極紫外相移掩模

極紫外相移掩模是指套用於極紫外光刻技術中的相移掩模。其基本原理是調節掩模上吸收層的光學參數（n、k、 d）,使得吸收層具有一定的反射率。吸收層處反射光電場矢量與相鄰區域反射光矢量的相位差是180°，圖形邊緣區域發生相消干涉，使得解析度增強。

基本介紹

• 中文名：極紫外相移掩模
• 外文名：EUV Phase Shift Mask

極紫外相移掩模對相位的調製作用是通過控制吸收層折射率和厚度來實現的。

極紫外光通過吸收層是一個光線入射、折射、吸收和反射的過程（round trip reflection）。吸收層的厚度以及折射率對相移值起到決定作用。

不同類型的極紫外相移掩模對相位調節的具體方式又有所區分。

極紫外相移掩模主要有三種結構（衰減式）：第一種是標準結構，吸收層使用多層半透明材料。與原吸收層相比，反射率由0變為5%~20%左右，反射光較非吸收層區域產生了180°的相移。第二種是對Mo/Si多層膜進行選擇性刻蝕，並在刻蝕的區域填充一層半透明材料作為吸收層，調整刻蝕深度和吸收層厚度，使得吸收層區域的極紫外光與周圍多層膜結構區域的極紫外光形成180°相差。第三種是鑲嵌式的相移掩模，其在多層膜結構中嵌入一個四分之一波長的相移層，將該區域的多層膜結構分為上下兩部分。這種結構使得嵌層的反射光與無嵌層的多層膜結構上的反射光形成180°的相位差，進而形成相消干涉。這種方法使用的嵌層厚度約為3nm，使得極紫外掩模的表面沒有明顯突起，壓縮了陰影效應等厚掩模結構對成像的影響。但嵌層厚度過薄很難對反射光起到調製作用，也就是對極紫外光的吸收作用偏弱。

極紫外相移掩模使用半透明吸收層，將更多的光子反射到成像光學系統中，增加照射到晶圓上的光子數，減少了光子的散粒噪聲，改善圖形的關鍵尺寸均勻性和邊緣粗糙度。