高電壓電子束曝光系統

高電壓電子束曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月28日啟用。

基本介紹

• 中文名：高電壓電子束曝光系統
• 產地：日本
• 學科領域：物理學、材料科學
• 啟用日期：2012年12月28日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備

技術指標

電壓：100 kV；SEM解析度：2 nm；最小線寬：8 nm；拼接精度：20 nm；樣品台：配備2 mm ~ 4cm方片，2 inch~6 inch圓晶片以及 2 inch和5 inch掩模版卡槽。

主要功能

採用電子束直接曝光的方法，製作納米圖形結構(最小線寬為8nm)。用於各種微納器件與納米人工結構的製作，是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具，也可用於直寫高精度的光刻模板。