控制柵極（control grid）是1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：控制柵極
- 外文名：control grid
- 所屬學科：電子學
- 發布時間：1993年
發布時間,出處,
發布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電子學名詞。
出處
《電子學名詞》
控制柵極
相關詞條
- 控制柵極
控制柵極 控制柵極（control grid）是1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電子學名詞。發布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電子學名詞。出處 《電子學名詞》
- 柵極控制管
柵極控制變容管輯 壓控振盪器中用來產生振盪頻率的柵極控制變容管，該變容管含有埋層、深磷體和場氧體。深磷體為筒狀，其下、上端分別與埋層上表面和場氧體下表面相接，場氧體的下表面中間有下極板，埋層、深磷體、下極板和場氧體之間有外延體。與下極板相應的場氧體上有開口，開口處有柵氧體和多晶體。...
- 帶控制柵極單納米冷陰極原型器件陣列的研究
《帶控制柵極單納米冷陰極原型器件陣列的研究》是依託中山大學，由佘峻聰擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 本課題研究帶控制柵極的單根納米線場發射器件陣列，它在平行電子束光刻及高精度平板顯示器等領域有重要套用。其中平行電子束光刻是納米器件製造中用於製作大面積納米圖形的一項關鍵技術，可以克服單電子束光刻產率...
- 柵極Ⅹ射線管
現代出現一種在陽極靶面與陰極之間裝有控制柵極的X射線管，在控制柵上施加脈衝調製，以控制X射線的輸出和調整定時重複曝光。X射線管用於醫學診斷、治療、零件的無損檢測，物質結構分析、光譜分析、科學研究等方面。X射線對人體有害，使用時須採取防護措施。裝置 X射線管具有含陰極部、柵極和靶的X射線管、控制加給陰極...
- 柵極和浮置柵
柵極和浮置柵是最靠近陰極的一個電極，具有改變電子管的性能等作用。柵極、浮置柵 多極電子管中最靠近陰極的一個電極，具有細絲網或螺旋線的形狀，有控制板極電流的強度﹑改變電子管的性能等作用。結型場效應管有兩種結構形式。它們是N溝道結型場效應管（符號圖為（1））和P溝道結型場效應管（符號圖為（2））...
- 柵控X射線管
柵控X射線管 柵控X射線管是2003年公布的機械工程名詞。定義 在陽極靶與陰極之間裝有控制柵極的X射線管。出處 《機械工程名詞》。
- 柵極材料
柵極材料是指用於製造控制電子發射和運動的柵極的材料。概念 柵極材料是指用於製造控制電子發射和運動的柵極的材料。特點 在電真空中，柵極往往受到高速電子轟擊和陰極的熱輻射，故要求材料功函式大，且有良好的形狀穩定性、導電性和導熱性等特點。材料特點 柵極材料一般用鎳、鎳錳合金(牌號有NiMn₃和NiMn)、鎳鉻...
- 絕緣柵型場效應管
金氧半場效電晶體在數字電路上套用的另外一大優勢是對直流信號而言，金氧半場效電晶體的柵極端阻抗為無限大（等效於開路），也就是理論上不會有電流從金氧半場效電晶體的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓金氧半場效電晶體和他們最主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易於...
- 功率場效應電晶體柵極驅動電路
功率場效應電晶體柵極驅動電路是電路的一種，是使功率場效應電晶體按信號的要求導通或截止的電路。用於控制電力電子電路中的功率場效應電晶體的通斷。電路組成 使功率場效應電晶體按信號的要求導通或截止的電路。用於控制電力電子電路中的功率場效應電晶體的通斷。功率場效應電晶體是電壓控制器件，只要柵極驅動電路提供...
- 柵極電阻
兩個MOSFET的柵極由相同的信號驅動。當信號為高電平時，N通道MOSFET導通，當信號為低電平時，P通道MOSFET導通，從而產生一個兩電晶體推輓輸出配置。MOSFET的輸出級可有一路或兩路輸出。根據輸出級有一路還是兩路輸出，可實現具有一個或兩個柵極電阻（導通，關斷）的用於對稱或不對稱柵極控制的解決方案。保護IGBT的續流...
