半導體製造工藝基礎

內容介紹

一年級學生《積體電路製造》課程的教學。該課程授課時間為一個學期，不要求必須開設相應的實驗課。同時，《半導體製造工藝基礎》也可供在半導體工業領域工作的工程師和科學家參考。

《半導體製造工藝基礎》的第一章簡要回顧了半導體器件和關鍵技術的發展歷史，並介紹了基本的製造步驟。第二章涉及晶體生長技術。後面幾章是按照積體電路典型製造工藝流程來安排的。第三章介紹矽的氧化技術。第四章和第五章分別討論了光刻和刻蝕技術。第六章和第七章介紹半導體摻雜的主要技術；擴散法和離子注入法。第八章涉及一些相對獨立的工藝步驟，包括各種薄層澱積的方法。《半導體製造工藝基礎》最後三章集中討論製版和綜合。第九章通過介紹晶體工藝技術、集成器件和微機電系統加工等工藝流程，將各個獨立的工藝步驟有機地整合在一起。第十章介紹積體電路製造流程中高層次的一些關鍵問題，包括電學測試、封裝、工藝控制和成品率。第十一章探討了半導體工業所面臨的挑戰，並展望了其未來的發展前景。《半導體製造工藝基礎》適合於物理、化學、電子工程、化學工程和材料科學等專業本科高年級或碩士研究生

圖書目錄

第1章　引言　
1.1　半導體材料　
1.2　半導體器件　
1.3　半導體工藝技術　
1.4　基本工藝步驟　
1.5　總結　
參考文獻
第2章　晶體生長　
2.1　從熔融矽中生長單晶矽
2.2　矽的區熔（float－zone）法單晶生長工藝
2.3　砷化鎵晶體的生長技術　
2.4　材料特性
2.5　總結
習題
參考文獻
第3章　矽的氧化　
3.1　熱氧化過程
3.2　氧化過程中的雜質再分布
3.3　二氧化矽的掩模特性
3.4　氧化質量
3.5　氧化層厚度特性
3.6　氧化模擬
3.7　總結　
參考文獻
習題
第4章　光刻
4.1　光學光刻（Optical lithography）
4.2　新一代的曝光法
4.3　光刻模擬
4.4　總結　
參考文獻
習題
第5章　刻蝕
5.1　濕法化學刻蝕（wet chemical etching）
5.2　乾法刻蝕
5.3　刻蝕仿真
5.4　總結
參考文獻
習題
第6章　擴散　
6.1　基本擴散工藝
6.2　非本徵擴散　
6.3　橫向擴散　
6.4　擴散模擬
參考文獻
習題
第7章　離子注入
7.1　注入離子的範圍　
7.2　注入損傷和退火
7.3　注入相關工藝
7.4　離子注入模擬
7.5　習題
第8章　薄膜澱積
8.1　外延生長技術
8.2　外延層結構及缺陷　
8.3　電介質澱積
8.4　多晶矽澱積
8.5　金屬化
8.6　澱積模擬
8.7　總結
參考文獻
習題
第9章　工藝集成
9.1　無源單元　
9.2　雙極型工藝
9.3　MOSFET技術
9.4　MESFET技術
9.5　MEMS技術
9.6　工藝模擬
9.7　總結　
參考文獻
習題
第10章　積體電路製造
10.1　電測試　
10.2　封裝
10.3　統計工藝控制
10.4　統計實驗設計　
10.5　成品率
10.6　計算機集成製造
10.7　總結　
參考文獻
習題
第11章　未來趨勢和挑戰
11.1　未來的挑戰
11.2　片上系統　
11.3　總結
參考文獻
習題
附錄

半導體製造工藝基礎

基本介紹

內容介紹

圖書目錄

相關詞條

熱門詞條