準分子雷射光刻（excimer lithography）是2005年公布的航天科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名：準分子雷射光刻
- 外文名：excimer lithography
- 所屬學科：航天科學技術
- 公布時間：2005年
公布時間,出處,
準分子雷射光刻
相關詞條
- 準分子雷射光刻
準分子雷射光刻 準分子雷射光刻（excimer lithography）是2005年公布的航天科學技術名詞。公布時間 2005年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《航天科學技術名詞》第一版。
- 利用F2準分子雷射實現亞半微米光刻
《利用F2準分子雷射實現亞半微米光刻》是依託中國科學院上海光學精密機械研究所，由黃惠傑擔任項目負責人的面上項目。 項目摘要 利用波長為157nm的F2準分子雷射和全反射式縮倍投影光刻物鏡，實現亞半微米光刻分辯率。本研究將證實通過改變成像方式及縮短曝光波長，光學光刻在下世紀初的４兆位半導體器件製造中仍具強大生命...
- 光刻技術
光刻 光刻是平面型電晶體和積體電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化矽)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。準分子光刻技術 準分子光刻技術作為當前主流的光刻技術，主要包括：特徵尺寸為0．1μm的248 nm KrF準分子雷射技術；特徵尺寸為90 nm的193 nm ArF準分子雷射...
- 光刻
因為浸沒式光刻系統的原理清晰而且配合現有的光刻技術變動不大，目前193nm ArF準分子雷射光刻技術在65nm以下節點半導體量產中已經廣泛套用；ArF浸沒式光刻 技 術 在45nm節 點 上 是 大 生 產 的 主 流 技 術。為把193i技術進一步推進到32和22nm的技術節點上，光刻專家一直在尋找新的技術，在沒有更好的新光...
- 寬頻準分子雷射投影光刻研究
《寬頻準分子雷射投影光刻研究》，論文作者：張雨東著，導師：王之江研究員指導，學科專業：光學儀器。副題名 外文題名 學位級別 d 1991n 學位授予單位 中國科學院上海光學精密機械研究所 學位授予時間 1991 關鍵字 雷射光刻 光刻 微電子技術 館藏號 唯一標識符 108.ndlc.2.1100009031010001/T3F24.012002640864 館藏...
- 雷射加工技術
國內比較成熟的雷射打孔的套用是在人造金剛石和天然金剛石拉絲模的生產及鐘錶和儀表的寶石軸承、飛機葉片、多層印刷線路板等行業的生產中。使用的雷射器多以YAG雷射器、CO2雷射器為主，也有一些準分子雷射器、同位素雷射器和半導體泵浦雷射器；7.雷射熱處理：在汽車工業中套用廣泛，如缸套、曲軸、活塞環、換向器、齒輪...
- 光刻機
極紫外光刻機，選取了新的方案來進一步提供更短波長的光源。目前主要採用的辦法是將準分子雷射照射在錫滴液發生器上，激發出13.5nm的光子，作為光刻機光源。ASML（阿斯麥） 目前其是全世界唯一一家能夠設計和製造EUV光刻機設備的廠商。根據操作方式的不同。可分為接觸式光刻、直寫式光刻、投影式光刻。接觸式光刻...
- 半導體光刻技術
246nm的KrF準分子雷射，首先用於0.25μm的曝光，後來Nikon公司推出NSR-S204B，用KrF，使用變形照明（MBI）可做到0.15μm的曝光。ASML公司也推出PAS.5500/750E，用KrF，使用該公司的AERILALⅡ照明，可解決0.13μm曝光。但1999 ITRS建議，0.13μm曝光方案是用193nm或248nm+解析度提高技術（RET）；0.10μm...
- 自種子注入雙腔結構準分子雷射器系統
2017年12月11日，《自種子注入雙腔結構準分子雷射器系統》獲得第十九屆中國專利優秀獎。（概述圖為《自種子注入雙腔結構準分子雷射器系統》摘要附圖）專利背景 隨著半導體工業的發展，大規模積體電路的不斷進步，對光刻技術要求越來越高，作為光刻光源的準分子雷射器對光刻技術的提高有著關鍵作用。這要求準分子雷射...
