雷射直寫光刻系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2015年4月17日啟用。
雷射直寫光刻系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2015年4月17日啟用。技術指標雷射波長405納米，最高解析度0.6微米，最大樣品尺寸：8英寸。1主要功能與通過物理掩模板進行光照的傳統工藝不同，激...
雷射直寫系統的基本結構如圖《雷射直寫系統基本結構簡圖》所示，主要由He-Cd雷射器、聲光調製器、投影光刻物鏡、CCD攝像機、顯示器、照明光源、工作檯、調焦裝置、He-Ne雷射干涉儀和控制計算機等部分構成。雷射直寫的基本工作流程是：用計算機產生設計的微光學元件或待製作的VLSI掩摸結構數據；將數據轉換成直寫系統...
無掩膜雷射直寫光刻系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2017年5月8日啟用。技術指標 線寬解析度：需同時具有高解析度（優於1um）和低解析度（優於5um）兩種獨立工作的模式，且兩種解析度模式可由軟體自由切換；c、*線寬均勻性：優於250nm；d、*邊緣粗糙度：優於100nm；e、*對準精度：優於200nm。主要功能 ...
紫外高速雷射直寫光刻系統虛擬仿真實驗項目是浙江科技學院建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 對紫外高速雷射直寫光刻系統I藝進行虛擬仿真實驗，作為真實實驗的有效補充，旨在培養學生接觸現代工業界先進光刻工藝，增進其對器件工藝原理、流程的了解、認識，並激發學生的學習興趣和創新思維,並增強學生的虛擬仿真實踐...
雷射直寫系統 雷射直寫系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2010年12月13日啟用。技術指標 精度：2um；製備光刻版尺寸：3寸和5寸。主要功能 製版、光刻。
雷射直寫光刻機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器，於2012年12月24日啟用。技術指標 設備採用高功率LED（λ：405nm）光源和全自動對焦、對準技術，長壽命、低功耗。採用專利技術的LED固體光源和高精密光柵尺定位工作平台，可實現0.65um的亞微米解析度光刻及0.6um的套刻精度。主...
雷射直寫系統的基本結構如圖所示，主要由He-Cd雷射器、聲光調製器、投影光刻物鏡、CCD攝像機、顯示器、照明光源、工作檯、調焦裝置、He-Ne雷射干涉儀和控制計算機等部分構成。雷射直寫的基本工作流程是：用計算機產生設計的微光學元件或待製作的VLSI掩摸結構數據；將數據轉換成直寫系統控制數據，由計算機控制高精度雷射...
步進式雷射直寫曝光系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2019年5月27日啟用。技術指標 最大基板尺寸7inch×7inch；有效曝光面積200mm×200mm。 樣品尺寸要求：邊長1.5cm以上；最大基板厚度6mm。 雷射波段405nm；雷射能量300mW。 配0.6μm、1μm、2μm三種不同解析度雷射寫頭。
高精雷射直寫光刻機是一種用於交通運輸工程領域的工藝試驗儀器，於2018年4月18日啟用。技術指標 1、 可實現最小線寬 1μm_x000D_ 2、 套刻對準精度 ≤ 0.5 μm_x000D_ 3、 採用360~375nm波段進口半導體固體雷射器，支持SU-8負型光刻膠_x000D_ 4、 真空吸附式裝載夾具，能夠滿足1～6英寸方形基片的...
雷射直寫設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2018年10月12日啟用。技術指標 1、在工作條件下（恆溫恆濕），雷射直寫最小加工線寬≤300nm。 2、雷射直寫設備的雷射器功率可調，可實現灰度光刻（無掩膜板），具備256種雷射功率，雷射波長405nm，直寫速度≥1mm2/min。 3、能夠在±0.5mm或更大範圍內自動...
台式雷射直寫光刻機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2018年12月03日啟用。技術指標 1. 無需物理掩膜板 2. 解析度：1.0um 3. 直寫速度（mm2/min）：3@1um res 4. 邊緣粗糙度：優於200nm 5. 常規對準精度：2um，可視化對準精度：200nm。主要功能 製作圖形電極 製備半導體器件。
直寫前預檢查 軟體可以實時顯微觀測基體表面，並顯示預直寫圖形位置。通過調整位置、角度，直到設計圖形按要求與已有結構重合，保證直寫準確。標記物自動識別 點擊“Bulls-Eye”按鈕，系統自動在顯微鏡圖像中識別光刻標記。標記物被識別後，將自動將其移動到顯微鏡中心位置。光學輪廓儀 Microwriter ML3 配備光學輪廓探測...
