《帶控制柵極單納米冷陰極原型器件陣列的研究》是依託中山大學，由佘峻聰擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：帶控制柵極單納米冷陰極原型器件陣列的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：佘峻聰
- 依託單位：中山大學
- 批准號：60771055
- 申請代碼：F0122
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：29（萬元）
中文摘要
本課題研究帶控制柵極的單根納米線場發射器件陣列，它在平行電子束光刻及高精度平板顯示器等領域有重要套用。其中平行電子束光刻是納米器件製造中用於製作大面積納米圖形的一項關鍵技術，可以克服單電子束光刻產率低的問題。目前，人們主要關注單根碳納米管冷陰極，碳納米管雖然場發射性能優越，但剛性差，物性均勻性難以控制，帶柵極單根碳納米管冷陰極陣列製作難度較大。氧化鋅(ZnO)納米線是有潛力的場發射材料，利用單根ZnO納米線陣列有可能在單納米冷陰極器件研究上取得突破。本課題以獲得矽基上帶柵極單根ZnO納米線冷陰極原型器件陣列為目的，開展適合於器件套用的單根ZnO納米線陣列的製備、柵極製作方法及柵極結構與單根ZnO納米線集成的研究，獲得原型器件陣列。重點針對平行電子束光刻套用的要求，研究冷陰極陣列的場發射特性，獲得實現低壓選址驅動、小電子束斑、均勻發射和高發射電流密度的關鍵技術。
