金屬氧化物半導體場效應管(英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),簡稱金氧半場效電晶體,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。
金屬氧化物半導體場效應管(英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),簡稱金氧半場效電晶體,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。
金屬氧化物半導體場效應管(英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),簡稱金氧半場效電晶體,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效...
場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide ...
金屬半導體場效應管(英語:metal semiconductor field effect transistor, MESFET),簡稱金半場效應管,是一種在結構上與結型場效應管類似,不過它與後者的區別是這種場...
金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路...
橫向擴散金屬氧化物半導體(英語:Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,縮寫:LDMOS)經常被用於微波/射頻電路,製造於高濃度摻雜矽基底的外延層上。LDMOS常被用於...
絕緣柵型場效應管(IGFET,Insulated Gate Field Effect Transister)也稱金屬氧化物半導體場效應管(Metal Oxide Semiconductor FET,簡寫為MOSFET),通常說的MOS管就是指...
金屬氧化物半導體場效應三極體的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應,在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵g電壓vg增大時,p型半導體表面的多數載流子棗空穴...
金屬氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效應電晶體是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效應電晶體。...
調製摻雜場效應管(modulation-dopedFET,MODFET)是場效應管的一種,它使用兩種具有不同能隙的材料形成異質結,為載流子提供溝道,而不像金屬氧化物半導體場效應管那樣,...
金屬氧化物半導體積體電路jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dǎo tǐ jí chénɡ diàn lù 簡稱“mos積體電路”。由金屬、氧化物和半導體場效應管組成的集成...
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。...
MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導體的場效應電晶體),屬於絕緣...
絕緣柵場效應管的種類較多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前套用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管,通常用MOS表示,簡稱作MOS...
功率MOS場效應電晶體,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應電晶體),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化...
PN結、金屬氧化物半導體場效應管等組成了積體電路器件的基礎結構,而由後者構成的互補式金屬氧化物半導體則憑藉其低靜態功耗、高集成度的優點成為數字積體電路中邏輯門...
為此,本手冊收集了國內外數百家場效應管生產廠家生產的幾萬種場效應管器件型號,包括金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)、結型場效應管(JFET)、金屬半導體場效應管(...
在“場效應管對照表”中,收編了美國、日本及歐洲等近百家半導體廠家生產的結型場效應電晶體(JEET)、金屬氧化物半導體效應電晶體(MOSFET)、肖特基勢壘控制柵場效應...
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(功率mosfet,常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極電晶體(igbt)以及功率積體電路(power ic,常簡寫為pic)為主。這些器件...
金屬-氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效...
金屬氧化物半導體場效應(MOS)電晶體可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道矽MOS場效應電晶體在N型矽襯底上有兩個P+區,分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,源...
注:這三者看上去都是場效應管,其實金屬氧化物半導體場效應電晶體 、V型槽溝道場效應管 是 單極(Unipolar)結構的,是和 雙極(Bipolar)是對應的,所以也可以統稱為...
金屬氧化物半導體場效應(MOS)電晶體可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道矽MOS場效應電晶體在N型矽襯底上有兩個P+區,分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,...
DMOS主要有兩種類型,垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDMOSFET(lateral double-...