電子束曝光圖形發生器是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器,於2017年1月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:電子束曝光圖形發生器
- 產地:德國
- 學科領域:工程與技術科學基礎學科
- 啟用日期:2017年1月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器
電子束曝光圖形發生器是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器,於2017年1月1日啟用。
電子束曝光圖形發生器是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器,於2017年1月1日啟用。技術指標1.掃描頻率為6MHz,且6MHz都可用於像素的自由選址。 2.曝光光刻膠實際最小線寬低於50nm。 3.設定寫場範圍...
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納米圖形發生系統 納米圖形發生系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年9月15日啟用。技術指標 步長1nm。主要功能 光刻樣品。
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電子束曝光系統(electron beam lithography, EBL,又稱電子束曝光系統)是一種利用電子束在工件面上掃描直接產生圖形的裝置。由於SEM、STEM及FIB的工作方式與電子束曝光機十分相近,美國JC Nabity Lithography Systems公司是最早研發了基於...
光掩模製作技術大體上可分為傳統的刻圖縮微製版技術系統、計算機輔助設計、光學圖形發生器自動製版技術系統和以電子束掃描成像為代表的各種短波長射線成像曝光技術系統。刻圖縮微製版技術系統 最初是從印刷工業中的印刷製版技術移植到微電子...
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70年代,研製開發了分步重複自動照相機、圖形發生器、光刻機、電子束曝光機工件台等半導體設備,其中“分步相機”套用於全國100多個廠家,受到好評;研製了多種磁碟測試儀器,促進了我國電子工業的發展。“七五”、“八五”期間,面向大型...
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