柵極材料是指用於製造控制電子發射和運動的柵極的材料。
基本介紹
- 中文名:柵極材料
- 外文名:grid materials
- 學科:材料技術
- 領域:工程技術
柵極材料是指用於製造控制電子發射和運動的柵極的材料。
柵極材料是指用於製造控制電子發射和運動的柵極的材料。概念柵極材料是指用於製造控制電子發射和運動的柵極的材料。特點在電真空中,柵極往往受到高速電子轟擊和陰極的熱輻射,故要求材料功函式大,且有良好的形狀穩定性、導電性和導熱性...
場效應管柵極 場效應管根據三極體的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐,屬於電壓控制型器件。場效應電晶體(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體...
《離子推進器用柵極材料的輻照性能研究》是依託清華大學,由李正操擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 在長壽命太空飛行器所用新型離子推進器中,柵極材料的輻照脆化和濺射失效是影響其使用壽命的主要因素,因而如何使柵極材料具有較強的耐輻照性能,是迫切需要解決的一個問題。目前,Mo是主要的柵極材料之一。在前期...
金氧半場效電晶體在結構上以一個金屬—氧化物層—半導體的電容為核心(現在的金氧半場效電晶體多半以多晶矽取代金屬作為其柵極材料),氧化層的材料多半是二氧化矽,其下是作為基極的矽,而其上則是作為柵極的多晶矽。這樣的結構正好等於一個電容器,氧化層為電容器中介電質,而電容值由氧化層的厚度與二氧化矽的介...
柵極要求有良好的形狀穩定性。大功率管常用高溫強度好、熱膨脹係數小的鎢絲、鉬絲和鎢鉬合金絲作為柵絲材料。用作柵極邊桿和框架的材料有鎳、鉬和鎢等。為了抑制柵極電子發射,常在其表面塗敷銀、金、鉑、鋯等金屬。根據陽極承受功率密度的大小、散熱方式和工作溫度的不同,可選用無氧銅、鎳、覆鎳鐵、鉬和鉭等。為...
場效應管柵極(gate)場效應管根據三極體的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐,屬於電壓控制型器件。場效應電晶體(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制...
絕緣柵雙極電晶體(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力電晶體(Giant Transistor—GTR)和電力場效應電晶體(Power MOSFET)的優點,具有良好的特性,套用領域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發射極。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結構雙極器件,屬於具有功率MOSFET的高速性能與雙極的...
柵極電容器是表征多極電子管中最靠近陰極的電極容納電荷能力的儀器,介質材料有雲母、玻璃、陶瓷等。柵極電容器 柵極 多極電子管中最靠近陰極的一個電極。具有細絲網,或螺旋線的形狀,有控制板極電流的強度,或改變電子管性能的作用 電容 是表征電容器容納電荷的本領的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1...
當柵極與源極之間加上一個小的正向電壓uGS時,則在SiO₂的絕緣層中,產生一個垂直於半導體表面、由柵極指向P型襯底的電場。這個電場排斥空穴而吸引電子,使靠近二氧化矽一側P型材料中的空穴被排斥,形成耗盡層。當柵源電壓uGS增大到一定值後,則在P型材料的表面感應出許多自由電子,形成一個N型薄層。這個在P型...
絕緣柵場效應功率電晶體是一種三極體,具有功率放大作用,常用於電壓控制。絕緣柵場效應功率電晶體 根據三極體的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐,屬於電壓控制型器件。絕緣柵場效應功率電晶體場效應管可套用於放大.由於場...
由於High-k柵極電介質和現有矽柵極並不兼容,英特爾全新45納米電晶體設計也必須開發新金屬柵極材料,新金屬的細節仍屬商業機密,英特爾現階段尚未說明其金屬材料的組合。採用45納米工藝製造的Penryn處理器在伺服器產品線中被命名為Xeon 5400,屬於英特爾第二代四核處理器,主頻最高 3.16GHz,二級高速快取最高12 MB。英...
