基本介紹

• 中文名：極紫外光學鄰近效應修正
• 外文名：EUV OPC

與深紫外（DUV）成像模型相比，極紫外（EUV）模型必須添加陰影模型和雜散光效應模型。考慮到這些因素，業界提出了極紫外光學鄰近效應修正模型應該包括的內容，如下表所示：

	簡單模型	複雜模型	所期望的模型
掩模3D效應	H-V Bias是常數	最簡單的掩模3D模型+H-V Bias修正	精確快速的掩模3D模型
曝光縫隙位置效應	掩模上線寬的偏置值是slit位置的函式	掩模上線寬的偏置值是slit位置的函式	偏置值是slit位置的複雜函式
像差	不考慮	只考慮典型像差	複雜的像差修正
掩模製備工藝	線寬修正值是常數+corner rounding修正	複雜的掩模工藝修正	基於模型的修正
光刻膠模型	與DUV光刻膠類似的模型	兼顧速度與準確度的光刻膠模型	考慮到EUV隨機效應的光刻膠模型
雜散光	基於圖形密度的雜散光分布圖	雜散光與圖形密度的模型	——
錨定圖形	用密集圖形來錨定曝光能量	——	錨定曝光能量和聚焦是兼顧到CDU
Chip在掩模上的放置	用一個平均flare來修正	複雜的flare模型+像差修正	——