基本介紹
- 中文名：步進式光刻機
- 外文名：stepper
相關詞條
- 步進式光刻機
步進式光刻機是一種用於製造積體電路（IC）的裝置，其在微小的矽片表面上可以形成數百萬個微觀電路元件，是複雜工藝的重要組成部分。步進式光刻機光路示意圖如圖11，所示步進式光刻機使光穿過掩模版，從而形成掩模版圖案的圖像。圖像...
- 一種步進光刻設備及光刻曝光方法
已知的光刻設備包括步進重複式和步進掃描式。2011年之前的技術中所公開的使用縮減倍率投影物鏡的步進光刻機中，該投影物鏡的倍率為縮減的，即按1:N的比率將掩模圖案通過投影物鏡投射於基底上。2011年之前的技術中所公開的步進光刻機所...
- 光刻機
3c.掃描步進投影光刻（Scanning-Stepping Project Printing或稱作Scanner）90年代末至今，在高端的半導體製造中一般會用到此種機型，用於≤0.18 μm工藝。在曝光過程中，掩膜版在一個方向上移動，同時晶圓在與其垂直的方向上同步移動。特點...
- 投影式光刻機
先進光刻機都是步進-掃描的，簡稱“scanner”。光刻機的供應商主要有荷蘭的ASML，日本的Nikon與Canon。先進步進-掃描式光刻機所能支持的最大曝光區域面積是26mm*33mm；步進式光刻機的曝光區域只有22mm*22mm。然後，實際晶片可能小於...
- 浸沒式光刻機
光刻機的曝光頭（exposure head）必須特殊設計，以保證：（1）水隨著光刻機在晶圓表面做步進-掃描運動，沒有泄露；（2）水中沒有氣泡和顆粒。在193nm波長下，水的折射率是1.44，可以實現NA大於1。圖1是浸沒式光刻機曝光頭設計示意...
- 曝光區域
在光刻工藝中，光刻機單次實現曝光所能支持的最大區域範圍為曝光區域。先進步進-掃描式光刻機所能支持的最大曝光區域(exposure field)面積是 26mm×33mm，而步進式光刻機(stepper)的曝光區域只22mm×22mm。光刻工藝中，在曝光時，...
- 採用氣浮平面電機的矽片台雙台交換系統
該發明所述的採用氣浮平面電機的矽片台雙台交換系統，其特徵還在於：所述平面電機採用永磁平面電機、步進式平面電動機、感應式平面電動機或開關磁阻式平面電機。該發明所述的採用氣浮平面電機的矽片台雙台交換系統，其特徵還在於：所述永磁...
- 一種投影物鏡系統
《一種投影物鏡系統》涉及用於製作半導體晶片或其他微器件的步進式光刻機中的投影物鏡系統。從物面至像面依次排有：一具有正光焦度的第一透鏡組；一光焦度為負的第二透鏡組；一光焦度為正的第三透鏡組；一光焦度為負的第四透鏡組...
- 擴散長度
對於化學光刻膠而言，比較常見的有以下兩種：DNQ（酚醛樹脂）型光刻膠和CAR（化學放大型光刻膠）。它們分別套用於I-line步進式光刻機和Kr F掃描式光刻機。DNQ 型光刻膠的特性由光活性化合物（Photoactive Compounds，PAC）的含量...
- 掩模版工件台
採用掩模板工作檯，在進行曝光工藝時，能夠通過X軸移動裝置和/或Y軸移動裝置，使得需要曝光的實際圖形區域的對角線中心與光刻機鏡頭中心重合，進而避免步進式重複曝光光刻機的光學鏡頭局部受熱不均勻的問題，從而能夠改善光刻機的套準精度...
- 掩模
為了區別接觸式曝光中使用的掩模，投影式曝光中使用的掩模又被稱為倍縮式掩模（reticle）。表1對這兩種掩模的不同之處做了對比。大型積體電路光刻工藝中使用的都是步進-掃描式光刻機（scanner），以及與之相配套的倍縮式掩模。在日常...
- 控制手冊:控制系統的行業套用(第2版)上冊
11．4 步進式光刻機的匹配（工廠控制）11．5 快速熱處理 11．6 等離子蝕刻 11．7 化學機械拋光 11．8 結論 參考文獻 第12章 聚合過程控制 12．1 引言及概述 12．2 背景：聚合機制和過程 12．3 連續過程 12．4 不連續過程 1...
- 去離子水沖洗單元
去離子水沖洗單元是指把光刻膠中容易釋放到水中的化學成分沖洗掉的工藝單元。隨著193nm浸沒式光刻機的廣泛使用，浸沒式曝光工藝對勻膠顯影機提出了新的要求。浸沒式光刻是在純淨水下對光刻膠進行步進-掃描式曝光，曝光後經常會有水滴...
