曝光區域

曝光區域

光刻工藝中,光刻機單次實現曝光所能支持的最大區域範圍為曝光區域。

基本介紹

  • 中文名:曝光區域
  • 外文名:exposure field
先進步進-掃描式光刻機所能支持的最大曝光區域(exposure field)面積是 26mm×33mm,而步進式光刻機(stepper)的曝光區域只22mm×22mm。光刻工藝中,在曝光時,實際晶片可能小於這個尺寸,光刻機的曝光區域必須能夠隨之做調整。也可以把幾個不同的版圖放在同一張掩模版上,這樣一個曝光區域中就可以有幾個不同的器件設計(又稱為“die”),最終製備成幾個不同功能的晶片,如圖1所示。
圖1 Cell、曝光區域、 die 在晶圓上的分布示意圖圖1 Cell、曝光區域、 die 在晶圓上的分布示意圖
與曝光區域相關的幾個概念解釋如下:
(1)格線(grid),按照曝光區域把晶圓表面分成若干大小相同的矩形區域的格線;
(2)每一個格線內的區域被稱為一個單元(cell);
(3)每一個 cell 里有一個曝光區域,曝光區域的面積比 cell 略小一些。每一次曝光又稱為一個“shot”。

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