基本介紹
- 中文名:接近式光刻
- 外文名:proximity print ;non contact printing
接近式光刻,又稱非接觸式光刻。是一種使塗敷在從片上的光敏材料,經受穿過與其接近但不接觸的光學掩模版的光福照曝光,從而複印出光學掩模版圖形的方法。在接近式光刻2中,會連續複製整個矽片圖形,掩模版不與光刻膠直接接觸。它與光刻...
接觸接近式光刻機是一種用於電子與通信技術領域的儀器,於2019年11月8日啟用。技術指標 矽片尺寸 Size 4〞(ф100.0mm) 矽片直徑及偏差 Diameter 100.0mm ±0.25 厚度範圍 Thickness range 650 μm±25μm 總厚度偏差 TTV ≤5um 局部平整度 (site 10mm×10mm)LTV ≤1 um 彎曲度 Bow ≤20um 翹曲度 ...
接近式光刻(Proximity Printing)掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙(Gap),大約為2.5~25 μm。可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷,使掩膜和光刻膠基底能耐久使用;掩膜壽命長(可提高10倍以上),圖形缺陷少。接近式在現代光刻工藝中套用最為廣泛。投影式光刻 投影式光刻(Projection ...
接觸式光刻機 接觸式光刻機是一種用於信息科學與系統科學、能源科學技術、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年7月12日啟用。技術指標 線寬<3um;通用2~6寸mask;良率95以上。主要功能 接觸式光刻,曝光精度1um;。
電子束曝光的波長取決於電子能量,電子能量越高,曝光的波長越短,大 體在10-6nm量級上,因而電子束光刻不受衍射極限的影響,所以電子束光刻可獲得接近於原子尺寸的解析度。但是,由於電子束入射到抗蝕劑及基片上時,電子會與固體材料的原子發生“碰撞”產生電子散射現象,包括前散射和背散射電子,這些散射電子同樣...
6.7.16.xnm波長的超極紫外光刻_162 6.7.2高數值孔徑EUV光刻_162 6.7.3低k1技術: EUV光刻的光學解析度增強技術_166 6.8小結_167 參考文獻_168 第7章投影成像以外的光刻技術 7.1非投影式光學光刻: 接觸式和接近式光刻_176 7.1.1圖像形成和解析度限制_176 7.1.2技術實現_179 7.1.3先進的掩模...
:0.35 um 接觸式樣曝光特徵尺寸CD(近紫外NUV): 0.5 um 支持接近式曝光,特徵尺寸CD:--0.8um 硬接觸--1um 20 um 間距時--2um 50um 間距時 正面對準精度±0.5um 支持正膠、負膠及Su8膠等的厚膠光刻,特徵尺寸:100um-300um 支持LED優異電流控制技術PSS工藝光刻 支持真空、接近式、接觸式曝光 ...
6.7 EUV光刻的光學解析度極限 147 6.7.1 6.xnm波長 EUV光刻 (BEUV光刻) 147 6.7.2 高數值孔徑光刻 148 6.7.3 減小工藝因子k1:EUV光刻解析度增強技術 151 6.8 小結 152 參考文獻 153 第7章 無需投影成像的光學光刻. 163 7.1 無投影物鏡的光學光刻:接觸式與接近式光刻技術 163 7.1.1 成像及...
半導體器件和積體電路對光刻曝光技術提出了越來越高的要求,在單位面積上要求完善傳遞圖像的信息量已接近常規光學的極限。光刻曝光的常用波長是3650~4358 埃,預計實用解析度約為1微米。幾何光學的原理,允許將波長向下延伸至約2000埃的遠紫外波長,此時可達到的實用解析度約為0.5~0.7微米。微米級圖形的光複印技術除...
IPL提供了超越光學光刻之後競爭技術的一些主要系統的優越性,它有十分寬的曝光容限。它與接近式X射線光刻不同,IPL使用投影鏡頭放寬了模版的要求,而且具備波的粒子特性。它建立在廉價的、按標準形狀設計的離子源技術的基礎上。IPL將適合混合匹配工藝技術介入的策略。它的小數值孔徑和大焦深特性支撐著大視場曝光和步進...
