浸沒流場及納米氣泡對45納米光刻分辯率的影響

《浸沒流場及納米氣泡對45納米光刻分辯率的影響》是依託浙江大學，由傅新擔任項目負責人的重大研究計畫。

基本介紹

• 中文名：浸沒流場及納米氣泡對45納米光刻分辯率的影響
• 依託單位：浙江大學
• 項目負責人：傅新
• 項目類別：重大研究計畫

項目摘要

浸沒式光刻是光刻技術發展的趨勢和前沿，在光刻分辯率不斷逼近22納米物理極限過程中，浸沒流場及流場中納米氣泡對曝光的影響已成為制約光刻技術發展的主要障礙。主要體現在浸沒流場非接觸密封的微觀失效、流場應力對物鏡和矽片的作用、納米氣泡對曝光的影響等基礎理論問題尚未解決。為此，本項目擬以浸沒流場動力學特性、流場引起的物鏡和矽片納米形變、以及納米氣泡對光波的作用等基礎科學問題為突破口，重點開展以下工作：研究浸沒流場邊界氣液固多相界面的相互作用規律及平衡機理，發展縫隙流場分層與回流檢測新方法，為流場非接觸密封和穩定性控制提供依據；研究流場對物鏡和矽片的液固耦合作用，發展流場應力測試新方法，為物鏡和矽片的納米形變控制奠定基礎；研究納米氣泡對光波的散射和衍射作用，發展納米氣泡控制新方法，實現氣泡曝光缺陷的檢測與評價。力爭在45納米光刻的前沿基礎研究中取得開拓性進展，為我國光刻技術的原始創新奠定理論基礎。

結題摘要

本項目針對45nm浸沒式光刻機的浸沒流場穩定性及微納氣泡控制等影響浸沒曝光質量的關鍵問題，開展了浸沒流場的流動特性、流場應力對物鏡和矽片的作用、微納氣泡形成與消亡及其對浸沒曝光缺陷的影響等方面的研究。建立了掃描運動下的浸沒流場仿真模型和實驗測試系統，發現並驗證了浸沒流場中的流動分層現象；建立了浸沒流場應力分析模型和基於PVDF膜的流場應力測試系統，獲得了物鏡雙折射及軸向和平面形變引起的浸沒曝光偏差；開展了不同條件下氣泡形成的理論分析和試驗研究，提出了浸沒流場微納氣泡抑制和消融方法。在理論研究基礎上，完成了浸沒流場控制單元的研製，為光刻機浸沒系統的工程化研發奠定基礎。本項目圓滿地完成了預定的各項研究任務，達到預期的研究目標。共發表論文15篇，其中SCI檢索10篇；7項發明專利和6項實用新型專利被受理，其中2項發明專利和5項實用新型專利獲得批准；培養博士後1名、博士研究生5名、碩士研究生4名。