基本介紹
- 中文名:極紫外雜散光
- 外文名:EUV flare
在極紫外光刻中,反射鏡表面粗糙度引起的散射光被稱為極紫外雜散光。雜散光的大小與波長的平方成反比,波長越短,flare數值越大。EUV雜散光的存在,增加了背景強度,該背景強度源自表面特徵的散射,這些特徵未被光解析,並對光刻...
極紫外成像模型應該包括掩模三維效應模型、曝光縫隙位置效應、像差、光刻膠模型、雜散光模型等。與深紫外成像相比,極紫外成像模型必須添加陰影效應及雜散光效應模型。對於簡化了的陰影效應來說,其中最主要的部分是仿真垂直與水平線條的偏差現象。此外,EUV波長過短會造成嚴重的雜散光效應,需要通過合理的建模進行仿真。
極紫外光學鄰近效應修正 極紫外光學鄰近效應修正是套用於極紫外光刻中的光學鄰近效應修正技術。與深紫外(DUV)成像模型相比,極紫外(EUV)模型必須添加陰影模型和雜散光效應模型。考慮到這些因素,業界提出了極紫外光學鄰近效應修正模型應該包括的內容,如下表所示:
極紫外光學鄰近效應模型分為簡單模型(single model)、複雜模型(advanced model)、所期望模型(desired model)。簡單模型包括:陰影效應(shadowing effect)修正,即水平與垂直圖形之間要加一個偏置值(H-V mask bias),這個偏置值的大小與其相對於曝光掃描狹縫的位置有關;對掩模上所有圖形添加偏置,對所有圖形拐角...
《光學光刻和極紫外光刻》是2022年上海科學技術出版社出版的圖書。內容簡介 《光學光刻和極紫外光刻》是一本Z新的光刻技術專著,內容涉及該領域的各個重要方面。在介紹光刻技術套用上,涵蓋了全面又豐富的內容;在論述光刻技術的物理機制和數學模型時,採用了完整而不繁瑣的方法,增加了可讀性。本書在系統地闡述了...
《半導體先進光刻理論與技術》是2023年8月化學工業出版社出版的圖書,作者是安德里亞斯·愛德曼。《半導體先進光刻理論與技術》是半導體先進光刻領域的綜合性著作,涵蓋當前主流光學光刻、先進極紫外光刻和下一代光刻技術。本書適用於從事光刻技術研究與套用的科研及工程技術人員,可作高等院校、科研院所相關領域科研人員...
本書詳細介紹了半導體晶片製造中的核心技術———光刻技術。主要內容包括驅動光學光刻的基本方程和參數的相關知識、曝光系統和成像基礎理論、光刻系統組件、工藝和最佳化技術等;深入分析了光刻技術的發展前景,詳述了浸沒式光刻與極紫外(EUV)光刻。本書(第二版)特別融合了作者在研究、教學以及世界級大批量製造方面的獨特...
上述太陽大氣活動的可見光、射電波段監測主要在地面進行。天基遙感監測主要集中在遠紫外、極紫外、X射線波段,為避免地球大氣雜散光影響,也安排天基太陽日冕的可見光監測。現場監測主要針對太陽拋射的各種帶電粒子、太陽風電漿,以及行星際磁場等的監測。2、空間環境狀態及其變化監測 空間環境這裡主要指人類活動最多的...
上述太陽大氣活動的可見光、射電波段監測主要在地面進行。天基遙感監測主要集中在遠紫外、極紫外、X射線波段,為避免地球大氣雜散光影響,也安排天基太陽日冕的可見光監測。現場監測主要針對太陽拋射的各種帶電粒子、太陽風電漿,以及行星際磁場等的監測。(2)空間環境狀態及其變化監測 空間環境這裡主要指人類活動最多...