柵極電容器是表征多極電子管中最靠近陰極的電極容納電荷能力的儀器,介質材料有雲母、玻璃、陶瓷等。
基本介紹
- 中文名:柵極電容器
- 外文名:gate capacitance
多極電子管中最靠近陰極的一個電極。
具有細絲網,或螺旋線的形狀,有控制板極電流的強度,或改變電子管性能的作用
電容
是表征電容器容納電荷的本領的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量,叫做電容器的電容。
柵極電容器是表征多極電子管中最靠近陰極的電極容納電荷能力的儀器,介質材料有雲母、玻璃、陶瓷等。
柵極電容器是表征多極電子管中最靠近陰極的電極容納電荷能力的儀器,介質材料有雲母、玻璃、陶瓷等。...
場效應管根據三極體的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極...由於場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器...
密勒電容(Miller Capacitance)就是跨接在放大器(放大工作的器件或者電路)的輸出...在共源組態中,Cdg正好跨接在輸入端(柵極)與輸出端(漏極)之間,故密勒效應使得...
例如電子管的柵極相對於陰極往往要求加有負壓,為了在一個直流電源下工作,就在...我們可以稱為旁路電容(By-pass).而濾波電容則更多的出現在濾波器的電路設計里....
一般電子管的極間電容約為幾皮法到幾十皮法。在多數情況下,它對電子管的工作特性是不利的,例如在三極體放大器中,柵極、板極間電容引起反饋作用,可能產生自激...
這樣的結構正好等於一個電容器,氧化層為電容器中介電質,而電容值由氧化層的厚度與二氧化矽的介電係數來決定。柵極多晶矽與基極的矽則成為MOS電容的兩個端點。...
金屬—氧化層—半導體結構MOSFET在結構上以一個金屬—氧化層—半導體的電容為核心(如前所述,今日的MOSFET多半以多晶矽取代金屬作為其柵極材料),氧化層的材料多半是...
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統記憶體。...所以Q1導通,要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極,並通過柵極電容在一定時間內保持...
現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的,存取延遲和其他...●刷新(再生):為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失,必須定時給柵極電容...
FET場效應管是一個電壓控制元件,漏極的輸出電流受源極與柵極電壓的控制。由於電容器的兩個極是接到FET的S極和G極的,因此相當於FET的S極與G極之間加了一個Δ...
和性能優良的A/B類放大器相比,D類放大器的音頻性能是很差的,不僅失真大,而且...但這要求大電晶體具有很大的柵極電容(cg)。開關電容柵極驅動電路的功耗為cv2f,...
無需外部柵極電容器 輸入過壓/欠壓保護功能 在故障之後可選擇鎖斷或自動重試 在故障發生之後向主機發出警示信號 具折返功能的浪涌電流限制 採用24引腳4mm x 5mmQFN...