電子束光刻系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年4月17日啟用。
電子束光刻系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年4月17日啟用。技術指標加速電壓30Kev-100Kev,最小工作束斑直徑8nm, 最大電子束流50 nA ,SEM 放大倍數30 萬倍...
電子束光刻系統及發射源裝置是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2013年11月27日啟用。技術指標 熱場發射電子束源 (ZnO/W) 最小電子束斑~ 3nm @ 100kV 最大掃描速率 = 50 MHz 最大樣品尺寸 150x150 mm 樣品台移動精度0.6nm (λ/1024) 兩套電子束偏轉系統: 5th Lens (8nm) and ...
電子束光刻基本上分兩大類，一類是大生產光掩模版製造的電子束曝光系統，另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統。電子束光刻技術起源於掃描電鏡，最早由德意志聯邦共和國杜平根大學的G．Mollenstedt等人在20世紀60年代提出。電子束曝光的波長取決於電子能量，電子能量越高，曝光的波長越短，大 體在10－...
電子束光刻，利用電子束在塗有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影複印圖形的光刻技術。 電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物。經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變，經過顯影和定影，獲得高解析度的抗蝕劑曝光圖形。現代的電子束光刻設備已經能夠製作小於10納米...
超高解析度電子束光刻系統 超高解析度電子束光刻系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2005年9月15日啟用。技術指標 解析度:2nm,精度60nm。主要功能 納微材料的納微加工。
電子束光刻機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2017年10月27日啟用。技術指標 最小束斑不大於1.9nm；最小步長為0.1nm；主場畸變不大於±10nm @500um寫場；最小線寬：≤ 8nm @100kV； 拼接精度：100um寫場下，拼接精度不大於12nm；250um寫場下，拼接精度不大於15nm；500um寫場下，拼接精度...
電子束曝光（electron beam lithography）指使用電子束在表面上製造圖樣的工藝，是光刻技術的延伸套用。電子束曝光系統（electron beam lithography system）即用於實現電子束曝光的系統。簡介 電子束曝光（electron beam lithography）指使用電子束在表面上製造圖樣的工藝，是光刻技術的延伸套用。光刻技術的精度受到光子在...
多功能超高分辨電子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2013年5月30日啟用。技術指標 特徵尺度小於10納米，線間距小於40納米，樣品尺寸4英寸。主要功能 多功能超高分辨電子束刻蝕系統包含電子束光刻，掃描電鏡成像，電子束原位誘導沉積和刻蝕，納米操縱和光譜分析，以及三維光刻等功能。
在電子束光刻中，電子與固體之間相互作用是最重要的。當高能量的電子進入固體時，他們可直線通過、彈性散射或非彈性散射。特點介紹 非光學光刻的一般特徵是使用超短波長的能源。套用 電子束光刻（EBL）系統可以用來製造光刻掩模版，亦可用來在晶圓上直寫產生圖形。主要套用EBL技術來製造光刻掩模版，因為它具有精密確定小...
NBL 電子束曝光系統，是基於SEM電子束曝光系統的，它主要由主機、邏輯電路、高壓電櫃、觸摸控制四個部分組成。原理 電子槍的陰極發射電子經加速極，柵極共同作用後，在陽極孔附近由於電磁透鏡徑向場的向軸作用力匯聚成極細的電子束，再由物鏡將它投射到工件表面上，計算機將微型電子器件上複雜而精細的圖形，轉換成數據...
固定成形束系統在曝光時束斑形狀和尺寸始終不變；可變成形束系統在曝光時束斑形狀和尺寸可不斷變化。按掃描方式，成形電子束曝光系統又可分為矢量掃描型和光柵掃描型。一種尺寸可變的矩形束斑的形成原理是電子束經上方光闌後形成一束方形電子束，再照射到下方方孔光闌上。在偏轉器上加上不同的電壓，就能改變穿過...
VistecEBPG-5200電子束光刻系統 （Vistec EBPG-5200Electron-beam lithography system）主要技術指標/Specifications:1. 最大加速電壓：100KV Accelerating voltage: 100KV 2. 最大掃描速度：50MHZ Pattern generator frequency: 50MHz 3. 束流：0.1nA~100nA Beam current：0.1nA~100nA 4. 最小束斑直徑：≤3nm ...
廣泛地用於微米、亞微米及深亞微米的曝光領域。納米電子束直寫系統用於進行低於100nm 水平的曝光圖形。利用光刻設備，通過對光刻膠進行曝光顯影，可以得到任意設計的精度在10nm 的圖形化表面，結合薄膜沉積和剝離工藝，可以得到想要的圖形化薄膜。可用於圖形化生長，微納器件電極製作，和表面電漿共振等方面的研究。
電子束直寫系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2016年3月23日啟用。技術指標 1）套刻精度：±15 nm（1mm 主場）@100kV, ±20 nm （1mm 主場）@50kV；2）場拼接精度：20±3nm@1mm*1mm；3）最小線條寬度≤8 nm。主要功能 利用某些高分子聚合物對電子敏感而形成曝光圖形。用於...
建立在理論基礎指導下，由系列批量化、低成本、可重複製造特徵的關鍵工藝和工藝流程構建納米製造工藝平台，形成納機電系統研究的基礎支撐環境，提升我國納米製造的源頭創新能力和國際影響力，培養一批從事該領域前沿研究的優秀人才。結題摘要 項目按照計畫指標完成基於電子束光刻的納機電系統結構工藝研究，開發出線寬/間隔=30...
實驗室擁有從十級到萬級超淨面積500平方米,完善的基於完整的“自上而下”納米加工設備,一條完整的深亞微米、納米加工實驗研究線已經形成,各種先進加工設備和檢測設備共有20多台,總共價值1億多元;建立了國內最早的納米加工實驗平台,裝備了解析度30nm的JEOL JBX-5000LS電子束光刻系統和解析度15nm的JEOL JB...