高速旋轉雷射直寫光刻機 高速旋轉雷射直寫光刻機是一種用於物理學、材料科學領域的科學儀器，於2014年11月28日啟用。技術指標 雷射波長405 nm，解析度達100nm。主要功能 通過雷射與材料的相互作用，調節樣品台旋轉及X軸運動速度，可以實現類光柵結構點線陣列、任意圖形和灰度圖形的激光刻寫。
溫度控制：+/-0.1℃；可接受最大基板尺寸：9”*9”； 有效光刻面積：200*200m2；可接受基材厚度：0-6mm； 氦氖雷射干涉儀解析度：10nm 套刻對準精度：100nm-150nm。主要功能 該系統主要用於塗有光組織的各種基片，玻璃，矽片，或其他平面材料的雷射圖形直寫。 適用於掩膜版的試製和直接進行描寫的研究開發。
因為浸沒式光刻系統的原理清晰而且配合現有的光刻技術變動不大，目前193nm ArF準分子雷射光刻技術在65nm以下節點半導體量產中已經廣泛套用；ArF浸沒式光刻 技 術 在45nm節 點 上 是 大 生 產 的 主 流 技 術。為把193i技術進一步推進到32和22nm的技術節點上，光刻專家一直在尋找新的技術，在沒有更好的新光...
衍射受限的光刻光在光刻膠層上的曝光區域因此受到此通光孔的進一步約束，從而實現100nm量級的超分辨雷射光刻。結題摘要 超分辨光刻能產生亞波長線條，可用於超表面、超材料等微納結構。本研究以遠場光調製近場光為基本原理，將渦旋光誘導光致變色材料不透明機制加入聚焦雷射直寫系統中，實現亞波長線寬製作。 研...
基於雙光子工藝基礎的雷射直寫系統，以雷射對UV波段感光的高分子光敏材料、光刻膠進行微納米尺度三維立體曝光成形。可以套用於納微米尺度三維立體器件製作，套用在高端科學研究：光子晶體，微納光學器件，超材料，隱身材料，生命科學，細胞培養，微流道，生物晶片，微系統，微光學，仿生學，光通信研究，功能性材料研究，...
同時擁有包括低溫掃描隧道顯微鏡（STM）、基於原子力平台的掃描探針系統、掃描電子顯微鏡、雷射直寫光刻系統、基於電鏡的電子束曝光系統、14特斯拉300 mK低溫強磁系統、多目標低溫掃描探針系統、低溫探針台、具有兩路TOPAS的飛秒雷射系統、OPO可變頻雷射系統、深紫外EXCIMER雷射系統，並建成了包括雷射直寫、電子束曝光，反應...
利用飛秒雷射直寫技術，可以在透明材料內部實現三維立體微納加工。基於上述優點，該技術已成為微製造領域的研究熱點，在微流體、微電子、微光學、微機電系統和生物醫學等領域已展露出重要的套用前景。特別是作為光子學領域的重要前沿，回音壁模式的光學微腔能把光能量長時間限制在小體積內，在量子光學及量子電動力學領域...
高精度的光柵是微納光學的關鍵器件，在天文衛星攝譜儀、光通訊以及雷射聚變工程等領域有重要的國家需求，國家關於大面積、高精度光柵的研製任務，然而無論是採用傳統方法諸如機械刻劃還是全息曝光的方式，都無法有效突破大面積光柵研製的瓶頸。.本項目的目標是將達曼光柵引入到傳統的單光路雷射直寫系統中，通過設計合理的...
極紫外光刻機，選取了新的方案來進一步提供更短波長的光源。目前主要採用的辦法是將準分子雷射照射在錫滴液發生器上，激發出13.5nm的光子，作為光刻機光源。ASML（阿斯麥） 目前其是全世界唯一一家能夠設計和製造EUV光刻機設備的廠商。根據操作方式的不同。可分為接觸式光刻、直寫式光刻、投影式光刻。接觸式光刻...
