步進式雷射直寫曝光系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2019年5月27日啟用。
基本介紹
- 中文名：步進式雷射直寫曝光系統
- 產地：德國
- 學科領域：信息與系統科學相關工程與技術
- 啟用日期：2019年5月27日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
最大基板尺寸7inch×7inch；有效曝光面積200mm×200mm。 樣品尺寸要求：邊長1.5cm以上；最大基板厚度6mm。 雷射波段405nm；雷射能量300mW。 配0.6μm、1μm、2μm三種不同解析度雷射寫頭。 最小特徵尺寸：0.6um、1um、2um。 描繪格線：10nm、50nm、100nm。 線寬均勻性：60nm、130nm、180nm。 套刻對準精度：0.1μm、0.25μm、0.4μm。 光繪速度：6mm2/分鐘、150mm2/分鐘、600mm2/分鐘。
主要功能
該設備可用於：1.光刻掩模版製備；2.微納圖形直寫。 傳統雷射刻蝕過程中，需要先利用特定圖形的掩模版對光刻膠曝光。但是在產品研發階段，樣品圖案需要經常修改，而掩模版製作較耗時，不能滿足研究者縮短研發周期的需求。雷射直寫系統則專門為研究機構提供了這樣一個快捷靈活的解決方案。它可以在不需要掩模版的情況下，直接對光刻膠書寫圖案，從而使得雷射刻蝕過程更加快捷方便，在研發初期可以大大縮短實驗周期，節省時間。 該設備採用雷射作為光源，透過高精度的光學透鏡組，最小直寫精度可以達到0.6um，而且工作檯平台定位雷射干涉儀解析度10 nm，能夠精準的提高光刻圖形的提高光刻圖形的質量，實現大面積高精度無掩膜直。
