基本介紹
- 中文名:光學掩模板
- 外文名:Mask Reticle
- 又名:光罩
- 簡稱:掩膜板
- 套用:IC FPD等
- 製作方法:濺鍍法
光學掩模板在薄膜、塑膠或玻璃基體材料上製作各種功能圖形並精確定位,以便用於光致抗蝕劑塗層選擇性曝光的一種結構。掩膜版套用十分廣泛,在涉及光刻工藝的領域都需要...
掩模版(mask)簡稱掩模,是光刻工藝不可缺少的部件。掩模上承載有設計圖形,光線透過它,把設計圖形透射在光刻膠上。掩模的性能直接決定了光刻工藝的質量。在投影...
由於採用透射曝光時掩模版會吸收EUV光線,其光強將被大幅削弱。因此,相對於目前的投影式光學系統而言, EUV掩模板將採用反射技術,而非透射技術。...
從硬體角度來看,對準操作涉及三個部分:掩模工件台(reticle stage)、晶圓工件台(wafer stage)和光學探測系統 [1] 。採用掩模板工作檯,在進行曝光工藝時,能夠通過X...
二元掩模版是使用最多的一種掩模版,被廣泛用於365nm(I線)至193nm的浸沒式光...2. 雷射直寫製作二元光學元件掩模研究 .百度文庫.2004-08-25[引用日期2019-04...
掩模製作技術,半導體工藝技術中製作光刻工藝用的光複印掩蔽模版的技術,亦稱製版技術。...
光刻工藝過程可以用光學和化學模型,藉助數學公式來描述。光照射在掩模上發生衍射,衍射級被投影透鏡收集並會聚在光刻膠表面,這一成像過程是一個光學過程,描述這一...
掩模版保護膜 一種很薄的光學透明膜,一般由硝化纖維組成二將該透明膜粘附在框架上,由框架來支承,並私附在光掩模版(或光掩模中間板)卜。它的目的是密封,防止...
作為分步重複精縮機和投影光刻機(步進機)投影鏡頭的物方的掩模母版稱之為中間掩模版。...
(2)通過圖形修正,即在設計掩模版圖形時就考慮到陰影效應,有意地引入修正。在幾何光學中,掩模陰影效應與入射光方向餘弦、吸收層厚度成線性關係,由於還存在複雜的...
金屬玻璃掩模mclal on glass mask以不透光金屬薄膜選擇地覆蓋在坂璃基片上構成的光學掩模版: ...
因此,發煙量的測定是測定燃燒性能的重要內容之一光學煙密度即是用透光率的變化來量度燃燒空間中的渾濁程度、 光學掩模版phntnmask在薄膜、塑膠或玻璃基體材料上...
隨著掩模版上圖形尺寸的減小(即k1減小),MEEF會增大[1] 。圖1 CDwafer隨CD...這類在孤立和密集特性之間的“MEEF差距”可能有助於解釋光學鄰近效應修正(OPC)...
光學鄰近效應修正(Optical Proximity Correction,OPC)就是使用計算方法對掩模版上的圖形做修正,使得投影到光刻膠上的圖形儘量符合設計要求,是一種光刻解析度增強技術...
曝光是利用光照將掩模版上的圖形經過光學系統後投影到光刻膠上,實現圖形轉移,是積體電路製造中光刻工藝的重要工序之一。...
接近式光刻,又稱非接觸式光刻。是一種使塗敷在從片上的光敏材料,經受穿過與其接近但不接觸的光學掩模版的光福照曝光,從而複印出光學掩模版圖形的方法。 ...
光學鄰近校正通過移動掩模版上圖形的邊緣或添加額外的多邊形來糾正這些錯誤。根據寬度和間距約束(即基於規則的OPC),或者是通過使用緊湊的模型動態仿真(即基於模型的OPC...
contact printing一種原始的複製工藝。將光學掩模版圖形面與待光刻區域光致抗蝕劑〔或感光乳膠)表面接觸而曝光。 ...
(3)灰度掩模技術灰度掩模技術利用灰度等級掩模版經一次光刻實現多台階衍射光學元件或連續位相變化的浮雕圖形,然後經刻蝕(或薄膜沉積),將圖形高保真地轉移到基底上...
這一組放置在光源和掩模版之間的反射鏡稱為照明光學系統。掩模版也是反射式的,從掩模反射出的光包含了掩模上圖形的信息,它通過另一組反射鏡投影在晶圓上,實現...
最佳曝光能量(Best exposure energy)給定厚度抗蝕劑曝光顯影后,可精確複製光學掩模版圖形尺寸所必需的光化學輻照(能夠產生光化學反應的電磁輻射)的總累積能量,能量的...