納米電子束直寫系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年12月23日啟用。
基本介紹
- 中文名：納米電子束直寫系統
- 產地：荷蘭
- 學科領域：物理學、材料科學
- 啟用日期：2015年12月23日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
（1）電子槍燈絲：ZrO/W （肖特基）熱場發射；#11;（2）標稱加速電壓：100 kV / 50 kV；#11;（3）極限解析度：8nm；#11;（4）場拼接誤差：優於30nm；#11;5晶片尺寸：150mm。
主要功能
電子束直寫是利用電子束在塗有感光膠的基片上直接曝光刻寫或投影進行圖形複製的技術。隨著微電子技術的發展，微電子器件電路設計尺寸不斷縮小，從微米級到亞微米級深入到分子、原子量級的納米級。電子束直寫技術是迄今為止解析度最高的一種曝光手段，廣泛地用於微米、亞微米及深亞微米的曝光領域。納米電子束直寫系統用於進行低於100nm 水平的曝光圖形。利用光刻設備，通過對光刻膠進行曝光顯影，可以得到任意設計的精度在10nm 的圖形化表面，結合薄膜沉積和剝離工藝，可以得到想要的圖形化薄膜。可用於圖形化生長，微納器件電極製作，和表面電漿共振等方面的研究。
