電子束光刻機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2017年10月27日啟用。
基本介紹
- 中文名：電子束光刻機
- 外文名：E-Beam Lithography
- 產地：荷蘭
- 學科領域：電子與通信技術
- 啟用日期：2017年10月27日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電子產品通用工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
最小束斑不大於1.9nm；最小步長為0.1nm；主場畸變不大於±10nm @500um寫場；最小線寬：≤ 8nm @100kV； 拼接精度：100um寫場下，拼接精度不大於12nm；250um寫場下，拼接精度不大於15nm；500um寫場下，拼接精度不大於20nm；1000um寫場下，拼接精度不大於30nm； 套刻精度:100um寫場下，套刻精度不大於10nm；250um寫場下，套刻精度不大於15nm；500um寫場下，套刻精度不大於20nm；1000um寫場下，套刻精度不大於30nm。
主要功能
曝光速度快精度高，可採用大寫場大束流進行曝光，適用於科研及小批量生產中使用； 自動化程度高，除了放樣取樣外，整個曝光過程只需要編輯曝光的相關參數，其他過程均可自動完成。
