線寬指的是IC生產工藝可達到的最小導線寬度，是IC工藝先進水平的主要指標。
基本介紹
- 中文名：線寬
- 全稱：導線寬度
- 含義：IC生產工藝可達到的最小導線寬度
- 地位：IC工藝先進水平的主要指標
4微米/1微米/0.6微米/0.35微米等,是指IC生產工藝可達到的最小導線寬度(注:應為最小溝道寬度,IC工藝的核心是MOS尺寸,所以最小導線寬度的說法不準確),是IC工藝先進水平的主要指標.線寬越小,集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元.
在光學中指光源的線寬，比如雷射線寬。光從雷射器中射出，雷射起振後,會有一個或多個縱模產生,每個縱模的頻率的範圍就是雷射的線寬。注意每個縱模的頻率寬度和縱模之間的間隔是兩個不同的概念,縱模間隔是相鄰兩個縱模中心頻率的差值。雷射線寬由諧振腔的品質因數決定,腔的品質因數越高,雷射線寬就越窄。考慮雷射介質的增益後,雷射的線寬的理論極限由增益介質的自發輻射來決定,例如對於He-Ne,其線寬的理論極限約為10^-3Hz量級。當然實際的雷射器中還有各種線寬展寬機制,使的雷射線寬一般達不到其理論極限,例如對於He-Ne,溫度變化0.01度引起的模式頻率漂移約0.1MHz,實際He-Ne的雷射線寬可達到1MHz,固體雷射器中線寬可達1埃左右。