按柵極材料可分為鉛柵、矽柵、矽化物柵和難熔金屬(如鉬、鎢)柵等MOSIC,柵極尺寸已由微米進入亞微米(0.5~1微米)和強亞微米(0.5微米以下)量級 。此外,還發展了不同的MOS積體電路結構的MOSIC:如浮柵雪崩注入MOS(FAMOS)結構,用於可擦寫唯讀存貯器;擴散自對準MOS(DMOS)結構和V型槽MOS結構等,可...
金氧半場效電晶體在結構上以一個金屬—氧化物層—半導體的電容為核心(現在的金氧半場效電晶體多半以多晶矽取代金屬作為其柵極材料),氧化層的材料多半是二氧化矽,其下是作為基極的矽,而其上則是作為柵極的多晶矽。這樣的結構正好等於一個電容器,氧化層為電容器中介電質,而電容值由氧化層的厚度與二氧化矽的介...
然而,隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小,金屬作為柵極材料最近又再次得到了研究人員的關注。金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣柵極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET)。而絕緣柵極場效電晶體的柵極絕緣層,有可能是其他物質,而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽柵極的場效...
黑鉬絲呈黑色金屬光澤,光滑 外觀 呈黑色金屬光澤,光滑。是鉬絲的一種 用途 高溫下強度高、耐磨性、可焊性好,抗蠕變能力強、延展性好、使用壽命長。廣泛用於拉絲模、鑄造模、柵極、高溫攪拌棒、高溫墊板、高溫結構件、支撐件、電子管棚極、白熾燈掛鈎、繞PL線、真空或保護氣氛高溫爐發熱材料支撐桿、引出線、柵極...
在MOSFET中常用的柵極絕緣材料的介電常數值為:SiO2(3.8),Si3N4(6.4),Al2O3(>7.5)。柵絕緣層是50~60nm SiO2 + Si3N4的MOS器件,稱為MNOFET;柵絕緣層是50~60nm SiO2 + Al2O3的MOS器件,稱為MAOFET。材料性能 提高柵絕緣層的介電常數,可以增大器件的電流,增強器件的驅動能力,使工作速度...
為了減小電子的渡越時間, 柵陰間距作的很短甚至不到1mm , 因此廠商多採用機械強度高、導熱係數高、輻射係數好以及熔點高的材料來做柵極, 以閉免在很小的間距下發生熱碰極。一柵和二柵應嚴格對柵, 這樣簾柵對電子截獲小, 可減小簾柵耗, 改善電流分配提高性線。3.電子管的陽極 陽極是收集陰極發射出來的大...
但是,由於柵極隧穿電流的限制,氧化層減薄的極限厚度認為是Znln。為減弱柵極隧穿電流,其中有一種方案就是採用比Siq介電常數更高的材料作為柵介質。根據最新的2003工TRS,70nm技術時代就需要高k材料,它將主要套用於要求柵極漏電流很小的低功耗器件。高性能器件的套用也需要這些材料,高性能器件要求具有很薄的等效...
此外,更可以讓在定義柵極區域時使用自我校準(self-align)的方式,這能讓柵極的面積縮小,進一步降低雜散電容(stray capacitance)。2004年後,又有一些新的研究開始使用金屬柵極,不過大部分的製程還是以多晶矽柵極為主。關於柵極結構的改良,還有很多研究集中在使用不同的柵極氧化層材料來取代二氧化矽,例如使用高介電...
可用作電子管的柵極和陽極,電光源的支撐材料,以及用於製作壓鑄和擠壓模具,太空飛行器的零部件等。由於鉬合金有低溫脆性和焊接脆性,且高溫易氧化,因此其發展受到限制。工業生產的鉬合金有鉬鈦鋯系、鉬鎢系和鉬稀土系合金,套用較多的是第一類。鉬合金的主要強化途徑是固溶強化、沉澱強化和加工硬化。通過塑性加工可製得...