限制光刻所能獲得的最小線寬與光刻系統的解析度直接相關，而減小光源的波長是提高光刻解析度的最有效途徑。現在，商品化光刻機的光源波長已經從過去的汞燈光源紫外光波段進入到深紫外波段，除此之外，利用光的干涉特性以及電磁理論結合光刻實際對曝光成像的深入分析，採用各種波前技術最佳化工藝參數也是提高光刻解析度的重要...
電子束光刻方法 電子束光刻方法，包括：在結構材料層上形成硬掩模層；在硬掩模層上形成電子束光刻膠；採用電子束曝光系統，對電子束光刻膠進行曝光，其中通過增加曝光劑量來提高電子束光刻膠的抗刻蝕性；採用顯影液對曝光後的電子束光刻膠顯影，形成電子束光刻膠圖形；以電子束光刻膠圖形為掩模，各向異性刻蝕硬掩模...
研究電子束光刻產生三維結構時特定液態感光劑的能量沉積、縱向、橫向及圖形邊沿產生的散射、圖形畸變與電子束各參數間的關係，通過軟硬體最佳化得出最佳光刻效果的工藝條件。該技術可以直接在基片上同時產生垂直、曲面、微尖等三維結構，將微機械部件集成到系統上。也可以用作製造特種掩模，再通過微電鑄或熱壓工藝批量製造微...
高電壓電子束曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月28日啟用。技術指標 電壓：100 kV；SEM解析度：2 nm；最小線寬：8 nm；拼接精度：20 nm；樣品台：配備2 mm ~ 4cm方片，2 inch~6 inch圓晶片以及 2 inch和5 inch掩模版卡槽。主要功能 採用電子束直接曝光的方法，製作納米...
離子束光刻與電子束直寫光刻技術類似,不需要掩膜板,套用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強,因此具有更好的解析度。液態金屬離子源為最簡單的曝光源:在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金矽合金,加熱融化後經由外層為液態金屬表面產生的場使離子發射,其發射面積很小(<10 nm),因此利用離子光學系統可較容易地...
電子束光刻膠 電子束光刻膠（electron beam resist）是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
曝光時間 為了提高晶片製造中版圖圖形的的尺寸精度，在每個曝光圖形處，都會按照曝光尺寸使曝光時間相應有所變化。相當於電子束光刻系統中電子束鄰近效應劑量調製曝光，以補償由於電子散射和背射所引起的鄰近效應對成像質量有所影響。
1964 雷射首次投入工業使用，第一個工業化的電子束光刻系統於70年代中期問世。1965 卡爾蔡司耶拿公共企業成為東德精密機械和光學產品主要的生產企業。1971 兩家公司之間的倫敦協定調整了包含“Zeiss”部分的名字和商標的使用。1989 由於東德政變，耶拿卡爾蔡司公共企業宣告解散。兩家蔡司公司雖因政治而分裂，但仍發展成為各自...
1964 雷射首次投入工業使用，第一個工業化的電子束光刻系統於70年代中期問世。1965 卡爾蔡司耶拿公共企業成為東德精密機械和光學產品主要的生產企業。1971 兩家公司之間的倫敦協定調整了包含“Zeiss”部分的名字和商標的使用。1989 由於東德政變，耶拿卡爾蔡司公共企業宣告解散。1990-2000年危機與變革： 重新統一的重組 1990...
6.3.10晶圓軌道步進機配套系統 6.4 光刻技術的發展趨勢 6.4.1 解析度與景深(DOF)6.4.2 I線和深紫外線 6.4.3 解析度增強技術 6.4.4 浸入式光刻技術 6.4.5 雙重、三重和多重圖形化技術 6.4.6 極紫外線(EUV)光刻技術 6.4.7 納米壓印 6.4.8 X光光刻技術 6.4.9 電子束光刻系統 6.4.10...
光柵掃描是被用在第一代電子束光刻（EBL）系統中，它是直接由掃描電子顯微鏡演變而來的。光柵掃描被用在第一代電子束光刻（EBL）系統中，它是直接由掃描電子顯微鏡演變而來的。在典型的系統中，電子束首先通過一對留有間隔的板，它可使電子束偏轉而被截斷。第二對板用來在一個方向上掃描電子束。同時，承片台用...
4.4.2 接近式X射線光刻系統及X射線光刻掩模板 （247）4.4.3 投射式X射線光刻 （250）4.5 極紫外線光刻 （252）4.6 電子束光刻系統 （254）4.6.1 概述 （254）4.6.2 掃描電子束曝光系統 （255）4.6.3 投射式電子束曝光光刻系統 （266）4.6.4 電子束光刻的抗蝕膠 （269）4.7 離子束光刻系統...
截至2008年納米加工有了很大的突破，如電子束光刻（UGA技術）加工超大規模積體電路時，可實現0.1μm線寬的加工；離子刻蝕可實現微米級和納米級表層材料的去除；掃描隧道顯微技術可實現單個原子的去除、扭遷、增添和原子的重組。粒子製備 納米粒子的製備方法很多，可分為物理方法和化學方法。套用納米技術製成的服裝 真空...
9.2 直寫電子束光刻系統 9.3 直寫電子束光刻：總結與展望 9.4 X射線源 9.5 接近式X射線系統 9.6 薄膜型掩模版 9.7 投影式X射線光刻 9.8 投影電子束光刻（SCALPEL）9.9 電子束和X射線光刻膠 9.10 MOS器件中的輻射損傷 9.11 軟光刻與納米壓印光刻 9.12 小結 習題 參考文獻 第10章 真空科學與...
