電子束抗蝕劑

套用於電子束光刻的抗蝕劑。

基本介紹

• 中文名：電子束抗蝕劑
• 外文名：electron beam resist

電子束光刻套用範圍非常廣泛，用於電子束掩模曝光系統的抗蝕劑要求靈敏度高，曝光速度快，解析度大體在100nm左右，用於納米直寫光刻用的電子束抗蝕劑主要要求高解析度，曝光10nm量級的結構。但是，高解析度的抗蝕劑通常曝光靈敏度比較低，如曝光劑量選擇高，實際上所有的抗蝕劑都可用於電子束曝光，只是解析度有所欠缺。