雷射直寫光刻機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器,於2012年12月24日啟用。
基本介紹
- 中文名:雷射直寫光刻機
- 產地:中國
- 學科領域:物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程
- 啟用日期:2012年12月24日
雷射直寫光刻機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器,於2012年12月24日啟用。
雷射直寫光刻機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器,於2012年12月24日啟用。技術指標設備採用高功率LED(λ:405nm)光源和全自動對焦、對準技術,長壽命、低功耗。採用專利技術的LE...
高精雷射直寫光刻機是一種用於交通運輸工程領域的工藝試驗儀器,於2018年4月18日啟用。技術指標 1、 可實現最小線寬 1μm_x000D_ 2、 套刻對準精度 ≤ 0.5 μm_x000D_ 3、 採用360~375nm波段進口半導體固體雷射器,支持SU-8負型光刻膠_x000D_ 4、 真空吸附式裝載夾具,能夠滿足1~6英寸方形基片的...
台式雷射直寫光刻機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2018年12月03日啟用。技術指標 1. 無需物理掩膜板 2. 解析度:1.0um 3. 直寫速度(mm2/min):3@1um res 4. 邊緣粗糙度:優於200nm 5. 常規對準精度:2um,可視化對準精度:200nm。主要功能 製作圖形電極 製備半導體器件。
無掩膜雷射直寫光刻機可以在光刻膠上直接曝光繪出所需要的圖案,而不需要掩膜版。概念 小型台式無掩膜光刻機Microwriter ML3,通過雷射直寫在光刻膠上直接曝光製作所需要的圖案,而無需掩膜版,專為實驗室設計開發,適用於各種實驗室桌面。技術特徵 Focus Lock自動對焦 Focus Lock技術是利用自動對焦功能對樣品表面...
高速旋轉雷射直寫光刻機 高速旋轉雷射直寫光刻機是一種用於物理學、材料科學領域的科學儀器,於2014年11月28日啟用。技術指標 雷射波長405 nm,解析度達100nm。主要功能 通過雷射與材料的相互作用,調節樣品台旋轉及X軸運動速度,可以實現類光柵結構點線陣列、任意圖形和灰度圖形的雷射刻寫。
雷射直寫光刻系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年4月17日啟用。技術指標 雷射波長405納米,最高解析度0.6微米,最大樣品尺寸:8英寸。主要功能 與通過物理掩模板進行光照的傳統工藝不同,雷射直寫是通過電腦控制一系列雷射脈衝的開關,在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。 15個藍光...
極紫外光刻機,選取了新的方案來進一步提供更短波長的光源。目前主要採用的辦法是將準分子雷射照射在錫滴液發生器上,激發出13.5nm的光子,作為光刻機光源。ASML(阿斯麥) 目前其是全世界唯一一家能夠設計和製造EUV光刻機設備的廠商。根據操作方式的不同。可分為接觸式光刻、直寫式光刻、投影式光刻。接觸式光刻...
紫外高速雷射直寫光刻系統虛擬仿真實驗項目是浙江科技學院建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 對紫外高速雷射直寫光刻系統I藝進行虛擬仿真實驗,作為真實實驗的有效補充,旨在培養學生接觸現代工業界先進光刻工藝,增進其對器件工藝原理、流程的了解、認識,並激發學生的學習興趣和創新思維,並增強學生的虛擬仿真實踐...
世界三 大光刻機 生產商ASML,Nikon和Cannon的第 一 代 浸 沒 式 光 刻 機 樣 機 都 是 在 原 有193nm乾式光刻機的基礎上改進研製而成,大大降低了研發成本和風險。因為浸沒式光刻系統的原理清晰而且配合現有的光刻技術變動不大,目前193nm ArF準分子雷射光刻技術在65nm以下節點半導體量產中已經廣泛套用;...
產品特點 1、利用加熱針尖直接刻寫圖案;2、利用雷射熱揮發實現圖案化;3、原位AFM輪廓成像;4、利用原位AFM實現精準的對準,從而實現無掩膜套刻及寫場拼接;5、閉環光刻;6、灰度曝光,解析度及精度達到2nm;7、良好的隔音及隔振性能;8、無需潔淨間,亦無特殊的實驗室環境要求 ...
7.2.2 雷射直寫光刻 176 7.3 無衍射極限的光學光刻 180 7.3.1 近場光刻 180 7.3.2 光學非線性光刻 183 7.4 三維光學光刻 187 7.4.1 灰度光刻 187 7.4.2 三維干涉光刻 189 7.4.3 立體光刻與 3D微列印技術 190 7.5 關於無光光刻的幾點建議 193 7.6 總結193 參考文獻 194 第8章 光刻投影...
第7章投影成像以外的光刻技術 7.1非投影式光學光刻: 接觸式和接近式光刻_176 7.1.1圖像形成和解析度限制_176 7.1.2技術實現_179 7.1.3先進的掩模對準光刻_182 7.2無掩模光刻_186 7.2.1干涉光刻_186 7.2.2雷射直寫光刻_189 7.3無衍射限制的光刻_194 7.3.1近場光刻_195 7.3.2利用光學非...
工程研究中心的實驗室有:“大幅面雷射干涉光刻裝置”、“大幅面精密雷射圖形直寫實驗室”、“精密微納模具與電鑄實驗室”、“納米壓印實驗室”、“大口徑衍射光學器件實驗室”、“大幅面光刻膠塗布實驗室”、“導光與增亮器件實驗室”。工程研究設施:柔性製造與材料中試線(大型塗布系統、蒸鍍設備、轉移設備、刻蝕...
