基本介紹
- 中文名:極紫外光刻散粒噪聲
- 外文名:Extreme Ultraviolet lithography(EUVL) shot noise
散粒噪聲導致曝光能量的相對起伏是1⁄√N,即入射的光子數越少,對應曝光能量的起伏越明顯。由於EUV光子的能量遠高於193nm的光子,散粒噪聲導致的曝光能量起伏在極紫外光刻(EUVL)中必須考慮。
對於極紫外光刻來說,光子散粒噪聲對局部線寬均勻性(LCDU)的影響是一個非常嚴重的問題。隨著線寬的不斷縮小,局域的曝光能量會很小,光子數起伏導致的曝光能量起伏就非常明顯。