非光學光刻

非光學光刻的兩個最有希望的曝光源是短波長光子（X射線）和高能電子（電子束）。對兩個光源來說發生在光刻膠和底層物質中的相互作用實際上有點類似。用於光刻的典型X射線源發射能量為1~10kev的光子。

基本介紹

• 中文名：非光學光刻
• 所屬學科：科學技術+光學

定義

非光學光刻中當光子入射到入射到一個固體上的時候，會有許多可能的相互作用。但是，最有可能的相互作用是光電子吸收和康普頓效應。

原理

在電子束光刻中，電子與固體之間相互作用是最重要的。當高能量的電子進入固體時，他們可直線通過、彈性散射或非彈性散射。

特點介紹

非光學光刻的一般特徵是使用超短波長的能源。

套用

電子束光刻（EBL）系統可以用來製造光刻掩模版，亦可用來在晶圓上直寫產生圖形。主要套用EBL技術來製造光刻掩模版，因為它具有精密確定小特徵尺寸的能力。只寫EBL系統可分為光柵和矢量掃描兩類，並具有固定或可變的電子束幾何形狀。