電子束光刻，利用電子束在塗有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影複印圖形的光刻技術。 電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物。經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變，經過顯影和定影，獲得高解析度的抗蝕劑曝光圖形。現代的電子束光刻設備已經能夠製作小於10納米的精細線條結構，也可製作光學掩模版。
基本介紹
- 中文名：電子束光刻
- 定義：利用電子束在塗有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影複印圖形的光刻技術
電子束光刻，利用電子束在塗有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影複印圖形的光刻技術。 電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物。經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變，經過顯影和定影，獲得高解析度的抗蝕劑曝光圖形。現代的電子束光刻設備已經能夠製作小於10納米的精細線條結構，也可製作光學掩模版。
電子束光刻，利用電子束在塗有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影複印圖形的光刻技術。 電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物。經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變，經過顯影和定影，獲得高解析度的抗蝕劑曝光圖形。現代的電子束光刻設備已經能夠製作小於10納米...
電子束曝光（electron beam lithography）指使用電子束在表面上製造圖樣的工藝，是光刻技術的延伸套用。光刻技術的精度受到光子在波長尺度上的散射影響。使用的光波長越短，光刻能夠達到的精度越高。根據德布羅意的物質波理論，電子是一種波長極短的波。這樣，電子束曝光的精度可以達到納米量級，從而為製作納米線提供了...
電子束光刻基本上分兩大類，一類是大生產光掩模版製造的電子束曝光系統，另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統。電子束光刻技術起源於掃描電鏡，最早由德意志聯邦共和國杜平根大學的G．Mollenstedt等人在20世紀60年代提出。電子束曝光的波長取決於電子能量，電子能量越高，曝光的波長越短，大 體在10－...
隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到套用電子束、 X射線、微離子束、雷射等新技術；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級範圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。簡述 光刻技術是指在光照作用下，藉助光致抗蝕劑（又名光...
電子束光刻機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2017年10月27日啟用。技術指標 最小束斑不大於1.9nm；最小步長為0.1nm；主場畸變不大於±10nm @500um寫場；最小線寬：≤ 8nm @100kV； 拼接精度：100um寫場下，拼接精度不大於12nm；250um寫場下，拼接精度不大於15nm；500um寫場下，拼接精度...
電子束曝光（electron beam lithography）指使用電子束在表面上製造圖樣的工藝，是光刻技術的延伸套用。電子束曝光系統（electron beam lithography system）即用於實現電子束曝光的系統。簡介 電子束曝光（electron beam lithography）指使用電子束在表面上製造圖樣的工藝，是光刻技術的延伸套用。光刻技術的精度受到光子在...
在電子束光刻中，電子與固體之間相互作用是最重要的。當高能量的電子進入固體時，他們可直線通過、彈性散射或非彈性散射。特點介紹 非光學光刻的一般特徵是使用超短波長的能源。套用 電子束光刻（EBL）系統可以用來製造光刻掩模版，亦可用來在晶圓上直寫產生圖形。主要套用EBL技術來製造光刻掩模版，因為它具有精密確定小...
電子束光刻系統及發射源裝置是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2013年11月27日啟用。技術指標 熱場發射電子束源 (ZnO/W) 最小電子束斑~ 3nm @ 100kV 最大掃描速率 = 50 MHz 最大樣品尺寸 150x150 mm 樣品台移動精度0.6nm (λ/1024) 兩套電子束偏轉系統: 5th Lens (8nm) and ...
《電子束光刻生成三維結構的研究》是依託山東大學，由張玉林擔任項目負責人的重大研究計畫。中文摘要 研究電子束光刻產生三維結構時特定液態感光劑的能量沉積、縱向、橫向及圖形邊沿產生的散射、圖形畸變與電子束各參數間的關係，通過軟硬體最佳化得出最佳光刻效果的工藝條件。該技術可以直接在基片上同時產生垂直、曲面、微尖...
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中,用作抗腐蝕塗層材料。半導體材料在表面加工時,若採用適當的有選擇性的光刻膠,可在表面上得到所...
電子束光刻膠 電子束光刻膠（electron beam resist）是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
電子束曝光技術是光刻技術的延伸，是指利用某些有機聚合物對電子敏感的特性，將其加工成精細掩模圖形的曝光技術。它是近些年才發展起來的集電子光學，精密機械，超高真空，計算機自動控制技術於一體的新興技術。NBL 電子束曝光系統，是基於SEM電子束曝光系統的，它主要由主機、邏輯電路、高壓電櫃、觸摸控制四個部分組成...
《角度限制散射投影電子束光刻的蒙特卡洛模擬》是依託中國科學技術大學，由孫霞擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 用蒙特卡洛方法模擬角度限制投影電子束光刻。模擬主要包括四部分：(1)模擬電子穿越由散射層和膜層組成的多層掩膜時的散射過程；(2)電子經過光學系統到達抗蝕劑，模擬這些電子在抗蝕劑和襯底中的...
納米電子器件“由上到下”的製備方式主要是指光學光刻、電子束光刻和離子束光刻等技術。“由下到上”的製備方法則包括金屬有機化學汽相沉積、分子束外延、原子層外延、化學束外延等外延技術、掃描探針顯微鏡技術、分子自組裝合成技術以及特種超微細加工技術等。光刻技術 光學光刻、電子束光刻與離子束光刻技術統稱三束...
日本1996年成立了超先進電子技術聯盟（ASET）對X光曝光進行研究。日本NTT公司研製了用於製造X光掩模的EBX3電子束曝光機。日本NEC則已做出100nm線寬的用於4GDRAM的X光掩模。在主機方面，Canon公司開發了第二代X光步進機XRA-1000，產量達60片/時，供ASET使用。在同步輻射源（SOR）方面，住友重工積累了多年經驗開發了...
