線寬粗糙度(Line Width Roughness, LWR)描述的是由於邊緣粗糙導致的光刻膠線寬相對於目標值的偏離。
基本介紹
- 中文名：線寬粗糙度
- 外文名：Line Width Roughness
- 英文縮寫：LWR
線寬粗糙度(Line Width Roughness, LWR)描述的是由於邊緣粗糙導致的光刻膠線寬相對於目標值的偏離。
測量方法
目前對半導體的研究經常採用掃描電子顯微鏡和AFM進行比對測量。
線寬粗糙度是通過高解析度電子顯微鏡測量的。圖1是一條光刻膠線條的示意圖。電鏡觀察視窗中光刻膠線條的長度是L，電鏡對線條等間距的掃描N次。相鄰掃描之間的間距是
，
。
和
是線條的左邊和右邊的邊界。每一次掃描所測得的線條寬度為
平均線寬為
每一次線寬的測量值和平均值的偏差是
。線寬測量的標準偏差為
圖1 一段光刻膠線條的示意圖
但採用 SEM 測量存在以下缺陷: ① 環境要求苛刻，必須在真空中測量樣本。② 要求樣本為導體或半導體，這可能在實際測量中由於SEM使用電子束掃描而損壞某些樣本。③ 只有橫向解析度，不能獲得刻線三維形貌。上述缺點限制了 SEM的套用。AFM由於對樣本的廣泛適用性及能夠獲取樣本的三維圖像，套用領域不斷擴大，已成為SEM的有益補充。