1997年由Intel、AMD、Micron、Motorola、SVGL、USAL、ASML組成極紫外有限公司(EUVLLC)和在加州的三個國家實驗室參加,共同研發波長為13nm的極紫外(EUV)光刻機樣機,今年4月在加州Livermore的Sandia國家實驗室推出的樣機被視為光刻的一個重要里程碑。據國際半導體雜誌Aaron Hand介紹,光源是幾個研究單位聯合研製的;...
本書(第二版)特別融合了作者在研究、教學以及世界級大批量製造方面的獨特經驗,增加了關於接近式曝光方面的全新內容,同時更新並擴展了曝光系統、成像、曝光-離焦(E-D)法、硬體組件、工藝和最佳化以及EUV光刻和浸沒式光刻等方面的資料。本書可供半導體光刻領域的工程師、管理者以及研究人員閱讀,還可作為高校微電子、光學...
接近式曝光間距設定範圍:1-999um,設定精度:1um Step. 4.正面雙視場光學CCD顯微鏡,目鏡觀測大於330x;背面雙視場CCD攝像顯微鏡,最大倍率大於400x, 背對準鏡頭無Z軸方向移動,以保證對準精度,並且景深大於6毫米.。主要功能 主要用於微機械感測器研製過程中的光刻工藝,通過汞燈發出紫外光,對光敏材料的照射,使得...
近年來產生了用一般波長(248-365納米)雷射,用一到多層金屬掩模進行接觸接近光學光刻,製作納米結構圖形的新方法,但由於要用雷射作光源和用較複雜結構的多層金屬掩模,光刻效率有限,成本與前者相比雖然大幅下降,但還是比較高,不利於廣泛推廣套用。發明內容 專利目的 《基於等離子波的納米光刻光學裝置》的技術解決...
接近式曝光 接近式曝光指掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙(Gap),Gap大約為0~200μm。可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷,使掩膜和光刻膠基底能耐久使用;掩模壽命長(可提高10 倍以上),圖形缺陷少。接近式在現代光刻工藝中套用最為廣泛。投影式曝光 投影式曝光指在掩膜板與光刻膠之間...
此法是20世紀80年代初期,日本伊賀健一等人提出的。在基質玻璃板表面上光製作1—2μm厚的掩蔽層,再用光刻法作成排列規則的圓形開口陣列。把基板放入熔鹽中進行離子交換,也可外加電場來加快離子交換速度率。此法優點是可一次製成梯折平面微透鏡陣列,缺點是基板製作過程比較複雜。高分子梯度折射率材料的主要製備...
4.2 光學光刻 (212)4.2.1 接觸式和接近式曝光光刻 (212)4.2.2 投射式光刻 (214)4.2.3 先進光學光刻技術和其他改進解析度的方法 (224)4.3 抗蝕膠 (239)4.3.1 抗蝕膠曝光與顯影的原理及類型 (239)4.3.2 (曝光)對比度曲線 (243)4.3.3 塗敷和顯影工藝 (244)4.3.4 抗蝕膠...
經過幾 年來 的實踐,已將先膠後鉻的工藝改為先鉻後膠,也將光刻系統逐步完善為接近式的光刻頭。複製 圓光柵複製一般有蟲膠鍍鉻和光刻膠曝光複製兩種。l ) 蟲膠複製 蟲膠複製的工藝流程是:毛坯清潔處理、塗膠、 曝光、顯影、鍍鉻 2 ) 光刻膠複製 光刻膠複製的工藝流程是:鍍鉻、塗膠、預烘` 曝光、顯影、 ...
恩科優的主要產品是用來生成大規模積體電路的掩膜曝光機,即光刻機,在製造接觸式和接近式光刻機領域具有領先地位,已售出四千台以上光刻工藝系統設備。包括洛克希德·馬丁(Lockheed Martin),希創唐納(Systron Donner),飛利浦(Philips),摩托羅拉(Motorola),美國國家半導體(National Semiconductor)等在內的科研機構...
第7章 光學光刻 7.1 光學光刻概述 7.2 衍射 7.3 調製傳輸函式和光學曝光 7.4 光源系統和空間相干 7.5 接觸式/接近式光刻機 7.6 投影光刻機 7.7 先進掩模概念 7.8 表面反射和駐波 7.9 對準 7.10 小結 習題 參考文獻 第8章 光刻膠 8.1 光刻膠類型 8.2 有機材料和聚合物 8.3 DQN正膠的...