在基於達曼光柵的並行雷射直寫的基礎上，開展大尺寸、高密度光柵的製備技術研究，發明了旋轉達曼光柵技術，實現了皮米級光柵周期均勻度的調諧。通過旋轉二維達曼光柵，使得形成的光斑點陣相對於垂直掃描方向旋轉一個小角度，通過高精度電動旋轉台，實現周期精度皮米級調諧；設計了調平聚焦伺服系統，該系統可用於大面積光柵...
主要功能 μPG501是一款非常經濟，方便使用的細微圖形刻畫雷射直寫掩膜板製造設備，包括二極體雷射器，雷射干涉儀，聲光調製器，投影光刻物鏡，自動聚焦裝置，工作檯，alignment 用照相機，顯示器，照明光源，工作檯，控制計算機，基於MS Windows系統的控制軟體等，支持多種圖形格式。
經查，蘇大維格生產的光刻機實際為“雷射直寫光刻設備”，與大眾通常認為的生產晶片的光刻機並非同一概念。在明知資本市場普遍關注晶片用光刻機情況下，蘇大維格在互動易平台回答中，將其生產的雷射直寫光刻設備直接簡稱為“光刻機”，未準確完整披露公司所銷售光刻設備的種類和具體套用領域，且在回覆中將“光刻機”...
■ 3000倍光學顯微鏡(配CCD圖象系統)1台(日本產)■ 多功能高分子材料物化特性測試儀(國產)■ 10mx5m隔振工作檯和光學工作站 ■ 硬度測量儀(英國產)■ 高性能源表和IV/CV測量系統(器件電子性能、材料介電特性表征)■ 界面接觸角和表面張力分析儀 ■ 比表面和空隙率分析儀 ■ 飛秒雷射直寫加工系統(德國產)
分步重複是光學術語。在積體電路製造工藝光刻模組中需要使用掩模來進行曝光。利用雷射直寫系統和電子束直寫系統製造掩模版時，可以直接在掩模基片上掃描曝光出與分步重複方式一樣的陣列掩膜圖形。光學掩模製造設備或者光刻設備採用分步重複的方法把一個（或者一組）晶片圖形以陣列的排列方式曝光在感光基片上，以此來實現掩...
2014年10月14日，由合肥芯碩半導體有限公司自主研製、擁有完全自主智慧財產權的國內首台雷射直寫成像防焊曝光機Galaxy100正式交付使用。該機對準精度和資料解析度等技術指標均達到了國際領先水平。憑藉對市場的深刻認識和準確把握，芯碩搶抓市場機遇，充分發揮八年半導體直寫光刻科技攻關積累的巨量技術資產，積極應對、快速反應...
研究成果套用於納米機械加工工具機、雷射直寫光刻機及基於原子力顯微鏡的納米測量儀等裝備。結題摘要 微結構的銑削加工裝備、雷射直寫光刻機、基於AFM 的掃描測量裝備以及航天飛行器雷射通訊的指向系統等要求伺服系統具有毫米級運動行程和納米級位移定位解析度。針對以上需求存在的科學問題，本項目首先提出跨尺度運動納米定位...
雷射直寫的最大優點是器件定位後可一次寫出多個相位階數或連續相位的二元光學器件，從而避免了多次掩模套刻喪失的共軸精度。雷射直寫製作微透鏡陣列的工藝過程可以分為三步：使用CAD設計出微透鏡陣列的曝光結構，並傳入雷射直寫設備的系統當中；將塗敷有光刻膠的基片放置於直寫平台，對光刻膠進行雷射寫入；對曝光後的...
(1)成本高。所涉及設備,如超高真空分子束外延及原位表征系統( MBE-SPM系統)、雷射直寫光刻系統等價格昂貴維護成本高,且每生長-爐IVI族半 導體外延材料需耗費幾千元、耗時十幾個小時,耗時、耗材。(2)對環境條件要求苛刻。需超高真空等極端環境。(3)微觀機理難以展示。內容複雜深奧、概念抽象難懂且設備封裝程度高,...
