柵極和浮置柵是最靠近陰極的一個電極，具有改變電子管的性能等作用。
基本介紹
- 中文名：柵極和浮置柵
- 套用學科：物理學
- 屬性：電極
- 特徵：靠近陰極
- 套用：多極電子管
柵極/浮置柵,IGBT的柵極出現過壓的原因,
柵極/浮置柵
結型場效應管有兩種結構形式。它們是N溝道結型場效應管（符號圖為（1））和P溝道結型場效應管（符號圖為（2））。從圖中我們可以看到，結型場效應管也具有三個電極，它們是：G——柵極；D——漏極；S——源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。
絕緣柵雙極電晶體本質上是一個場效應電晶體，只是在漏極和漏區之間多了一個P型層。根據國際電工委員會IEC/TC（CO）1339檔案建議，其各部分名稱基本沿用場效應電晶體的相應命名。圖2－53所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極電晶體結構，N+區稱為源區，附於其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附於其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極電晶體，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調製，以降低器件的通態電壓。附於漏注入區上的電極稱為漏極。為了兼顧長期以來人們的習慣，IEC規定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱為集電極端（子）。這又回到雙極電晶體的術語了。但僅此而已。
IGBT的結構剖面圖如圖2－53所示。它在結構上類似於MOSFET，其不同點在於IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個P+基板（IGBT的集電極），形成PN結j1，並由此引出漏極、柵極和源極則完全與MOSFET相似。
由圖2－54可以看出，IGBT相當於一個由MOSFET驅動的厚基區GTR，其簡化等效電路如圖2－55所示。圖中Rdr是厚基區GTR的擴展電阻。IGBT是以GTR為主導件、MOSFET為驅動件的複合結構。N溝道IGBT的圖形符號有兩種，如圖2－56。所示。實際套用時，常使用圖2－56b所示的符號。對於P溝道，圖形符號中的箭頭方向恰好相反，如圖2－57所示。
IGBT的開通和關斷是由柵極電壓來控制的。當柵極加正電壓時，MOSFET內形成溝道，並為PNP電晶體提供基極電流，從而使IGBT導通，此時，從P+區注到N一區進行電導調製，減少N一區的電阻Rdr值，使高耐壓的IGBT也具有低的通態壓降。在柵極上加負電壓時，MOSFET內的溝道消失，PNP電晶體的基極電流被切斷，IGBT即關斷。
IGBT的柵極出現過壓的原因
1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓.