5.5 雷射三維微納列印技術套用前沿 123 5.5.1 生物醫療 123 5.5.2 能源行業 124 5.5.3 光學領域 126 5.6 總結 128 參考文獻 129 第6章 飛秒雷射非線性光刻技術及套用 138 6.1 引言 138 6.2 非線性光刻機理 139 6.2.1 多光子吸收過程 139 6.2.2 雙光子聚合過程 140 6.3 光刻膠種類與...
為了提高解析度,光學曝光機的波長不斷縮小,從436mm、365mm的近紫外(NUV)進入到246 mm、193mm的深紫外(DUV)。246nm的KrF準分子雷射,首先用於0.25μm的曝光,後來Nikon公司推出NSR-S204B,用KrF,使用變形照明(MBI)可做到0.15μm的曝光。ASML公司也推出PAS.5500/750E,用KrF,使用該公司的AERILALⅡ...
高精度光刻系統 高精度光刻系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2018年09月03日啟用。技術指標 解析度小於0.8μm。主要功能 集成光電器件製造工藝中圖形的掩膜對準、紫外曝光和納米壓印光刻。
其中,解析度是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式,光刻的解析度受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域,光源有汞燈,準分子雷射器...
經查,蘇大維格生產的光刻機實際為“雷射直寫光刻設備”,與大眾通常認為的生產晶片的光刻機並非同一概念。在明知資本市場普遍關注晶片用光刻機情況下,蘇大維格在互動易平台回答中,將其生產的雷射直寫光刻設備直接簡稱為“光刻機”,未準確完整披露公司所銷售光刻設備的種類和具體套用領域,且在回覆中將“光刻機”...
合肥芯碩半導體有限公司是國內首家半導體直寫光刻設備製造商,致力於直寫光刻設備(ATD)、晶圓檢測設備(ATI)、雷射直寫成像設備(LDI)的研發與製造,設備廣泛套用於IC晶片製造、掩膜版、MEMS、生物晶片、PCB、IC Substrate、TouchPanel、LED等影響轉移領域。2007年研製出我國首台具有完全自主智慧財產權的直寫式光刻機,...
研究成果套用於納米機械加工工具機、雷射直寫光刻機及基於原子力顯微鏡的納米測量儀等裝備。結題摘要 微結構的銑削加工裝備、雷射直寫光刻機、基於AFM 的掃描測量裝備以及航天飛行器雷射通訊的指向系統等要求伺服系統具有毫米級運動行程和納米級位移定位解析度。針對以上需求存在的科學問題,本項目首先提出跨尺度運動納米定位...
■ 3000倍光學顯微鏡(配CCD圖象系統)1台(日本產)■ 多功能高分子材料物化特性測試儀(國產)■ 10mx5m隔振工作檯和光學工作站 ■ 硬度測量儀(英國產)■ 高性能源表和IV/CV測量系統(器件電子性能、材料介電特性表征)■ 界面接觸角和表面張力分析儀 ■ 比表面和空隙率分析儀 ■ 飛秒雷射直寫加工系統(德國產)
待加工的掩膜版由玻璃/石英基片、鉻層和光刻膠層構成。其圖形結構可通過製版工藝加工獲得,常用加工設備為直寫式光刻設備,如雷射直寫光刻機、電子束光刻機等。掩膜版套用十分廣泛,在涉及光刻工藝的領域都需要使用掩膜版,如IC(Integrated Circuit,積體電路)、FPD(Flat Panel Display,平板顯示器)、PCB(Printed...
利用雷射直寫系統和電子束直寫系統製造掩模版時,可以直接在掩模基片上掃描曝光出與分步重複方式一樣的陣列掩膜圖形。光學掩模製造設備或者光刻設備採用分步重複的方法把一個(或者一組)晶片圖形以陣列的排列方式曝光在感光基片上,以此來實現掩模版製造或者矽片光刻,如分步重複精縮機和投影光刻機都採用這種曝光方式。
發展歷史 2023年5月20日,山西北大碳基薄膜電子研究院揭 牌 。科研條件 研究院位於太原市第一實驗室園區,太原市政府提供研發麵積1萬平方米,其中潔淨實驗室面積約5000平方米,包括薄膜電子先進研發平台和碳基積體電路小試線,包括了步進式光刻機、電子束曝光機、雷射直寫、刻蝕機等價值1億元的大型研發設備。
第18章光電子器件工藝技術 18.1光電子器件概述 18.2直接帶隙的無機材料發光二極體 18.3聚合物/有機發光二極體 18.4雷射器 18.5小結 參考文獻 第19章微機電系統 19.1力學基礎知識 19.2薄膜中的應力 19.3機械量到電量的變換 19.4常見MEMS器件力學性質 19.5體微機械製造中的刻蝕技術 19.6體微機械工藝流程...
7.3.2 準分子雷射光源 164 7.4 曝光系統 165 7.4.1 接觸式 166 7.4.2 接近式 166 7.4.3 投影式 167 7.4.4 掩模版 170 7.4.5 環境條件 176 7.5 光刻膠 177 7.5.1 光刻膠類型 177 7.5.2 臨界調製傳輸函式 181 7.5.3 DQN正膠的典型反應 181 7.5.4 二級曝光效應 183 7.5.5 ...
第18章 光電子與光伏器件工藝技術520 18.1 光電子器件概述520 18.2 直接帶隙的無機材料發光二極體522 18.3 聚合物/有機發光二極體526 18.4 雷射器528 18.5 光伏器件概述529 18.6 矽基光伏器件製造技術531 18.7 其他光伏器件製造技術533 18.8 小結535 參考文獻536 第19章 ...