電子束光刻膠（electron beam resist）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：電子束光刻膠
- 外文名：electron beam resist
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
- 審定機構：全國科學技術名詞審定委員會
公布時間,出處,
電子束光刻膠
相關詞條
- 電子束光刻膠
電子束光刻膠 電子束光刻膠（electron beam resist）是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
- 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中,用作抗腐蝕塗層材料。半導體材料在表面加工時,若採用適當的有選擇性的光刻膠,可在表面上得到所...
- PMMA電子束膠
基於這種光敏特性，PMMA或類似的聚合物可以用作為光刻工藝中的光刻膠，即稱作PMMA電子束膠。簡介 甲基丙烯酸甲酯的聚合物(PMMA)是透明高分子材料中很重要的一種，俗稱有機玻璃。它具有很多優良的性能，如化學穩定性好，物理力學性能較均衡，加工性能、耐候性、電絕緣性良好，光學性能優異，透光率比普通無機玻璃高10%...
- 光刻
電子束光刻技術 電子束光刻技術是利用電子槍所產生的電子束，通過電子光柱的各極電磁透鏡聚焦、對中、各種象差的校正、電子束斑調整、電子束流調整、電子束曝光對準標記檢測、電子束偏轉校正、電子掃描場畸變校正等一系列調整，最後通過掃描透鏡根據電子束曝光程式的安排，在塗布有電子抗蝕劑（光刻膠）的基片表面上...
- 電子束感光樹脂
電子束感光樹脂eleetrm beam pl:otrraphic resin指以 電子束為光源使用的感光樹脂。定義介紹 電子束的能量相當高，足以 將被轟擊的各種聚合物鏈斷裂，生成離子或自由基，進而發生 光分解或光交聯反應。目前在實際電子束光刻加工中使用的 感光樹脂還主要同x射線型感光樹脂相同，雖然根據電子束 能髦判斷可用的聚合物...
- 電子束曝光
電子束曝光是用低功率密度的電子束照射電致抗蝕劑，經顯影后在抗蝕劑中產生圖形的一種微細加工技術。這種曝光方式解析度高、掩膜版製作容易、工藝容限大，而且生產效率高，但由於電子束在光刻膠膜內的散射，使得圖案的曝光劑量會受到臨近圖案曝光劑量的影響（即臨近效應），造成的結果是，顯影后，線寬有所變化或圖形...
- 電子束光刻系統
電子束光刻系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年4月17日啟用。技術指標 加速電壓30Kev-100Kev,最小工作束斑直徑8nm, 最大電子束流50 nA ,SEM 放大倍數30 萬倍，工作檯行程195x195mm,基片直徑200mm。金屬剝離線條寬度≤20nm，光刻膠線條寬度≤10nm，拼場/套刻精度線條寬度...
- 納米電子器件
電子束光刻技術 電子束光刻是採用高能電子束對光刻膠進行曝光而獲得結構圖形的光刻技術。最近，美國朗訊公司開發的角度限制散射投影電子束光刻技術令人矚目，該技術如同光學光刻那樣對掩模圖形進行縮小投影，並採用特殊濾波技術去除掩模吸收體產生的散射電子，從而在保證解析度條件下提高產出效率。應該指出，無論未來光刻採用...
- 感電子高分子
感電子高分子是指對電子束敏感的高分子材料，通常作為電子束抗蝕劑。特點 在電子束作用下，聚合物發生降解或交聯，溶解性能發生變化，分別構成正性或負性電子束光刻膠。常見的正性感電子高分子有聚甲摹內烯酸醋、聚烯楓等二常見的負性感電子高分子包括環氧聚合物、聚乙烯肉桂酸酷類和有機矽聚合物等。由於電子束...
- 非光學光刻
非光學光刻的兩個最有希望的曝光源是短波長光子（X射線）和高能電子（電子束）。對兩個光源來說發生在光刻膠和底層物質中的相互作用實際上有點類似。用於光刻的典型X射線源發射能量為1~10kev的光子。定義 非光學光刻中當光子入射到入射到一個固體上的時候，會有許多可能的相互作用。但是，最有可能的相互作用是光...
