納米圖形發生系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年9月15日啟用。
基本介紹
- 中文名:納米圖形發生系統
- 產地:德國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2010年9月15日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
納米圖形發生系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年9月15日啟用。
納米圖形發生系統 納米圖形發生系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年9月15日啟用。技術指標 步長1nm。主要功能 光刻樣品。
納米圖形發生器是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的分析儀器,於2016年9月2日啟用。技術指標 (1)幫助我們使用FIB製作各種複雜的結構;(2)能夠根據灰度照片進行3D圖形製備。(3)。主要功能 幫助我們使用FIB製作各種複雜的...
納米通用圖形發生器是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2017年1月9日啟用。技術指標 作圖方式矢量掃描作圖精度採用16位高精度D/A曝光速度圖形發生器控制速度10MHz工件台移動範圍50mm×50mm工件台測量精度60nm(光柵測量)工件台最大移動...
納米通用形發生器是一種用於化學領域的電子測量儀器,於2012年12月31日啟用。技術指標 可配備到掃描電鏡(SEM)、聚焦離子束系統(FIB)、掃描探針顯微鏡(SPM)上構建成納米加工設備,進行納米圖形加工和納米微結構製造。主要功能 高速數字...
進一步提出了由物方共振腔和像方共振腔組成的雙表面電漿共振腔的超透鏡成像系統。理論上獲得了雙腔表面等離子超透鏡系統的光學傳遞函式並詳細分析了其物理機理。由於物方和像方共振腔的相互作用,雙腔結構可大大增強物體的瞬逝波強度,...
多用途納米圖形製作系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年1月28日啟用。技術指標 極限真空度:4.0x10-5 Pa;泄漏率:5x10-7 PaL/S;工作模式:磁控濺射,蒸發、電子束蒸發。主要功能 進行電極(金、鉑)蒸鍍;陶瓷薄膜...
克服上述相關技術的不足,提供一種基於等離子波的納米光刻光學裝置,該裝置既不需要縮短波長和用複雜昂貴的極短波長光源電磁輻射系統,也不需要雷射系統,用HG燈長波長光和單層或多層金屬掩模就能進行納米光刻,製作出納米量級的任意圖形。
本項目預期研究成果,對於納米電子學的研究進展,以及一維納米材料在半導體工業中積體電路上的套用,都有重大的現實意義。結題摘要 本項目從一維半導體納米異質結構材料的生長機制出發,系統研究了三維納米圖形襯底應變弛豫的解析理論、納米線...
聚焦離子束系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的核儀器,於2002年1月1日啟用。技術指標 電子束解析度(Resolution):3 nm@1 KV,3 nm @30 KV;離子束解析度:7 nm@30 KV;沉積金屬鉑(Pt);金屬和非...
設計核酸納米結構的第一步是決定如何用核酸鏈構建目標結構。這一步決定了其二級結構和連線點位。有如下一些方法:拼接結構:這種方法打破部分化學鍵將目標結構分解成小單元。這常被用來做點陣,但也被用來實施系統的自組,使之成為DNA計算...
高電壓電子束曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月28日啟用。技術指標 電壓:100 kV;SEM解析度:2 nm;最小線寬:8 nm;拼接精度:20 nm;樣品台:配備2 mm ~ 4cm方片,2 inch~6 inch圓晶片...
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