掩模誤差增強因子

掩模誤差增強因子（Mask Error Enhancement Factor，MEEF）被定義為晶圓上光刻膠線寬（CDwafer）隨掩模上圖形線寬（CDmask）變化的斜率。

基本介紹

• 中文名：掩模誤差增強因子
• 外文名：Mask Error Enhancement Factor
• 英文縮寫：MEEF

掩模誤差增強因子（Mask Error Enhancement Factor，MEEF）被定義為晶圓上光刻膠線寬（CDwafer）隨掩模上圖形線寬（CDmask）變化的斜率，即

式中，掩模圖形的線寬（CDmask）已經按光刻機曝光圖形的縮小倍數折算成了晶圓上的尺寸，對於大多數光刻機是除以4，CDwafer隨CDmask的變化如圖1所示。當圖形尺寸遠大於光刻機的瑞利解析度（Rayleigh resolution limit，λ/NA）時，MEEF較小，基本上為1。也就是說，掩模上圖形線寬的誤差會1：1地反映到光刻膠圖形上，ΔCDwafer=ΔCDmask/4。隨著掩模版上圖形尺寸的減小（即k1減小），MEEF會增大。

圖1 CDwafer隨CDmask的變化示意圖

掩模誤差增強因子(MEEF)用於放大掩模誤差。這可能導致鄰近效應和偏差問題，而且要比成像系統的正常減小因子要大得多。對掩模規格的經濟影響將會是嚴重的。文獻MEEF in Theory and Practice研究了黑暗特徵的MEEF理論描述:孤立的線，孤立的柱，和密集的1:1線/空間特徵。在一般情況下，MEEF的密集特徵是小於1的，而孤立特徵的MEEF總是大於1。這類在孤立和密集特性之間的“MEEF差距”可能有助於解釋光學鄰近效應修正（OPC）對疏密偏差的敏感性。