光刻規則檢查是指實施光刻工藝前，通過光刻成像模型提前獲知該晶片設計將來可能面臨的可製造性問題，從而儘可能降低積體電路製造失敗的幾率。 基本介紹 中文名：光刻規則檢查外文名：Layout Versus Rule Check簡稱：LRC 通過套用光學成像模型，在經過光學解析度增強技術處理的光刻版圖上，檢查、搜尋出成像效果不佳的區域。通常通過下一代光學鄰近效應修正（OPC）後驗證工具為代表的光刻成像模擬軟體，結合相應的工藝視窗，對全晶片光掩模版圖進行快速準確地規則熱點檢測，發現可能出現的版圖錯誤，減少後期生產工藝流程中的器件發生故障風險。常包括：關鍵尺寸形變檢查、斷路和橋接驗證、線末端形變檢查、通孔覆蓋檢查、輔助圖形成像檢查和工藝視窗與檢查等。