- 移位暫存器單元及液晶顯示器柵極驅動裝置
圖2b中僅畫出了移位暫存器單元的部分時序圖，液晶顯示器每顯示一幀圖像，控制某一行液晶像素的移位暫存器單元都會輸出一個高電平信號，信號輸入端（INPUT-1）輸入信號（INPUT）、復位信號輸入端（RESETIN）輸入的復位信號（RESET）和第一時鐘信號輸入端（CLKIN）輸入的第一時鐘信號（CLK）都會重複一次第一、二、三階段...
- 一種移位暫存器、柵極驅動電路和相關顯示裝置
該移位暫存器通過上述五個模組的相互配合僅需改變輸入信號的時長就可以控制驅動信號輸出端輸出的掃描信號的時長，而不需要進行時鐘信號的改變以及進行電路的改動和工藝的改變。因此與2015年之前的技術通過採用多種時鐘控制信號來控制驅動信號輸出端輸出的掃描信號的時長相比，可以降低柵極驅動電路的難度，以及降低工藝複雜...
- 一種移位暫存器單元及柵極驅動電路
柵極驅動電路包括具有多級的移位暫存器單元，每級均連線到相應的柵極線以輸出柵極驅動信號。柵極驅動電路的各級彼此相連，起始信號輸入至各級中的第一級並順序的將柵極驅動信號輸出至柵極線，其中前級的輸入端連線到上一級的輸出端，並且下一級的輸出端連線到前級的控制端。在LCD面板設定上述結構的柵極驅動電路，其每一...
- 共柵極
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。場效應管（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又...
- 五極管
五極管主要有 a屏極 r抑制柵極 g控制柵極 s簾柵極 k陰極 五個電極組成，所以叫五極管 其中電流是從屏極流入，陰極流出，其中的電流由柵極控制，這個和三極體是完全一樣的，但是五極管比電子三極體多了兩個電極：簾柵極，抑制柵極。工作原理 控制柵極是加控制信號的，它相當於電晶體的基極。控制信號可以是聲...
- 聚焦極
G₁稱為控制柵極，是一個金屬圓筒，它罩在陰極外面。在圓筒底部的膜片上開有3個小圓孔，可分別使3個陰極所發射的電子流通過。柵極離陰極最近，因而對陰極表面處電場的影響最為直接。改變控制極與陰極之問的電壓，可以明顯地改變陰極表面處的電場強度，決定陰極是否發射電子流以及電子流的密度，從而控制顯示亮度。G...
- 電子管
電子管，是一種最早期的電信號放大器件。被封閉在玻璃容器（一般為玻璃管）中的陰極電子發射部分、控制柵極、加速柵極、陽極（屏極）引線被焊在管基上。利用電場對真空中的控制柵極注入電子調製信號，並在陽極獲得對信號放大或反饋振盪後的不同參數信號數據。早期套用於電視機、收音機擴音機等電子產品中，後來逐漸被...
- 四極管
柵極 四極管就有兩個柵極，一個和三極體中的柵極功能一樣（稱為控制柵極或者柵極1號），另一個（稱為簾柵或者柵極2號）是用於減少控制柵極和金屬板間的電容。技術套用 博遠 博古系列BY-KT88 KT88是非常出色的束射四極管。音色渾厚，具有速度感、造型獨特、美觀、工藝考究，準確的把握她的特性一直是我公司研發...
- 閉鎖效應
閉鎖效應是某些器件或積體電路中發生像晶閘管（可控矽，SCR）那樣的柵極（控制極）能夠控制導通、但是不能控制關斷的一種現象，是造成IC失效的一種重要原因。名詞介紹 晶閘管的結構是p-n-p-n，它可看成是由兩個BJT共用一個基區而組合起來的一種器件。它的柵極（控制極）電壓可以觸發晶閘管導通，但是柵極電壓不能...
