基本介紹
- 中文名：光學鄰近效應修正
- 外文名：Optical Proximity Correction (OPC)
套用條件,基於經驗的光學鄰近效應修正,基於模型的光學鄰近效應修正,
OPC主要在半導體器件的生產過程中使用。在光刻工藝中，掩模上的圖形通過曝光系統投影在光刻膠上，由於光學系統的不完善性和衍射效應，光刻膠上的圖形和掩模上的圖形不完全一致。這些失真如果不糾正，可能大大改變生產出來的電路的電氣性能。
套用條件
一般來說，當晶圓上的線寬小於曝光波長時，必須對掩模上的圖形做鄰近效應修正。例如，使用248nm波長光刻機，當圖形線寬<250nm時，必須使用簡單的修正；當線寬<180nm時，則需要非常複雜的修正。使用193nm波長光刻機，當最小線寬<130nm時，就必須做圖形修正。
基於經驗的光學鄰近效應修正
光學鄰近效應修正首先於250nm技術節點被引入報導光刻工藝中。OPC軟體根據事先確定的規則對設計圖形做光學鄰近效應修正。這種方法的關鍵是修正規則，它規定了如何對各種曝光圖形進行修正。其形式與內容會極大的影響OPC數據處理的效率和修正的精度。修正規則是從大量實驗數據中歸納出來的，隨著計算技術的發展，修正規則也可以通過計算的方法產生。修正規則都是在一定光照條件下產生的。如果光刻工藝條件發生了變化，這些修正規則必須重新修訂。
基於模型的光學鄰近效應修正
基於模型的光學鄰近效應修正從90nm技術節點開始被廣泛套用。它使用光學模型和光刻膠化學反應模型來計算出曝光後的圖形。該方法的關鍵是建立精確的光刻模型，包括光學模型和光刻膠模型，為達到較高的計算速度，這些模型都採用近似模型，其中包含一系列參數，需要實驗數據來進行擬合，以保證模型的精確度。顯然實驗數據越多，模型擬合越精確。但是太多的測試圖形會使得晶圓數據的收集量太大。因此，測試圖形的設計非常關鍵。