- 聚矽烷準分子雷射化學反應研究
經熱分析在300℃前不失重,Tg在80℃左右,可用作高分辨光致抗蝕劑.對不同溶劑同一聚矽烷溶液及同一溶劑不同聚矽烷溶液的準分子雷射化學反應研究表明,聚矽烷的結構和螢光猝滅作用對聚矽烷的雷射降解量子產額有較大影響.聚矽烷膜的準分子雷射化學反應研究及光刻試驗表明減少光刻輻照脈衝數和入射劑量是實現亞微米光刻和好...
- 光刻技術(原著第二版)
第 6 章 光學光刻的硬體組件 113 6. 1 光源 113 6. 1. 1 汞弧燈 113 6. 1. 2 準分子雷射器 114 6. 2 照明器 118 6. 2. 1 科勒照明系統 118 6. 2. 2 離軸照明 119 6. 2. 3 任意照明 119 6. 3 掩模 119 6. 3. 1 掩模襯底和吸收體 121 6. 3. 2 保護膜...
- 雷射光刻機
雷射光刻機 雷射光刻機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年9月30日啟用。技術指標 0.6um、405nm雷射顯示解析度好於0.7um，±100nm誤差；對準結構誤差小於±1um。主要功能 對樣品利用雷射進行微納結構的加工。
- 雷射切割機原理
雷射的高相干性：相干性主要描述光波各個部分的相位關係。正是雷射具有如上所述的奇異特性因此在工業加工中得到了廣泛地套用。雷射已廣泛套用到雷射焊接、雷射切割、雷射打孔（包括斜孔、異孔、膏藥打孔、水松紙打孔、鋼板打孔、包裝印刷打孔等）、雷射淬火、雷射熱處理、雷射打標、玻璃內雕、雷射微調、雷射光刻、雷射...
- ArF準分子雷射薄膜偏振效應控制技術研究
ArF準分子雷射器所產生的193nm深紫外波段脈衝雷射在包括材料精細微加工、深紫外光刻、材料處理、雷射打標等在內的雷射工業套用，準分子雷射醫療，以及科學研究等諸多領域具有廣泛套用。本項目圍繞193nm雷射偏振薄膜元件的偏振特性技術進行研究，針對ArF曝光和光刻套用系統，實現製備極低偏振損耗輸出的193nm雷射偏振薄膜，針對...
- 方曉東(中國科學院雷射研究中心博士生導師)
(8)Yinshan Yu, Libing You, Xu Liang, Xiaodong Fang*, 準分子雷射技術進展（邀請評論）. 中國雷射, 2010,37(9)2253-2270 (9)Jinmei Wang, Peichao Zheng, Da Li, Zanhong Deng, Weiwei Dong, Ruhua Tao, Xiaodong Fang*. Preparation of delafossite-type CuCrO2 films by sol–gel method. Journal ...
- 光化學效應
能利用光化學效應切除組織的雷射主要是準分子雷射。這是一類具有高能量光子的紫外脈衝雷射，波長大都在遠紫外段。以193nm氬氟(ArF)準分子雷射為例，它的每個光子具有6.4eV的能量，而生物組織中的碳鏈和膚鏈的分子鍵維持能量僅為3.4eV。在這些光子的衝擊下，分子內部的化學鍵被打斷，斷鍵剩餘的光子能量使靶組織...
- 荷蘭ASML公司
ASML於2012年10月宣布收購美國Cymer公司，以加快EUV的研發進度。Cymer公司是世界領先的準分子雷射源提供商，發明了如今半導體製造中最關鍵的光刻技術所需的深紫外（DUV）光源。產品主要特性是：頻寬窄，運行速度高，可靠性強。Cymer光源在批量生產符合特定規格的的世上最先進的半導體晶片時起著決定性的作用。上調營收...
- LIGA
於是出現了一類套用低成本光刻光源和(或)掩模製造工藝而製造性能與LIGA技術相當的新的加工技術，通稱為準LIGA技術或LIGA-like技術。如，用紫外光源曝光的UV-LIGA技術，準分子雷射光源的Laser-LIGA技術和用微細電火花加工技術製作掩模的MicroEDM－LIGA技術.用DRIE工藝製作掩模的DEM技術等等。其中，以SU-8光刻膠為光敏...