- grid(英語單詞)
grid voltage [電]柵極電壓 national grid n. ［英］全國高壓輸電線網 grid point 格點；格線點；坐標格網點 grid pattern 格線圖形；柵格測試圖 grid control [電]柵極控制；棚極控制；格線控制項 grid plate 跳汰機篩板；格網板，柵板；布風板 grid size 格線大小；柵格大小；磨料粒度 steel grid 鋼筋格線；...
- 浮柵型單電子存儲器
圖表示的是利用量子點和MOS場效應管制備的單電子存儲器的基本結構。納米晶粒(量子點，Dot)放置於MOSFET結構的溝道(Channel)和控制柵極(Control Gate)之間的氧化層中。納米晶粒和溝道被一層薄的氧化物(1 ~ 4.5 nm)隔開，而納米晶粒和控制柵極隔著一層厚的氧化物(5 ~ 10 nm)。柵極電壓控制量子點的靜電勢能，...
- X射線管
現代出現一種在陽極靶面與陰極之間裝有控制柵極的X射線管,在控制柵上施加脈衝調製，以控制X射線的輸出。改變脈衝寬度及重複頻率,即可調整定時重複曝光。分類 按照產生電子的方式 ,X 射線管可分為充氣管和真空管兩類。根據密封材質不同，可分為玻璃管、陶瓷管和金屬陶瓷管。根據用途不同，可分為醫療 X 射線管和...
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現代的真空管共由4種基本構件組成：極對燈絲(Filament) (加熱用)、陰極(Cathode)、柵極(Grid)和陽極(Anode)。當極對燈絲連上電壓對陰極加熱，激發陰極電子通過柵極打在陽極上。通過這樣的電子流，電子管可以將較小的交流電放大成較強的信號，實現信號放大功能。在信號放大的同時，通過控制柵極電壓可以控制電子流量，...
- 金屬氧化物半導體場效應電晶體
金氧半場效電晶體在數字電路上套用的另外一大優勢是對直流信號而言，金氧半場效電晶體的柵極端阻抗為無限大（等效於開路），也就是理論上不會有電流從金氧半場效電晶體的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓金氧半場效電晶體和他們最主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易於...
- 陰極短路技術
在p-n-p-n轉折二極體的基礎上，加上一個控制柵極，就得到可控矽整流器（SCR）。對於p+-n--p-n+結構的SCR，可以等效為兩個BJT的組合，這兩個BJT共用兩個區域（基區和集電區），柵極可接在陰極一端BJT的基區（p區）上。當構成SCR的兩個BJT的電流放大係數（令為a1和a2）較大時，即可使SCR導通。實際上...
- 混頻管
混頻管 混頻管，當不同頻率的控制電壓加在不同的控制柵極上時，會產生等於所加頻率的和或差的新頻率信號的多柵極電子管。見“變頻管”。
- 單電子器件
如果在連續兩個TJ的中間電極上連續注入(或抽去) 電荷, 就能對這種相關的隧穿進行控制。這就是單電子晶管產生的基礎。兩T J串聯後其中心電極點A 成為一個獨立的庫侖島, 由A 點引出一個控制柵極, 在此柵極上加v 。電壓, 通過電容靜電藕合從而達到連續改變A 點的靜電勢。A點上的淨電荷為V 。所感應的電荷...
- 弗蘭克-赫茲實驗
水銀管內，裝了三個電極：陰極、網狀控制柵極、陽極。陰極的電勢低於柵極跟陽極的電勢，而陽極的電勢又稍微低於柵極的電勢。陰極與柵極之間的加速電壓是可以調整的。通過電流將鎢絲加熱，鎢絲會發射電子。由於陰極的電勢高於鎢絲的電勢，陰極會將鎢絲髮射的電子往柵極方向送去。因為加速電壓作用，往柵極移動的速度和動能...
