密勒電容

基本概念

密勒效應是通過放大輸入電容來起作用的，即密勒電容C可以使得器件或者電路的等效輸入電容增大(1+A_v)倍，A_v是電壓增益。因此很小的密勒電容即可造成器件或者電路的頻率特性大大降低。

效應措施

採用平衡法或中和法可以適當地減弱密勒電容的影響。中和方法即是在電晶體的輸出端與輸入端之間連線一個所謂中和電容，並且讓該中和電容上的電壓與密勒電容上的電壓相位相反，使得通過中和電容的電流恰恰與通過密勒電容的電流方向相反，以達到相互抵消的目的；當然，為了有效地抑制密勒效應，即應該要求中和電容與密勒電容正好完全匹配（實際上，由於作為密勒電容的電晶體輸出電容往往與電壓有關,所以很難完全實現匹配，因此需要進行多種改進）。

性能影響

密勒電容對器件的頻率特性有直接的影響。

對於BJT的影響

在共射（CE）組態中，集電結電容勢壘電容正好是密勒電容，故CE組態的工作頻率較低。而在共基極（CB）組態中，集電結和發射結的勢壘電容都不是密勒電容，故CB組態的頻率特性較好，工作頻率高、頻頻寬。因此，把CE與CB組態結合起來，即可既提高了增益(CE的作用)，又改善了頻率特性（CB的作用）。對於由CC和CE組態構成的達林頓管，情況與CE組態相同，故頻率特性較差。而對於CC-CE複合管，因為去掉了密勒電容，故頻率特性較好。

對於MOSFET的影響

MOSFET的輸出電容是源極與漏極之間的覆蓋電容C_ds。在共源組態中，C_dg正好跨接在輸入端(柵極)與輸出端(漏極)之間，故密勒效應使得等效輸入電容增大，導致頻率特性降低。在共柵極組態中，C_dg不是密勒電容，故頻率特性較好。對於MOSFET的共源-共柵組態，則既提高了增益（等於兩級增益的乘積，共源組態起主要作用），又改善頻率特性（共柵極組態起主要作用），從而可實現高增益、高速度和寬頻帶。

電容用處

密勒電容也具有一定的好處，例如：

① 採用較小的電容來獲得較大的電容（例如製作IC中的頻率補償電容），這種技術在IC設計中具有重要的意義（可以減小晶片面積）；

② 獲得可控電容 (例如受電壓或電流控制的電容) 。