- 光刻技術
隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到套用電子束、 X射線、微離子束、雷射等新技術；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級範圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。簡述 光刻技術是指在光照作用下，藉助光致抗蝕劑（又名光...
- 電子束曝光系統
正光刻膠未被光照的部分在顯影后會被保留，而負光刻膠被感光的部分在顯影后會被保留。光刻膠不僅需要對指定的光照敏感，還需要在之後的金屬刻蝕等過程中保持性質穩定。不同的光刻膠一般具有不同的感光性質，有些對所有紫外線光譜感光，有些只對特定的光譜感光，也有些對X射線或者對電子束感光。光刻膠需要保存在...
- 光刻分子膠
9nm。與分子量具有較大分布的聚合物膠不同，分子膠是使用小分子量的材料作為膠的主體，理論上分子膠可以實現更高的解析度和更小的邊緣粗糙度。分子膠可以是由PAG混合在分子玻璃（molecular glass matrix）中得到的，也可以把PAG合成在分子玻璃中。分子膠的研發基本局限於在極紫外（EUV）光刻技術和電子束中使用。
- 負性光刻膠
化學鍵合在受到這種激勵時，或者分離或者改變鍵合對象，發生化學變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質後，因與物質具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉移到物質的電子中，因此生成激勵狀態的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發光刻膠的化學反應。
- 基於電子束光刻的納機電系統結構工藝方法研究
項目執行期間申請專利兩項：一種採用紫外線固膠的電子束曝光方法（201310097604.8），主要解決了LOL膠和負性光刻膠的工藝兼容性問題；電子束斑的測量方法和設備（201410449770.4），主要是利用懸置背向曝光的方法獲得高解析度束斑圖形，用來測量束斑尺寸。項目執行期間發表論文兩篇：P. Liu, F. YangD.C. Zhang, ...
- 納米電子束直寫系統
隨著微電子技術的發展，微電子器件電路設計尺寸不斷縮小，從微米級到亞微米級深入到分子、原子量級的納米級。電子束直寫技術是迄今為止解析度最高的一種曝光手段，廣泛地用於微米、亞微米及深亞微米的曝光領域。納米電子束直寫系統用於進行低於100nm 水平的曝光圖形。利用光刻設備，通過對光刻膠進行曝光顯影，可以得到...
- 極紫外光刻(一種納米級光刻技術)
補充技術可以是EUV或電子束光刻。”展望 現階段很多公司也在推動納米壓印、無掩膜光刻或一種被稱為自組裝的新興技術。但是EUV光刻仍然被認為是下一代CPU的最佳工藝。由於193nm沉浸式工藝的延伸性非常強，同時EUV技術耗資巨大進展緩慢。EUV（極紫外線光刻技術）是下一代光刻技術（EUV光刻的基本設備方面仍需開展大量...
- 劉世勇(中國科學技術大學教授)
6. 單組份高性能電子束光刻膠/極紫外光刻膠 7. 前藥/聚前藥兩親性分子和觸髮式自降解聚合物 8. 高分子囊泡/反饋與振盪體系 9. 小分子和生物大分子診療試劑高效遞送 (功能性蛋白/抗體/疫苗)10. 納米材料蛋白質冠主動精準調控與生物分布定量 11. 磁共振/CT/超聲成像造影劑、PET成像製劑 12...
- 南雄市毅豪化工有限公司
南雄市毅豪化工有限公司 南雄市毅豪化工有限公司於2009年06月18日成立。法定代表人王勝林，公司經營範圍包括：生產、銷售：電子束光刻膠(2828)，化工產品（危險化學品以《安全生產許可證》許可範圍為準）等。
- 化學外延法
如圖1，將羥基封端的聚苯乙烯（PS-OH）薄膜（5nm）接枝到基底的表面，通過電子束光刻膠光刻成像以及氧等離子刻蝕處理，光刻膠掩模去除，得到表面具有不同化學性質的前圖形模版，經氧等離子刻蝕進行表面處理的部分改變了基底表面的親疏性，對PS嵌段有優先潤濕性，當PS-b-PMMA薄膜在化學製圖的模版表面時，由於各嵌段與...
