極紫外光刻掩模缺陷計算補償方法

《極紫外光刻掩模缺陷計算補償方法》是依託中國科學院上海光學精密機械研究所，由王向朝擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：極紫外光刻掩模缺陷計算補償方法
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：王向朝
• 依託單位：中國科學院上海光學精密機械研究所

項目摘要

光刻是積體電路製造的核心工藝，光刻解析度的不斷提高推動著積體電路向著更小線寬尺寸發展。極紫外光刻被認為是最具前景的下一代光刻技術，有望成為10nm以下節點積體電路製造的主流光刻技術。掩模缺陷是目前阻礙極紫外光刻實現量產的兩大主要問題之一。掩模缺陷中的相位型缺陷因為深埋於掩模多層膜之中，尚無法利用標準的掩模修復技術進行修復，因此需要發展極紫外光刻掩模缺陷補償技術。本項目擬在前期工作的基礎上建立高斯形相位缺陷衍射譜快速仿真模型，獲得相位型缺陷衍射譜解析表達式，實現缺陷對光刻成像影響的解析、快速分析，弄清其物理本質，進而創新性地基於米氏散射理論研究任意形狀掩模缺陷衍射譜仿真模型。在此基礎上建立缺陷對成像質量影響評價函式，提出一種掩模缺陷計算補償方法。

結題摘要

極紫外光刻被認為是最具前景的下一代光刻技術，目前國際上已套用於7nm節點晶片製造工藝研發。掩模缺陷是阻礙極紫外光刻實現量產的主要問題之一。掩模缺陷中的相位型缺陷因為深埋於掩模多層膜之中，尚無法利用標準的掩模修復技術進行修復，因此需要發展極紫外光刻掩模缺陷補償技術。項目組在前期工作的基礎上建立高斯形相位缺陷衍射譜快速仿真模型，獲得了相位型缺陷衍射譜解析表達式，實現了缺陷對光刻成像影響的解析、快速分析，創新性地基於米氏散射理論建立了任意形狀掩模缺陷衍射譜仿真模型。在此基礎上研究了主流的缺陷補償技術，提出三種掩模缺陷計算補償方法。為極紫外光刻切入量產提供了重要的掩模缺陷問題解決方案。本項目在光刻領域國際一流學術期刊《J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS》《Journal of Vacuum Science & Technology B》等刊物與國內光學領域EI全刊收錄學術期刊《光學學報》上發表SCI/EI期刊學術論文7篇；發表第十七屆全國光學測試學術交流會議論文1篇、作分會場口頭學術報告1次；項目負責人作國際會議口頭學術報告1次；第十六屆全國光學測試學術交流會分會場口頭學術報告1次、獲優秀論文獎1項。本項目申請發明專利4項，均已授權，其中1項已轉讓給深圳晶源信息技術有限公司。項目共培養博士研究生3人，碩士研究生1人，其中已畢業博士研究生1人、碩士研究生1人。