雷射直寫機是一種用於電子與通信技術領域的儀器，於2014年09月18日啟用。
雷射直寫機是一種用於電子與通信技術領域的儀器，於2014年09月18日啟用。技術指標灰塵粒子過濾等級：10級；氣體流量控制：0.3-0.5m/s； 溫度控制：+/-0.1℃；可接受最大基板尺寸：9”*9”； 有效光刻面積...
無掩膜雷射直寫光刻機是一種利用雷射直接在光刻膠上曝光製作所需圖案的設備，其適用於實驗室和科研機構，能夠進行微納尺度的光刻加工。概念 小型台式無掩膜光刻機Microwriter ML3，通過雷射直寫在光刻膠上直接曝光製作所需要的圖案，而無需掩膜版，專為實驗室設計開發，適用於各種實驗室桌面。技術特徵 Focus...
雷射直寫設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2018年10月12日啟用。技術指標 1、在工作條件下（恆溫恆濕），雷射直寫最小加工線寬≤300nm。 2、雷射直寫設備的雷射器功率可調，可實現灰度光刻（無掩膜板），具備256種雷射功率，雷射波長405nm，直寫速度≥1mm2/min。 3、能夠在±0.5mm或更大範圍內自動...
雷射直寫光刻機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器，於2012年12月24日啟用。技術指標 設備採用高功率LED（λ：405nm）光源和全自動對焦、對準技術，長壽命、低功耗。採用專利技術的LED固體光源和高精密光柵尺定位工作平台，可實現0.65um的亞微米解析度光刻及0.6um的套刻精度。主...
小型雷射直寫儀是一種用於生物學領域的分析儀器，於2013年11月15日啟用。技術指標 具備375nm的LED直寫頭,刻寫最小尺寸結構是1 μ m ，可以達到50 mm2 /min 的書寫速度。設備可套用於MEMS，BioMEMS，集成光路，微流體套用以及其他需要高精度解析度的微觀結構套用領域。主要功能 μPG501是一款非常經濟，方便使用的...
高精雷射直寫光刻機是一種用於交通運輸工程領域的工藝試驗儀器，於2018年4月18日啟用。技術指標 1、 可實現最小線寬 1μm_x000D_ 2、 套刻對準精度 ≤ 0.5 μm_x000D_ 3、 採用360~375nm波段進口半導體固體雷射器，支持SU-8負型光刻膠_x000D_ 4、 真空吸附式裝載夾具，能夠滿足1～6英寸方形基片的...
雷射直寫曝光機 雷射直寫曝光機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月29日啟用。技術指標 最小線寬0.7μm；曝光效率110 mm2/min。主要功能 製備光刻版；微納圖形光刻。
雷射直寫是利用強度可變的雷射束對基片表面的抗蝕材料實施變劑量曝光，顯影后在抗蝕層表面形成所要求的浮雕輪廓。雷射直寫系統的基本工作原理是由計算機控制高精度雷射束掃描，在光刻膠上直接曝光寫出所設計的任意圖形，從而把設計圖形直接轉移到掩模上。雷射直寫系統的基本結構如圖《雷射直寫系統基本結構簡圖》所示，...
台式雷射直寫光刻機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2018年12月03日啟用。技術指標 1. 無需物理掩膜板 2. 解析度：1.0um 3. 直寫速度（mm2/min）：3@1um res 4. 邊緣粗糙度：優於200nm 5. 常規對準精度：2um，可視化對準精度：200nm。主要功能 製作圖形電極 製備半導體器件。
雷射直寫光刻系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2015年4月17日啟用。技術指標 雷射波長405納米，最高解析度0.6微米，最大樣品尺寸：8英寸。主要功能 與通過物理掩模板進行光照的傳統工藝不同，雷射直寫是通過電腦控制一系列雷射脈衝的開關，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。 15個藍光...