電子束光刻方法 電子束光刻方法，包括：在結構材料層上形成硬掩模層；在硬掩模層上形成電子束光刻膠；採用電子束曝光系統，對電子束光刻膠進行曝光，其中通過增加曝光劑量來提高電子束光刻膠的抗刻蝕性；採用顯影液對曝光後的電子束光刻膠顯影，形成電子束光刻膠圖形；以電子束光刻膠圖形為掩模，各向異性刻蝕硬掩模...
隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到套用電子束、X射線、微離子束、雷射等新技術；使用波長已從4000埃擴展到0.1埃數量級範圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。常規光刻技術是採用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體...
用顯影液能把未感光的部分溶解去除的稱為負性光致抗蝕劑。光刻的精度很高﹐可達微米數量級﹐為使蝕刻線條清晰﹑邊緣陡直﹑解析度小於1微米的超微細圖形﹐可採用遠紫外曝光﹑X射線曝光﹑電子束掃描曝光﹐以及電漿乾法蝕刻等新技術。參考書目 李家植編﹕《半導體化學原理》﹐科學出版社﹐北京﹐1980。
廣泛地用於微米、亞微米及深亞微米的曝光領域。納米電子束直寫系統用於進行低於100nm 水平的曝光圖形。利用光刻設備，通過對光刻膠進行曝光顯影，可以得到任意設計的精度在10nm 的圖形化表面，結合薄膜沉積和剝離工藝，可以得到想要的圖形化薄膜。可用於圖形化生長，微納器件電極製作，和表面電漿共振等方面的研究。
曝光時間 為了提高晶片製造中版圖圖形的的尺寸精度，在每個曝光圖形處，都會按照曝光尺寸使曝光時間相應有所變化。相當於電子束光刻系統中電子束鄰近效應劑量調製曝光，以補償由於電子散射和背射所引起的鄰近效應對成像質量有所影響。
它與接近式X射線光刻不同，IPL使用投影鏡頭放寬了模版的要求，而且具備波的粒子特性。它建立在廉價的、按標準形狀設計的離子源技術的基礎上。IPL將適合混合匹配工藝技術介入的策略。它的小數值孔徑和大焦深特性支撐著大視場曝光和步進重複操作，與SCALPEL投影電子束光刻裝置相比，後者的視場尺寸僅是IPL的1%左右。對操作...
本書系統介紹主流光刻技術——光學投影光刻的工作原理、系統組成、套用和發展前景,詳細介紹投影光刻物鏡、掩模矽片對準、雷射定位工件台、分辨力增強技術以及整機集成。 [1] 書名 光學投影曝光微納加工技術(電子束離子束光子束微納加工技術系列專著) 作者 姚漢民、胡松、邢廷文 ISBN...
光柵掃描是被用在第一代電子束光刻（EBL）系統中，它是直接由掃描電子顯微鏡演變而來的。光柵掃描被用在第一代電子束光刻（EBL）系統中，它是直接由掃描電子顯微鏡演變而來的。在典型的系統中，電子束首先通過一對留有間隔的板，它可使電子束偏轉而被截斷。第二對板用來在一個方向上掃描電子束。同時，承片台用...
《帶控制柵極單納米冷陰極原型器件陣列的研究》是依託中山大學，由佘峻聰擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 本課題研究帶控制柵極的單根納米線場發射器件陣列，它在平行電子束光刻及高精度平板顯示器等領域有重要套用。其中平行電子束光刻是納米器件製造中用於製作大面積納米圖形的一項關鍵技術，可以克服單電子束光刻產率...
1993年起即從事深亞微米光學光刻和下一代光刻技術的研究開發工作，具有多年豐富的深亞微米、納米光刻經驗和堅實的理論研究基礎。已經指導畢業碩士研究生多名，博士研究生多名，2019年指導在讀博士研究生6名。研究方向 (1)先進的納米光刻技術研究（包括深紫外雷射直寫、電子束光刻、X射線光刻、193nm光學光刻等）...
EBL（electron-blocking layer）即電子阻擋層，能夠控制LED中電子的流向（阻礙反向漏電流），提高發光效率。如概述圖所示介於MQW（多量子阱結構）和CBL（電流阻擋層）之間。含義 （1）EBL--基於實驗的教學方法 電子束曝光系統（electron beam lithography, EBL，又稱電子束曝光系統）是一種利用電子束在工件面上掃描直接...
目前納米電子器件的製備方法主要有兩種，即“自上而下”法和“自下而上”法。所謂自上而下是指從體材料出發，利用薄膜生長和納米光刻技術（電子束光刻等）製備納米結構和器件；而自下而上是指從原子分子出發，自組裝生長出所需要的納米材料與結構，這就要求在材料的生長過程中對其結構、組分、大小和位置進行控制，...
8.7二級曝光效應 8.8先進的光刻膠和光刻膠工藝+ 8.9小結 習題 參考文獻 第9章非光學光刻技術+ 9.1高能射線與物質之間的相互作用° 9.2直寫電子束光刻系統 9.3直寫電子束光刻：總結與展望 9.4X射線源° 9.5接近式X射線系統 9.6薄膜型掩模版 9.7投影式X射線光刻 9.8投影電子束光刻(SCALPEL)9.9...
8.7 二級曝光效應 8.8 先進的光刻膠和光刻膠工藝 8.9 小結 習題 參考文獻 第9章 非光學光刻技術 9.1 高能射線與物質之間的相互作用 9.2 直寫電子束光刻系統 9.3 直寫電子束光刻：總結與展望 9.4 X射線源 9.5 接近式X射線系統 9.6 薄膜型掩模版 9.7 投影式X射線光刻 9.8 投影電子束光刻（...