曝光區域

在光刻工藝中，光刻機單次實現曝光所能支持的最大區域範圍為曝光區域。

基本介紹

• 中文名：曝光區域
• 外文名：exposure field

先進步進-掃描式光刻機所能支持的最大曝光區域(exposure field)面積是 26mm×33mm，而步進式光刻機(stepper)的曝光區域只22mm×22mm。光刻工藝中，在曝光時，實際晶片可能小於這個尺寸，光刻機的曝光區域必須能夠隨之做調整。也可以把幾個不同的版圖放在同一張掩模版上，這樣一個曝光區域中就可以有幾個不同的器件設計(又稱為“die”)，最終製備成幾個不同功能的晶片，如圖1所示。

圖1 Cell、曝光區域、 die 在晶圓上的分布示意圖

與曝光區域相關的幾個概念解釋如下：

（1）格線(grid)，按照曝光區域把晶圓表面分成若干大小相同的矩形區域的格線；

（2）每一個格線內的區域被稱為一個單元(cell)；

（3）每一個 cell 里有一個曝光區域，曝光區域的面積比 cell 略小一些。每一次曝光又稱為一個“shot”。