大面積複雜掩模圖形的快速光刻仿真研究 - 儀器儀表學報 - 2010 - 31卷第3期 接近式光刻衍射光場的有效波前作用規律分析 - 光學學報 - 2010 - 30卷第2期 接近式紫外光刻中圖形失真的分析與預修正仿真 - 機械工程學報 - 2010 - 44卷11期 Exploiting critical path method for evaluation of conceptual design -...
第7章光學光刻 7.1光學光刻概述 7.2衍射° 7.3調製傳輸函式和光學曝光 7.4光源系統和空間相干 7.5接觸式/接近式光刻機 7.6投影光刻機 7.7先進掩模概念+ 7.8表面反射和駐波 7.9對準 7.10小結 習題 參考文獻 第8章光刻膠 8.1光刻膠類型 8.2有機材料和聚合物° 8.3DQN正膠的典型反應 8.4對比...
7.1.2光刻的目的 7.1.3光刻的主要參數 7.1.4光刻的曝光光譜 7.1.5光刻的環境條件 7.1.6掩膜版 7.2光刻工藝的基本步驟 7.3正性光刻和負性光刻 7.3.1正性光刻和負性光刻的 概念 7.3.2光刻膠 7.3.3正性光刻和負性光刻的 優缺點 7.4光刻設備簡介 7.4.1接觸式光刻機 7.4.2接近式光刻機...
第7章 光學光刻152 7.1 光學光刻概述152 7.2 衍射°156 7.3 調製傳輸函式與光學曝光158 7.4 光源系統與空間相干性161 7.5 接觸式與接近式光刻機166 7.6 投影式光刻機168 7.7 先進掩模概念+175 7.8 表面反射與駐波178 7.9 對準179 7.10 小結180 習題181 參考...
(18) 厚層接近式光刻中掩模最佳化研究, 強雷射與粒子束, 2015, 通訊作者 (19) Investigation on measurement of mid-frequency wavefront error for large optics in high-power laser system, SPIE, 2015, 第 1 作者 (20) Investigation on optical surface defect extraction algorithm based on background ...
8.4 電子束光刻 199 8.4.1 直寫式電子束光刻 201 8.4.2 電子束光刻的鄰近效應 203 8.4.3 多電子束光刻 205 8.4.4 投影式電子束光刻 206 8.5 X射線光刻 206 8.5.1 接近式X射線光刻 207 8.5.2 X射線光刻用掩模版 208 8.5.3 投影式X射線光刻 210 8.6 側牆轉移技術 210 8.7 多重曝光...
超微細加工的關鍵是形成圖形的曝光方式和光刻方法。當前主流技術仍然是光學曝光,光刻方法已從接觸、接近式、反射投影式、步進投影式發展到步進掃描投影式。採用減少光源波長(由436nm和365nm的汞弧燈縮短到248nm的KrF準分子雷射源再到到193nm的ArF準分子雷射源)的方法可以將微細加工工藝從1μm、0.8μm發展到0....
第7章光刻 71引言 711光刻的概念 712光刻的目的 713光刻的主要參數 714光刻的曝光光譜 715光刻的環境條件 716掩膜版 72光刻工藝的基本步驟 73正性光刻和負性光刻 731正性光刻和負性光刻的 概念 732光刻膠 733正性光刻和負性光刻的 優缺點 74光刻設備簡介 741接觸式光刻機 742接近式光刻機 743掃描投影光刻機...
EVG620掩模對準曝光機襯底尺寸:2 - 6襯底、碎片(單片)掩模版尺寸:最大7對準精度:光刻對準:頂部對準0.5um 底部對準1um鍵合對準:玻璃/矽0.5um 矽/矽1.0um曝光精度:1um曝光模式:軟接觸、硬接觸、真空接觸、接近式曝光曝光參數:350nm-450nm波長汞燈功率:350W-450W光強均勻性:4 主要功能 可以進行單...
本書系統介紹主流光刻技術——光學投影光刻的工作原理、系統組成、套用和發展前景,詳細介紹投影光刻物鏡、掩模矽片對準、雷射定位工件台、分辨力增強技術以及整機集成。 [1] 書名 光學投影曝光微納加工技術(電子束離子束光子束微納加工技術系列專著) 作者 姚漢民、胡松、邢廷文 ISBN...