- 納米加工技術
4準分子雷射直寫納米加工技術 準分子雷射(excimer laser)以其高解析度、光子能量大、冷加工、“直寫”特點、無環境污染以及對加工材料廣泛的適應性，使其成為一種重要的MEMs和納米加工技術。5納米壓印技術 於20世紀90年代中葉誕生的納米壓印(naIloimprim limography，NIL)技術，最近被國外稱為“將改變世界的十大新興...
- 周軍(中國科學院上海光學精密機械研究所研究員)
2007年第五屆上海市發明創造專利（發明專利）三等獎，2007年第五屆中國科協期刊優秀學術論文獎，2008年第六屆中國科協期刊優秀學術論文一等獎等獎勵。研究方向 （1）高功率光纖（包括PCF）雷射器與光纖放大器技術；（2）高亮度光纖雷射功率合成技術；（3）新型陶瓷雷射技術；（4）光刻用準分子雷射技術。
- 韓曉泉
（1） 光刻準分子光源研發與產業化, 特等獎, 院級, 2016 （2） 車載系留氣球監測系統，特等獎，部委級，2010 （3）大功率全固態雷射器開發及產業化，一等獎, 部委級, 2008 專利：(1) 一種準分子雷射脈衝能量穩定性控制方法及準分子雷射器，發明，2020，第1作者，ZL202011239030.X (2) 一種...
- 數字製造裝備與技術國家重點實驗室(華中科技大學)
（2）本實驗室承擔了100nm光刻機、RFID電子標籤封裝設備等多個國家級重大專項課題的研究工作，研究成果在100nmArF準分子雷射步進掃描投影光刻機得到成功套用，並研製出我國第一台RFID電子標籤封裝裝備。（3）本實驗室提出了一整套雷射切割、焊接及切焊組合加工新工藝和新方法，研究開發了一批具有自主智慧財產權的高功率...
- 半導體工藝與積體電路製造技術
7.1 光刻工藝概述 159 7.2 光刻工藝流程 160 7.2.1 襯底預處理 161 7.2.2 旋轉塗膠 161 7.2.3 前烘 161 7.2.4 對準與曝光 162 7.2.5 曝光後烘焙 162 7.2.6 顯影 162 7.2.7 堅膜 163 7.2.8 顯影后檢測 163 7.3 曝光光源 163 7.3.1 汞燈 164 7.3.2 準分子雷射光源 164 7.4...
- 稀有氣體
這些雷射器產生波長較短的紫外線，其中ArF產生的紫外線波長為193nm，而KrF為248nm。這種高頻率的雷射使高精密成像成為現實。準分子雷射有諸多工業、醫藥和科學用途。積體電路製造過程中的顯微光刻法和微製造必須用到準分子雷射。雷射手術，例如血管再成形術和眼部手術也需用到準分子雷射。氦氣是除了氫氣以外最輕的氣體...
- 紫外曝光機
其中，解析度是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式，光刻的解析度受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子雷射器...
- 電子投影曝光
超微細加工的關鍵是形成圖形的曝光方式和光刻方法。當前主流技術仍然是光學曝光，光刻方法已從接觸、接近式、反射投影式、步進投影式發展到步進掃描投影式。採用減少光源波長（由436nm和365nm的汞弧燈縮短到248nm的KrF準分子雷射源再到到193nm的ArF準分子雷射源）的方法可以將微細加工工藝從1μm、0.8μm發展到0....
- 光學中的散斑現象:理論與套用
6.5 投影微光刻中的散斑 6.5.1 準分子雷射的相干性質 6.5.2 時域散斑 6.5.3 從曝光漲落到線位置的漲落 第7章 某些非成像套用中的散斑 7.1 多模光纖中的散斑 7.1.1 光纖中的模式噪聲 7.1.2 限定散斑的統計性質 7.1.3 模式噪聲對頻率的依賴關係 7.2 散斑對光學雷達性能的影響 7.2.1...
- 方國家
1997.9~2000.11華中理工大學雷射技術國家重點實驗室博士研究生，主要從事脈衝準分子雷射技術沉積三氧化鎢、五氧化二釩寬頻隙薄膜及電致變色器件方面的研究工作，獲電子科學技術學科（物理電子學專業）工學博士學位和湖北省優秀博士學位論文獎。2001~2003年在清華大學電子工程系集成光電子學國家重點實驗室做博士後。主要從事...
