電子束光刻系統及發射源裝置是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2013年11月27日啟用。
基本介紹
- 中文名：電子束光刻系統及發射源裝置
- 產地：日本
- 學科領域：工程與技術科學基礎學科
- 啟用日期：2013年11月27日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
熱場發射電子束源 (ZnO/W) 最小電子束斑~ 3nm @ 100kV 最大掃描速率 = 50 MHz 最大樣品尺寸 150x150 mm 樣品台移動精度0.6nm (λ/1024) 兩套電子束偏轉系統:
5th Lens (8nm) and 4th Lens modes (25-40nm) 電子束流範圍30pA-20nA 具有動態聚焦和像散校正功能 樣品台最大移動速度10mm/sec。
主要功能
電子束曝光機是將電子加速到100千伏的高壓，然後匯聚形成納米級的電子束斑，並控制其在電子束膠表面逐點掃描，最後通過後續的顯影工藝，從而形成百納米甚至十納米以下尺度圖案。