- 光加工用高分子材料
光加工用高分子材料polymeric material for nprieal prn。二、光加下是指以可見紫外光、X襯線、電子束、或者離子束作為加工手段的材料處理工藝，具有加工精度高，容易自動化等特點，廠一泛用r積體電路和印刷電路板製造、印刷製版等領域。光加用高分子材料指在光作用卜材料物性或外形發生變化，以實現對被照材料本身...
- 矽納米線
採用EB及RIE 技術在SOI 襯底上製得了積體電路晶片，並在晶片上塗了200 nm 厚的光刻膠保護層，電子束直徑小於10nm 的高分辨電子束蝕刻系統用於限制光刻膠上的電路，RIE 用於將電路移至SOI 晶片上，隨後再用EB 工藝將電路連線到電子接觸元件上。為了增強絕緣性能及防止納米線尺寸小於蝕刻尺寸，將晶片於溫度為1 000...
- 現代積體電路製造技術
4.7光掩模製造83 4.8相移掩模84 4.9光刻膠85 4.10圖案轉移88 4.11基於粒子的光刻90 4.11.1電子束光刻90 4.11.2電子物質相互作用91 4.12離子束光刻93 4.13紫外光刻94 4.14X射線光刻95 4.15光刻技術的比較97 4.16本章小結98 習題98 參考文獻99 第5章蝕刻102 5.1簡介102 5.2蝕刻參數102 5...
- 伍廣朋
設計了無金屬並可模組化設計的有機硼催化體系，用於環狀碳酸酯精細化學品以及二氧化碳基聚碳酸酯、聚醚、聚酯等高分子材料的製備；實現了將二氧化碳基聚碳酸酯材料用於高靈敏度電子束光刻膠和導向光刻材料的套用拓展；1. Yang, G.-W.; Xu, C.-K.; Xie, R.; Zhang, Y.-Y.; Zhu, X.-F. Wu, G.-P...
- 勻膠鉻版
《勻膠鉻版》是一種硬面光掩模材料，即光掩膜基版，它是當前及未來微細加工光掩膜製作的主流感光材料（相當於照相用的感光膠捲）。它是在平整的、高光潔度的玻璃基版上通過直流磁控濺射（SP）沉積上氮化鉻-氮氧化鉻薄膜而形成鉻膜基版，再在其上塗敷一層光致抗蝕劑（又稱光刻膠）或電子束抗蝕劑製成勻膠...
- 高密度積體電路有機封裝材料
第7章 光刻膠及高純化學試劑 7.1 光刻膠 7.1.1 光刻膠基本知識 7.1.2 紫外光刻膠 7.1.3 深紫外光刻膠 7.1.4 電子束光刻膠 7.1.5 下一代光刻膠技術 7.2 高純化學試劑 7.2.1 高純化學試劑基本知識 7.2.2 高純化學試劑的套用 7.2.3 高...
- 半導體製造技術導論(第二版)
6.4 光刻技術的發展趨勢 6.4.1 解析度與景深(DOF)6.4.2 I線和深紫外線 6.4.3 解析度增強技術 6.4.4 浸入式光刻技術 6.4.5 雙重、三重和多重圖形化技術 6.4.6 極紫外線(EUV)光刻技術 6.4.7 納米壓印 6.4.8 X光光刻技術 6.4.9 電子束光刻系統 6.4.10離子束光刻系統 6.5 安全性 6...
- 半導體工藝與積體電路製造技術
7.5.5 先進光刻膠 184 7.6 小結 187 習題 187 參考文獻 187 第8章 先進光刻 190 8.1 先進光刻機曝光系統 190 8.1.1 浸沒式光刻機 190 8.1.2 同軸與離軸照明技術 192 8.2 掩模版工程 195 8.2.1 光學鄰近效應修正 195 8.2.2 相移掩模 196 8.3 表面反射和駐波的抑制 197 8.4 電子束光...