雷射圖形化直寫設備是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年3月6日啟用。技術指標 1、最大光刻幅面：200mm×200mm；2、光刻速度（以鉻掩模板光刻工藝評價）：大於300mm2/分鐘（1um解析度）；大於50mm2/分鐘（0.5um解析度）；大於20mm2/分鐘（0.1um解析度周期圖形）3、支持數據格式：GDSII、DXF、BMP（...
雷射直寫系統 雷射直寫系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2010年12月13日啟用。技術指標 精度：2um；製備光刻版尺寸：3寸和5寸。主要功能 製版、光刻。
高速旋轉雷射直寫光刻機 高速旋轉雷射直寫光刻機是一種用於物理學、材料科學領域的科學儀器，於2014年11月28日啟用。技術指標 雷射波長405 nm，解析度達100nm。主要功能 通過雷射與材料的相互作用，調節樣品台旋轉及X軸運動速度，可以實現類光柵結構點線陣列、任意圖形和灰度圖形的雷射刻寫。
三維飛秒雷射直寫儀是一種用於力學領域的雷射器，於2017年4月28日啟用。技術指標 1.真正三維亞微米結構製作能力, 加工工藝為雙光子聚合；2.具有寬廣的可加工光敏材料選擇的自由度,包含: SU-8, Ormocere, PDMS, PEG-DA, AZ 系列, IP-L系列等；3.二維平面可加工範圍最小達 100 x 100 mm2；4.三維移動工件...
四軸雷射圖形化直寫設備是一種用於機械工程領域的科學儀器，於2018年12月25日啟用。技術指標 最小結構尺寸0.2um 具有三個不同解析度的光學鏡頭，支持基底厚度1-15mm支持Z軸基底翹曲100um 支持掃描曝光，灰度曝光，拖曳曝光 書寫速度不小於10mm2/[email protected];40mm2/[email protected];80mm2/[email protected]; 套刻精度小於...
複合坐標雷射直寫設備 複合坐標雷射直寫設備是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2010年11月11日啟用。技術指標 a．直角坐標寫入口徑:250mm×400mm; b．極坐標寫入口徑：Φ500mm；。主要功能 a．平面及曲面極坐標寫入； b．X-Y-Z直角坐標寫入；。
投影光刻物鏡、CCD攝像機、顯示器、照明光源、工作檯、調焦裝置、He-Ne雷射干涉儀和控制計算機等部分構成。雷射直寫的基本工作流程是：用計算機產生設計的微光學元件或待製作的VLSI掩摸結構數據；將數據轉換成直寫系統控制數據，由計算機控制高精度雷射束在光刻膠上直接掃描曝光；經顯影和刻蝕將設計圖形傳遞到基片上。
步進式雷射直寫曝光系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2019年5月27日啟用。技術指標 最大基板尺寸7inch×7inch；有效曝光面積200mm×200mm。 樣品尺寸要求：邊長1.5cm以上；最大基板厚度6mm。 雷射波段405nm；雷射能量300mW。 配0.6μm、1μm、2μm三種不同解析度雷射寫頭。
飛秒雷射三維直寫系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年06月20日啟用。技術指標 雷射波長：780 nm；雷射功率：120 mW；2D解析度：120 nm；Z軸解析度：1 μm；樣品台移動範圍：100 mm X 100 mm。主要功能 飛秒雷射三維直寫技術可用來加工多維度、跨尺度的複雜三維微納米結構，在光子晶體、...
無掩膜雷射直寫光刻系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2017年5月8日啟用。技術指標 線寬解析度：需同時具有高解析度（優於1um）和低解析度（優於5um）兩種獨立工作的模式，且兩種解析度模式可由軟體自由切換；c、*線寬均勻性：優於250nm；d、*邊緣粗糙度：優於100nm；e、*對準精度：優於200nm。主要功能 ...
無掩膜雷射直寫曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年12月14日啟用。技術指標 最大加工晶片尺寸：直徑230mm、厚6mm； 最大加工區域：200mm直徑的圓型區域； 工作檯最大行程- X軸250 mm； 滑座最大行程- Y軸250 mm； 主軸最大行程- Z軸15 mm； 可選雷射解析度：0.6,1.0 , ...