自對準技術與常規技術的工藝步驟完全不同,在常規的MOS技術中是先製作源、漏極,然後再製作柵極;但是自對準技術則是先製作柵極,然後再製作源、漏極。在自對準技術中,實際上就是利用柵極本身作為掩模來進行n源區和漏區的離子注入,使得其間的重疊部分幾乎減小到了0;能夠用作為自對準技術的柵極材料,必須要使用...
將柵極接地的氫閘流管叫接地柵閘流管。接地柵閘流管能在低阻抗的線路中套用,得到所需要的短脈寬、高峰值的電流。接地柵閘流管的結構基本上與氫閘流管相同,包括陰極、陽極、柵極等幾部分組成。在接地柵閘流管中,柵極作為陰極使用,所以柵極和陽極一樣採用難熔金屬材料製成,柵極上放置供安裝整管用的法蘭盤。...
多晶半導體是指由大量取向不同的小的單品半導體顆粒構成的薄膜或體半導體材料。大多數半導體器件都是用單晶半導體材料製作。多晶半導體可用於製作太陽能電池、液晶顯示器的薄膜電晶體開關矩陣及MOS電晶體的柵極材料等。多晶半導體是指由大量取向不同的小的單品半導體顆粒構成的薄膜或體半導體材料。大多數半導體器件都是用...
圖5所示為採用MNOS技術實現突觸連線的電路構造。柵極S是金屬氮氧化物半導體材料做成的,通過氮化膜中注入的電荷量控制柵極的勢阱深度。這種改變權值方法的核心是用通過MNOS的電荷量來改變權值的大小。實際套用 人工神經網路 有機體神經元具有很強的學習能力,為了在機器學習中運用這種能力,人們進行了大量的研究工作。圖6...
然而,隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小,金屬作為柵極材料最近又再次得到了研究人員的關注。金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣柵極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET)。而絕緣柵極場效電晶體的柵極絕緣層,有可能是其他物質,而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽柵極的場效...
圖1是一個邏輯器件的剖面示意圖。新的集成技術在晶圓襯底上也添加了很多新型功能材料,例如:前道(FEOL)柵極的高介電常數材料,它能有效地增大柵極的電容並減少漏電流。前道(FEOL)中的關鍵光刻層是 FIN 和柵極(gate)。後道(BEOL)的關鍵光刻層是 V0/M1/V1/M2,其中V0/V1是通孔層,M1/M2是金屬層。圖1 ...
金氧半場效電晶體在結構上以一個金屬—氧化物層—半導體的電容為核心(金氧半場效電晶體多半以多晶矽取代金屬作為其柵極材料),氧化層的材料多半是二氧化矽,其下是作為基極的矽,而其上則是作為柵極的多晶矽。這樣的結構正好等於一個電容器(capacitor),氧化層為電容器中介電質(dielectric material),而電容值...
在 MOS電路中常用摻雜的多晶矽作為柵極材料併兼作一層布線材料。其優點是多晶矽可以經受高溫工藝,並可在表面生長氧化層,又可得到適當的MOS電晶體的閾值電壓,但多晶矽的薄層電阻約為20~50歐。當電路集成度增大時,較大的串聯電阻會造成較大的串聯電壓降和RC延遲時間而影響電路速度。為此,又提出矽-難熔金屬化合物...
2009~2011 日本國家物質材料研究所先進電子材料研究中心高級研究員。2011~ , 安徽大學物理與材料科學學院特聘教授,安徽省“皖江學者”特聘教授,博導。研究方向 主要研究方向本課題組以構築高性能III-V族MOSFET 為牽引目標,對其中的關鍵技術和科學問題,如high-k柵極材料的製備、界面物性和場效應晶體器件構築等課題...
工藝已經將電晶體的組成部分做到了幾個分子和原子的厚度,組成半導體的材料已經達到了它的物理電氣特性的極限。最早達到這種極限的部件是組成電晶體的柵極氧化物--柵極介電質,現有的工藝都是採用二氧化矽(SiO2)層作為柵極介電質,如下圖。大家也把源極(Source)和漏極(Drain)之間叫做溝道,在柵極氧化物上面是柵極(...