極紫外光刻膠

極紫外光刻膠是指在極紫外光刻技術中所套用的光刻膠。

基本介紹

• 中文名：極紫外光刻膠
• 外文名：EUV Photo resist

極紫外光刻用於量產，必須滿足以下幾個條件：

首先是產能，2015年極紫外管個科技的產能只有80片/每小時，這一性能必須提高至至少兩倍才能達到量產要求。也就是說，極紫外光刻機曝光是的功率必須增大一倍。

其次，掩模上的缺陷密度必須降低到使用要求，這些缺陷主要來源於空白掩模基板和掩模版使用時的外來顆粒。

第三，光刻膠必須滿足解析度、圖形邊緣粗糙度以及敏感度的要求，總結如下表：

		目前狀態	14nm量產要求
極紫外光刻膠	解析度	26nm 1：1線條，DOF>250nm; 28nm通孔，DOF>150nm	28nm 1：1線條，DOF>150nm; 30nm通孔，DOF>150nm
	敏感度	26nm 1：1線條，12mJ/cm2	<20mJ/cm2
	邊緣粗糙度（LER 3）	32nm 1：1線條，2.5nm; 曝光能量15mJ/cm2	1.1nm