矽片等；微溝道深寬比：≥6:1；最小溝道寬度：20um；單個掃描區域內精度：2um；定位方式：CCD定位；軟體：可控制雷射脈衝個數；控制每一個雷射脈衝的能量、重複次數；控制雷射加工方式，如同心圓型、螺旋型等；可加工多階盲槽。主要功能 雷射直寫電路，剛性和柔性材料鑽孔切割，成型TCO/ITO，LTCC切割鑽孔。
掃描雷射微納直寫系統是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的雷射器，於2017年11月2日啟用。技術指標 最大樣品尺寸155×155×7mm；最大直寫面積149mm x 149mm；曝光光源405 nm LED 1.5W；雷射源壽命：連續工作時間大於10000小時；直寫解析度1μm；直寫速度20mm2/min @ 1μm；集成高倍光學顯微鏡...
產品特點 1、利用加熱針尖直接刻寫圖案；2、利用雷射熱揮發實現圖案化；3、原位AFM輪廓成像；4、利用原位AFM實現精準的對準，從而實現無掩膜套刻及寫場拼接；5、閉環光刻；6、灰度曝光，解析度及精度達到2nm；7、良好的隔音及隔振性能；8、無需潔淨間，亦無特殊的實驗室環境要求 ...
(1) 掌握紫外高速雷射直寫光刻機的基本工作原理和直寫操作方法。(2)熟練掌握紫外高速雷射直寫光刻工藝的全過程。(3) 掌握無掩膜光刻實驗過程中的安全事項和關鍵參數設定，為真實的光刻實驗提供最佳化的參數，指導實際的實驗操作，實現虛實結合。(4) 通過虛擬仿真實驗平台，提供給需要光刻的多學科學生和科研人員學習，...
《利用飛秒雷射直寫技術實現高品質因子三維微腔研究》是依託中國科學院上海光學精密機械研究所，由程亞擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 飛秒雷射脈衝具有極短的脈衝寬度和極高的峰值功率，與物質相互作用時呈現出強烈的非線性效應。它的多光子吸收機制可用來加工長脈衝無法加工的透明介質。由於飛秒脈衝作用時間極短，...
本項目立足於申請團隊良好的先期工作基礎，提出研製基於步進自轉掃描這一創新方案的高速飛秒納米直寫裝置。主要思想是將現有飛秒雷射納米加工的直寫控制技術和DVD的光碟伺服技術有機結合，具體通過對載物盤的穩定自轉控制、動作部件精密時序控制、運動誤差溯源和比特環定址糾偏等關鍵科學和技術問題的研究，實現高精度環式...
2023年10月13日，據證監會網站，上市公司蘇州蘇大維格科技集團股份有限公司發布關於公司“光刻機”生產銷售的不實信息，導致股價異動，引發市場質疑。證監會立即部署，迅速立案，查明事實，嚴肅懲處，已向上市公司及相關責任人送達了《行政處罰事先告知書》。經查，蘇大維格生產的光刻機實際為“雷射直寫光刻設備”，與...
作為骨幹研製人員，參加研製了“大口徑雷射直寫機”項目，主要負責雷射檢焦系統的研製，完成了雷射直寫過程中粗、精聚焦系統。學術兼職 2006年–至今：國家質檢總局全國幾何量工程參量計量技術委員會 委員 2009年–至今：中國計量測試學會儀器計量專業委員會（國家二級）委員 2006年–2010年：中國計量測試學會幾何量計量...
合肥芯碩半導體有限公司是國內首家半導體直寫光刻設備製造商，致力於直寫光刻設備（ATD）、晶圓檢測設備（ATI）、雷射直寫成像設備（LDI）的研發與製造，設備廣泛套用於IC晶片製造、掩膜版、MEMS、生物晶片、PCB、IC Substrate、TouchPanel、LED等影響轉移領域。2007年研製出我國首台具有完全自主智慧財產權的直寫式光刻機，...
